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[发明专利]一种碳化硅表面的处理方法-CN202111445243.2有效
发明人：吴昊;邓小川;成志杰;李旭;李轩;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过等离子体对含有所述氧化层的碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对所述钝化后的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除氧化层及碳化硅衬底表面残余的碳，利用氮族气体中的氮等离子体和磷族气体中的磷等离子体对氧化层及碳化硅衬底表面进行钝化，采用退火炉对碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响。
一种碳化硅表面处理方法

[发明专利]一种用于新能源电池的储存结构及方法-CN202310845260.8在审
发明人：史一飞;朱朝梁;樊洁;邓小川;左方涛;马婉霞;徐国旺;吴凌远;郭雪琴;罗疏桐;王瑞瑞;李荣荣 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所;青海远景新能源科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01M50/242 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于新能源电池的储存结构及方法，包括储存盒，所述储存盒的前后两侧均设置有第一挡板，所述储存盒的左右两侧均设置有第二挡板，本发明涉及电池储存技术领域。该用于新能源电池的储存结构及方法，通过利用第一挡板、储存盒、封堵板、牵引杆和第一弹簧的配合，实现对储存盒前后方向上的防撞击保护，配合第二挡板和连动板的设置，实现对储存盒左右方向上的防撞击保护，使用方便的同时，利用第一弹簧作为储存盒四周受到撞击时的缓冲元件，结构简单的同时，对储存盒的保护更为全面，配合隔离板、第一滤网和横置挡板的设置，进一步提高储存盒结构强度的同时，实现对电池的分别放置，保证电池的有效通风效果。
一种用于新能源电池储存结构方法

[发明专利]一种SiC超结器件-CN202310308535.4在审
发明人： 邓小川;吴阳阳;李凌峰;李轩;赵汉青;徐文轩;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC超结器件，包括：N型衬底、N柱区、P柱区、源电极、栅极沟槽氧化物、超结沟槽结构、超结沟槽氧化物、多晶硅栅、P‑body区、P+接触区、N+接触区、漏电极；本发明所提出的SiC超结器件，通过沟槽刻蚀与离子注入相结合的方式，解决了常规的离子注入工艺或深槽刻蚀填充工艺难以形成理想深度的超结N/P柱结构，即难以获得高深宽比的超结N/P柱结构，即难以实现理想击穿电压‑导通电阻折衷的问题。
一种 sic 器件

[发明专利]集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法-CN202111446671.7有效
发明人： 邓小川;丁嘉伟;杨瑞;李旭;李轩;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法，器件结构包括：N+衬底、N型漂移区、P‑well区、横向N+源区、纵向倒L型N+源区、N型沟道层、P‑base区、栅介质、多晶硅栅、源极、漏极。本发明在沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构的沟槽底部深P‑well区引入一个N型沟道层和纵向倒L型N+源区，利用N型沟道层和栅氧化层界面处存在的低势垒，集成了具有低导通压降的二极管，显著改善了器件第三象限性能，抑制了体二极管开通引起的双极退化问题。此外，碳化硅MOSFET器件正向导通时，沟槽底部深P‑well区的N型沟道区作为积累型沟道与P‑base区中反型层沟道并联，提高了器件正向导通电流能力，降低了器件导通电阻。
集成二极管沟槽碳化硅 mosfet 器件制造方法

[发明专利]集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件-CN202210299125.3有效
发明人：李轩;吴阳阳;娄谦;赵汉青;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、体内P接触区、P+shield区、P‑body区、P+接触区、N+接触区、槽栅介质、平面栅介质、槽栅、平面栅、源电极、漏电极；本发明提出的碳化硅MOSFET器件，通过在器件体内形成电势自调节的P+shield区，在不降低器件导通能力的前提下，对栅氧化层形成保护，增强器件阻断能力，当器件发生短路时，P+shield区与N型外延层形成的PN结耗尽区将JFET区夹断，降低器件短路时的饱和电流，提高其短路能力。
集成沟道可靠性碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]集成开基区PNP晶体管碳化硅MOSFET器件及制备方法-CN202210608496.5有效
发明人：李轩;娄谦;王常旺;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种集成开基区PNP晶体管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，N‑外延层注入铝离子形成P型基区及P型发射区；铝离子注入形成P+欧姆接触区；氮离子注入形成N+源区；氮离子注入形成N型基区并激活退火；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅淀积与刻蚀，通过引入PNP晶体管结构实现P型发射区电位可调：在阻断状态及短路状态，PNP晶体管穿通，P型发射区自动钳位保护氧化层，P型发射区与P型基区形成JFET耗尽夹断；在导通状态，PNP晶体管截止，P型发射区浮空，不影响导通电阻，由于P型发射区电位钳位在低电压，器件栅漏电容较小，本发明在增强碳化硅MOSFET器件氧化层及短路可靠性的同时，又保证了器件正向导通特性，降低了器件开关损耗。
集成开基区 pnp 晶体管碳化硅 mosfet 器件制备方法

