“寄生PNP晶体管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3395371个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]家用地震早期电子告警装置-CN201420162574.4有效
发明人：吴建堂 -专利权人：吴建堂
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G08B21/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种家用地震早期电子告警装置，其特征包括：6V直流电源、2路监测探头、电桥平衡电路、蜂鸣器驱动电路；所述的电桥平衡电路由2路监测探头、PNP型晶体管VT1、PNP型晶体管VT2、电阻R3、电阻R4、线性电位器RP和电阻R5及电解电容C1构成，NPN型晶体管VT1基极和PNP型晶体管VT2发射极分别接2路监测探头；所述的蜂鸣器驱动电路由NPN型晶体管VT3和蜂鸣器HA组成。
家用地震早期电子告警装置

[发明专利]点亮装置及照明装置-CN200510007776.7无效
发明人：井上隆男 -专利权人：日本先锋公司
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种点亮装置，用PNP晶体管(Q1)分流由电源电压的上升导致的发光二极管(LED1、LED2)的正向电流的增加量，正向电流值变为与额定电压相对应的预定的电流值，而不需要恒流电路，发光二极管(LED1在正向电流值因发光二极管(LED1、LED2)的额定电压的偏差而变动的状态下，由PNP晶体管(Q1)分流的电流值随第1电阻(R1)的电压降的大小而变动，第3电阻(R3)的电压降发生变动；伴随电压降的变动，PNP晶体管(Q2)的发射极－PNP晶体管(Q1)的基极间的电位差发生变动，发光二极管(LED1、LED2)两端之间的电位差发生变动，抑制正向电流值的变动；从而能抑制产品间的亮度差。
点亮装置照明

[实用新型]一种锂电池保护电路的附加自动恢复装置-CN201420012882.9有效
发明人：叶志文;毛卫清 -专利权人：上海长园维安电子线路保护有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锂电池保护电路的附加自动恢复装置，用于电动工具，基于S-8254的锂电池组保护电路，通过电动工具开关与电动机连接，包括一PNP型晶体管Q3、N型MOS管Q4和电阻R5，所述的PNP型晶体管Q3的发射级与电池电芯正端相连，PNP型晶体管Q3的集电极经电阻R5与电池正端P+相连，所述的PNP型晶体管Q3的基极与N型MOS管Q4的漏极相连，N型MOS管Q4的源极与基于S-8254的锂电池组保护电路的接地端VSS相连，N型MOS管Q4的栅极与放电端DIS相连，并与电池负端并联。
一种锂电池保护电路附加自动恢复装置

[发明专利]集成开基区PNP晶体管碳化硅MOSFET器件及制备方法-CN202210608496.5有效
发明人：李轩;娄谦;王常旺;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种集成开基区PNP晶体管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，N‑外延层注入铝离子形成P型基区及P型发射区；铝离子注入形成P+欧姆接触区；氮离子注入形成N+源区；氮离子注入形成N型基区并激活退火；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅淀积与刻蚀，通过引入PNP晶体管结构实现P型发射区电位可调：在阻断状态及短路状态，PNP晶体管穿通，P型发射区自动钳位保护氧化层，P型发射区与P型基区形成JFET耗尽夹断；在导通状态，PNP晶体管截止，P型发射区浮空，不影响导通电阻，由于P型发射区电位钳位在低电压，器件栅漏电容较小，本发明在增强碳化硅MOSFET器件氧化层及短路可靠性的同时，又保证了器件正向导通特性，降低了器件开关损耗
集成开基区 pnp 晶体管碳化硅 mosfet 器件制备方法

[实用新型]一种逆变电路-CN201821195055.2有效
发明人：李清明;陈前;欧勇江 -专利权人：广州穗顿电子科技有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种逆变电路，包括第一负载晶体管、第一驱动晶体管、第二负载晶体管、第二驱动晶体管和输出电感，第一负载晶体管和第二负载晶体管为N型MOS管，第一驱动晶体管和第二驱动晶体管为P型MOS管，第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的沟道区域设置有空间电荷捕捉单元在驱动晶体管的沟道区域设置有空间电荷捕捉单元，能够捕获驱动晶体管空间电荷通过捕获沟道区中的电荷并控制寄生电容，可以将寄生电容的功耗降低到零，空间电荷捕捉单元使得空穴电流可以作为栅电压，可以控制并且在低温下发生的与静电现象不同的沟道电流的阻塞现象
驱动晶体管负载晶体管空间电荷捕捉单元沟道区域寄生电容逆变电路捕获本实用新型功耗降低沟道电流静电现象空穴电流输出电感沟道区栅电压电荷阻塞

