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- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202180093627.4在审
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中畑俊彦;桥本一义;山口晴正
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株式会社爱发科
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2021-11-09
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2023-10-24
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C23C14/34
- 本发明提高覆膜的台阶覆盖性。本发明使用具有第一电极、第二电极、第一供电源、第二供电源、相位调节器的成膜装置。第一供电源包含：输出第一高频电力的第一高频电源，和在第一高频电源与第一电极之间连接的第一匹配电路器。第二供电源包含输出与第一高频电力周期相同且比第一高频电力低的第二高频电力的第二匹配电路器。从第二高频电源输出第二高频电力，并且操作相位调节器对第一高频电力的相位与第二高频电力的相位设置相位差θ。检测在第二高频电源的输出阻抗与第二高频电源所连接的负载侧阻抗匹配的状态下的、与相位差θ相应的第二高频电力的电压值Vpp和第一可变电容的电容值C1。组合相位差θ的规定范围中的电压值Vpp和电容值C1来选择。
- 方法装置
- [发明专利]簇射板及等离子体处理装置-CN202310357382.2在审
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小林忠正;西方靖
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株式会社爱发科
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2023-04-06
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2023-10-17
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C23C16/50
- 本发明公开一种簇射板及等离子体处理装置。本发明的簇射板包括：等离子体形成表面、气体供给表面、多个气体流路、形成在所述等离子体形成表面上的多个空心阴极狭缝、以及配置在所述多个空心阴极狭缝各自的内部的多个气体喷出口。所述多个空心阴极狭缝以彼此不交叉的方式配置。在所述多个空心阴极狭缝各自的内部开口有所述多个气体流路。所述等离子体形成表面具有多个深度设定区域。在所述多个深度设定区域各自中被设定为在所述厚度方向上的所述多个空心阴极狭缝各自的深度变大。所述多个深度设定区域之中彼此邻接的两个深度设定区域之间的边界和所述多个空心阴极狭缝各自彼此不交叉。
- 簇射板等离子体处理装置
- [发明专利]氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜-CN202280013804.8在审
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安藤优汰;猪狩晃;森本直树
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株式会社爱发科
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2022-09-27
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2023-09-22
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C23C14/06
- 本发明提供一种能够通过反应性溅射形成具有较强拉伸应力的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法。本发明的氮化硅膜的成膜方法，其中，在真空室(1)内将硅材质靶(3)和成膜对象物(Sw)相对配置，向真空气氛的真空室内导入含有氮气的溅射气体，对硅材质靶施加负电位，在以电性浮置状态设置的成膜对象物的表面，通过反应性溅射形成具有拉伸应力的氮化硅膜；包括下述工序：将成膜对象物设置为偏压电位的非施加状态，控制氮气相对于溅射气体的流量比例和对硅材质靶施加的电位中的至少一方，以使硅材质靶表面维持在金属模式与化合物模式之间的过渡模式，在成膜对象物表面堆积β型氮化硅。
- 氮化方法装置
- [发明专利]基板保持装置-CN202280012858.2在审
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高桥铁兵;阪上弘敏;前平谦
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株式会社爱发科
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2022-05-09
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2023-09-22
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H01L21/683
- 本发明提供一种基板保持装置，其能够不损害提高被处理基板和环状壁的密封性这一功能地顺利排出辅助气体。基板保持装置(SH)具备：基座(6)，其突出设置有与被处理基板(Sw)的外周边部抵接的第一环状壁(61)和配置在该第一环状壁内侧的第二环状壁(62)；面压施加机构(51)，其朝向第一和第二的各环状壁对分别与第一和第二的各环状壁抵接的被处理基板施加面压；以及气体导入机构(71、72、71a、72a)，其向由被处理基板与第一和第二的各环状壁划分的基座内的外侧空间(63)、由被处理基板与第二环状壁划分的基座内的内侧空间(64)中导入规定的气体，使外侧空间和内侧空间分别呈气体气氛。在第二环状壁上形成有连通外侧空间和内侧空间的连通路径(62a)，其具有能够实现外侧空间和内侧空间的气体气氛分离的流导值。
- 保持装置
- [发明专利]磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置-CN202280012554.6在审
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青柳利哉;新井真;高泽悟
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株式会社爱发科
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2022-03-18
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2023-09-19
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C23C14/35
- 本发明提供一种具有能够定期去除在靶的中央区域上残留的非侵蚀区域中形成的再沉积膜的功能，并能够在具有高纵横比的凹部的基板整个面上覆盖性良好地成膜的磁控溅射装置(SM)用阴极单元及磁控溅射装置。阴极单元(CU1)具备多个第一和第二磁体单元(61、62)，其配置在靶(5)的溅射面(51)所背对的一侧，并分别绕轴线(Cl)被旋转驱动。第一磁体单元构成为使第一漏磁场(Mf1)作用于在内侧包含靶中心(Tc)的溅射面的前方空间。第二磁体单元构成为，使第二漏磁场(Mf2)局部作用于位于靶中心和靶外缘部之间的溅射面的前方空间，并且能够进行被第二漏磁场所封闭的等离子体在低压力下的自持放电。
- 磁控溅射装置阴极单元
- [发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN202310219348.9在审
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土居谦太;中村敏幸
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株式会社爱发科