[发明专利]场效应晶体管及其制作方法-CN201710121039.2在审
发明人：王文博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管及其制作方法，所述场效应晶体管的制作方法通过在基底与源极、漏极之间形成一隔离层进行电学隔断，减小源极/漏极、隔离层和基底间的电容，可以提高其寄生晶体管开启电压，切断寄生晶体管电流通路，降低亚阈值摆幅，提高场效应晶体管的直流特性，从而提高场效应晶体管的性能。
场效应晶体管寄生晶体管隔离层基底制作亚阈值摆幅源极/漏极电流通路开启电压直流特性电容电学隔断减小漏极源极

[发明专利]具有表体偏压的负充电泵-CN03824663.5无效
发明人：乔治·奥多内;马西米利亚诺·弗鲁利奥;卢卡·菲吉尼;法比奥·塔桑·卡塞 -专利权人：艾梅尔公司
申请日： 2003-09-18 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种n沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管负电压充电泵，其中该等n沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的表体(bulk)以一可防止接通寄生双极晶体管的方式偏压，该寄生双极晶体管是该充电泵结构的互补金属氧化物半导体
具有偏压充电

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管-CN201210304090.4无效
发明人：李泽宏;赵起越;李巍;任敏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过离子注入或杂质扩散方式在传统绝缘栅双极型晶体管的P+体区（6）中引入带有受主能级的深能级杂质（12）。当器件内有大电流流过时，器件产生热损耗增大，深能级杂质（12）的电离率会随着器件温度的升高而增大，提高了IGBT器件中寄生NPNP晶闸管结构中NPN管基区有效掺杂浓度，降低了NPN管发射极注入效率γ，进而降低NPN管共基极放大系数αNPN，可避免因αNPN+αPNP≥1而使器件寄生的晶闸管开启，器件因失去栅控能力无法关断而最终烧毁的后果，最终达到增大器件的正向安全工作区，提高器件可靠性的目的。
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]二极管触发的可控硅器件和集成电路-CN202110492221.5在审
发明人：毛盼;张英韬;刘俊杰;朱玲欣;宋彬;许杞安;吴铁将 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种二极管触发的可控硅器件和集成电路，二极管触发的可控硅器件包括：第一N型掺杂区和第一P型掺杂区构成第一二极管；第二N型掺杂区和第二P型掺杂区构成第二二极管，第一二极管的负极和第二二极管的正极电连接，第三N型掺杂区、第一P型阱和第二N型掺杂区构成寄生NPN型双极晶体管；第一P型阱、栅极、第二N型掺杂区和第三N型掺杂区构成NMOS管；第二N型掺杂区和第三二极管的正极电连接，第三二极管的正极和NPN型双极晶体管的基极电连接，第一P型掺杂区、第三N型掺杂区和PNP型双极晶体管的发射极电连接阳极；NPN型双极晶体管的发射极和NMOS管的栅极电连接阴极。
二极管触发可控硅器件集成电路

[发明专利]带静电放电保护的RF晶体管-CN200780013318.1无效
发明人：约翰内斯·A·M·德波特;约瑟夫斯·H·B·范德赞登;彼得拉·C·A·哈梅斯 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出的电子器件包括：RF晶体管(100)，其设计用于基本RF频率，并与带有另一晶体管(200)的静电保护结构(250)集成为一体。晶体管适宜为MOS晶体管，有栅极、源极和漏极，其中源极耦合至接地的衬底区。另一晶体管的漏区耦合至RF晶体管(100)的栅极，在加入某一输入电压的条件下，在另一晶体管的漏区与接地的衬底区之间形成寄生二极管(300)。提供有滤波器(350)，用于从寄生二极管(300)中滤去基本RF频率。
静电放电保护 rf 晶体管

[发明专利]一种静电保护电路及一种SCR器件-CN201510401070.2在审
发明人：单毅 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及电路电子技术领域，尤其涉及一种静电保护电路及一种SCR器件，通过构建一包括触发模块、电流产生单元和SCR模块的静电保护电路，当VDD有正ESD脉冲时，使第一PMOS管的栅极变为低电平，产生VDD经第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管到GND的第一电流，第二NMOS管导通，产生第二电流，经过N+掺杂区、流过Rnwell，Rnwell两端的产生压降，使三极晶体管PNP开启，其集电极电流流经Rpwell使得NPN开启，正反馈效应使三极晶体管PNP、三极晶体管NPN形成的SCR开启放电，该方案触发电压低，响应速度快；大大降低了闩锁效应的风险，需求的MOS管的尺寸小，有效减小了电路的尺寸。
一种静电保护电路 scr 器件

[实用新型]具有降低反馈噪声的H型驱动器及其集成电路-CN200420005309.1无效
发明人：林逸彬;林登财 -专利权人：易亨电子股份有限公司
申请日： 2004-03-03 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种驱动器，特别是一种数字交换模式的具有降低反馈噪声的H型驱动器，包括晶体管电路及反馈电路，该反馈电路是三端点装置，其中一端点连接该晶体管电路，其他二端点则分别连接该驱动器的二输出端点，在输出切换时，从一输出端点流入该反馈电路的电流中，仅有少部分电流从连接该晶体管电路的该反馈电路的端点流出，大部分电流则从该反馈电路的另一端点流出至其连接的另一输出端点。在上述驱动器中，由于流入晶体管电路的反馈电流被大幅降低，因而有效地减少反馈噪声。该反馈电路较佳者是一双向对称的PNP晶体管。利用交指式及互补式的集成电路布局获得双向对称的PNP晶体管亦被揭露。
具有降低反馈噪声驱动器及其集成电路

[发明专利]可变极性的直流照明装置-CN91105175.9无效
发明人：杨泰和 -专利权人：杨泰和
申请日： 1991-07-25 - 公布日： 1995-05-31 - 主分类号： H05B41/16 文献下载
摘要：本发明提供一种可变极性的直流照明装置，包括直流电源供给装置；灯具；极性信号设定装置，和极性交换开关，由两个NPN功率晶体管与两个PNP功率晶体管分别相互串联后构成一桥式电路，第一功率晶体管与第二功率晶体管的发射极接往电源负端，第三功率晶体管与第四功率晶体管的发射极接往电源正端，灯具负载则并联于第一功率晶体管与第三功率晶体管的集电极串接点及第二功率晶体管与第四功率晶体管的集电极串接点之间。
可变极性直流照明装置

[发明专利]一种新型晶体管小信号等效电路模型-CN201410218694.6在审
发明人：姜楠;黄风义;张有明 -专利权人：上海傲亚微电子有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，该模型的寄生部分包含极内寄生电容元件，本征部分包含本征电感元件。晶体管属于场效应晶体管时，极内寄生电容元件包含于栅极寄生单元、漏极寄生单元、源极寄生单元中的一者、两者或三者，本征电感元件包含于栅源极间本征单元、栅漏极间本征单元、漏源极间本征单元中的一者、两者或三者；晶体管属于双极型晶体管时，极内寄生电容元件包含于基极寄生单元、集电极寄生单元、发射极寄生单元中的一者、两者或三者，本征电感元件包含于基极发射极极间本征单元、基极集电极极间本征单元、集电极发射极极间本征单元中的一者
一种新型晶体管信号等效电路模型

[发明专利]DRAM存储单元电路及DRAM存储器-CN202310179260.9在审
发明人：汪令飞;卢年端;王桂磊;赵超;李泠 -专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种DRAM存储单元电路及DRAM存储器，包括第一晶体管，第一晶体管的源极接地，栅极寄生电容用于存储数据；第二晶体管，第二晶体管的源极接地，栅极寄生电容用于存储数据；第三晶体管，第三晶体管的漏极与第一位线电连接，源极与第一晶体管的漏极、第二晶体管的栅极电连接，栅极与字线电连接；第四晶体管，第四晶体管的漏极与第二位线电连接，源极与第二晶体管的漏极、第一晶体管的栅极电连接，栅极与字线电连接。设置第一晶体管和第二晶体管的锁存结构，提高了栅极对源漏通道的控制力，减少了晶体管在截止状态下的电荷漏失，降低了DRAM存储器刷新频率，从而具备更低的功耗。
dram 存储单元电路存储器