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2023-03-07
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2023-09-12
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H05H1/24
- 提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，相对于等离子体生成的时机，能在适当的时机朝向偏压电极输出高频电力。通过基于从脉冲生成部(40)反复输出的第1脉冲，天线用电源(23)向ICP天线(21)间歇地输出第1高频电力，从而生成等离子体(P)，由检测部(50)检测出基于本次的第1脉冲的等离子体(P)的生成开始，计算从本次的第1脉冲的上升到检测部(50)检测出等离子体(P)的生成开始为止的延迟期间，以从在计算出延迟期间后输出的第1脉冲的上升算起经过延迟期间的时间点为基准，基于从脉冲生成部(40)反复输出的第2脉冲，偏压用电源(33)向偏压电极(31)输出第2高频电力。
- 等离子体处理方法装置
- [发明专利]真空蒸镀装置用蒸镀源-CN202180089399.3在审
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中村寿充;小野田淳吾
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株式会社爱发科
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2021-12-07
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2023-09-12
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H10K71/16
- 本发明提供一种真空蒸镀装置用蒸镀源，其在使蒸镀物质蒸发而对被蒸镀物进行蒸镀时，能够增加每单位时间的蒸发量，对被蒸镀物的蒸镀速率高。本发明的真空蒸镀装置(Dm)用蒸镀源(DS)配置在真空室内(1)，用于使固体的蒸镀物质蒸发而对被蒸镀物进行蒸镀，具备：坩埚(4)，其可收纳蒸镀物质(Ms)，具有将蒸发的蒸镀物质向被蒸镀物(Sw)放出的放出口(41)；以及加热装置(6)，其可加热坩埚内的蒸镀物质；在坩埚内具备蒸发促进部(5)，该蒸发促进部(5)设置为一部分(5a)被通过加热而熔化的蒸镀物质(Ml)浸渍，并且其剩余部分(5b)距离坩埚内表面(42)留有间隙(D1)地设置。
- 真空装置用蒸镀源
- [发明专利]真空处理装置-CN202280011677.8在审
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阪上弘敏;北沢僚也;矶部辰德
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株式会社爱发科
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2022-03-18
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2023-09-12
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C23C14/00
- 本发明提供一种在维持真空气氛的状态下能够尽量排除带入的颗粒的真空处理装置。具有真空室(1、2)，其设置有处理单元(4)，在真空室上连接真空泵(15)，且在真空室内安装有台架(3)；具备摆动机构，基板(Sw)与处理单元对置地被实施处理的台架的姿态为第一姿态，以实施处理时以外的台架的姿态为第二姿态，该摆动机构使台架在第一姿态与第二姿态间摆动；还具备在真空室内向台架喷射惰性气体的喷射机构(5)，喷射机构构成为可在第一流量和第二流量之间进行流量切换，所述第一流量能在使真空室内为规定压力的真空气氛的状态下喷飞附着在台架和基板中的至少一方上的颗粒，所述第二流量可将因喷飞而在真空室内扩散的颗粒向真空泵移送。
- 真空处理装置
- [发明专利]基板保持装置、基板保持方法和成膜装置-CN201980005899.7有效
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佐藤雄亮
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株式会社爱发科
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2019-03-28
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2023-09-08
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H01L21/683
- 本发明提供一种能够以垂直的姿态稳定地保持多个基板的基板保持装置、基板保持方法和成膜装置。本发明的一个方式的基板保持装置具备：基板支承台和夹紧机构。所述基板支承台具有支承面和旋转机构部。所述支承面具有多个支承区域，在所述多个支承区域分别配置有多个基板。所述旋转机构部构成为能够使所述支承面绕与所述支承面平行的轴从水平姿态立起为垂直姿态。所述夹紧机构具有多个夹紧部。所述多个夹紧部构成为沿着所述多个支承区域的周围配置，并且能够保持所述多个基板的周缘部。所述多个夹紧部包括多个第一夹紧部，所述多个第一夹紧部配置在所述多个支承区域之间的间隙区域，并且能够分别保持所述多个基板的周缘部。
- 保持装置方法
- [发明专利]成膜装置-CN202080007249.9有效
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关根元气;中尾裕利
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株式会社爱发科
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2020-08-06
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2023-09-08
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C23C14/54
- 本发明涉及稳定的蒸镀速度的控制。本发明的成膜装置具有真空容器、成膜源、收容容器、膜厚传感器以及膜厚控制器。所述成膜源收容在所述真空容器。所述收容容器收容在所述真空容器，能够维持比所述真空容器内的压力高的压力。所述膜厚传感器包含具有共振频率的振荡器，在所述膜厚传感器中，在所述振荡器堆积由从所述成膜源释放的成膜材料。所述膜厚控制器收容在所述收容容器，基于所述成膜材料的堆积引起的所述振荡频率的变化，计算从所述成膜源释放的所述成膜材料的释放量。
- 装置
- [发明专利]真空处理装置-CN201980005399.3有效
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藤井佳词
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株式会社爱发科
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2019-07-23
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2023-09-05
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H01L21/683
- 本发明提供一种真空处理装置，其设置为即使在真空处理中存在从热板以外给被处理基板的热输入时，也可将被处理基板控制在规定温度。本发明的真空处理装置(SM)，其包括：真空室(1)，其可形成真空气氛；以及台架(4)，其在真空室内支撑被处理基板(Sw)；台架具有：基台(41)，其选择性地被冷却；卡板(42)，其设置在基台上，对被处理基板进行静电吸附；以及热板(43)，其间隔设置在基台和卡板之间；所述真空处理装置将静电吸附在卡板表面的被处理基板自由控制在室温以上的规定温度，在基台和热板之间，还具有隔热板(44)，其抑制从热板向基台的传热，在基台和隔热板之间，设置有高辐射率层(45)，其具有比基台的上表面高的辐射率。
- 真空处理装置
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