[发明专利]屏蔽层状态自动切换的沟槽型碳化硅IGBT器件及制备方法-CN202210310903.4有效
发明人：李轩;娄谦;吴阳阳;陈致宇;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有屏蔽层状态自动切换的沟槽型碳化硅IGBT器件及制备方法，包括集电极金属、P+衬底、N型缓冲层、N‑漂移区、第一多晶硅栅、第一栅介质、第一P型阱区、第一P型屏蔽层、P+欧姆接触区、N型载流子存储层、第二多晶硅栅、第二栅介质、第二P型阱区、第二P型屏蔽层、N+源区、N型载流子存储层、发射极金属，本发明通过引入耗尽型P沟道MOSFET结构实现屏蔽层状态的自动切换，从而在器件处于阻断状态下有效降低栅氧化层电场强度的同时又保证了器件具有良好的正向导通能力，降低了器件的开关损耗及EMI噪声。
屏蔽状态自动切换沟槽碳化硅 igbt 器件制备方法

[发明专利]低功耗高可靠性半包沟槽栅MOSFET器件及制备方法-CN202210450145.6有效
发明人：李轩;吴阳阳;吴一帆;赵汉青;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低功耗高可靠性半包沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括：N型衬底、N型外延层、第一P‑body区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二P‑body区、第二P+接触区、第二N+接触区、栅介质、沟槽栅、副沟槽栅、源电极、漏电极；相对于传统半包沟槽栅碳化硅MOSFET，本发明通过在沟槽底形成第二P‑body区，对栅介质形成保护，在不牺牲原有沟槽MOSFET导通能力的基础上，增强了器件的栅介质可靠性，屏蔽了部分栅漏电容降低了器件的开关损耗，当器件发生短路时，漏极电压较大，此时第二P‑body区和第一P+接触区之间的JFET区会夹断从而降低器件的饱和电流，提高器件的短路能力。
功耗可靠性沟槽 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种复合相变材料及其制备方法-CN202111156198.9在审
发明人：孙学庚;孙奉昌;苗常海;邓小川 -专利权人：国网信息通信产业集团有限公司北京分公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本申请提供一种复合相变材料及其制备方法，所述复合相变材料包括肉豆蔻酸、膨胀石墨和碳纤维，所述肉豆蔻酸、膨胀石墨和碳纤维的质量份数比为70～90:10:0～25。本申请的肉豆蔻酸/膨胀石墨/碳纤维复合相变材料，具有吸附效果均匀、热稳定性好等特点，在中低温储热领域应用前景广阔。
一种复合相变材料及其制备方法

[发明专利]垂直型浮空及阻性场板终端的碳化硅IGBT器件及制备方法-CN202211333414.7在审
发明人：李轩;娄谦;杨正羽;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型浮空及阻性场板终端的碳化硅IGBT器件及制备方法，通过在元胞终端区引入垂直沟槽型金属‑绝缘体‑半导体MIS结构，结合多区结终端扩展/多浮空场限环/半绝缘多晶硅SIPOS电阻场板技术，实现高效率超高压碳化硅IGBT器件终端：阻断状态时，电阻场板进行横向分压且沟槽型MIS结构保持与相之连接的半绝缘多晶硅保持等势，结合器件正面Ptop多区结终端扩展及Pshield多浮空场限环结构对体内及表面电场进行调制，实现终端区自连续全耗尽，缓解主结电场集中，降低终端区占用的面积。本发明在保证沟槽型碳化硅IGBT器件高效率终端的前提下，保持高击穿电压及氧化层可靠性。
垂直型浮空阻性场板终端碳化硅 igbt 器件制备方法

[发明专利]评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法-CN202211062287.1在审
发明人：李轩;王常旺;吴一帆;李凌峰;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种评估超结结构电荷平衡的叉指超结MIS结构及测试方法，包括硅N+型衬底、超结N区、超结P区、氧化硅薄膜、N区铝薄膜、P区铝薄膜、衬底背面铝薄膜；包括步骤：(1)在N+硅衬底片上制备超结结构，然后在超结结构表面生长氧化硅薄膜，接着在氧化硅薄膜表面溅射金属薄膜，同时在N+衬底背面也溅射一层金属薄膜，得到叉指超结MIS结构器件；(2)在低频或高频条件下分别测试叉指超结MIS结构的N区与P区的C‑V特性曲线；(3)通过比较超结N区和P区高频C‑V特性曲线电容最小值，对超结结构是否电荷平衡进行判定。利用本发明，可以判断超结结构的电荷平衡情况与N/P区具体的非平衡度，该判断方法简单且有效。
评估结构电荷平衡叉指超结 mis 测试方法

[实用新型]一种混凝土浇注装置-CN202222103339.7有效
发明人：胡洪川;黄婷;邓小川;夏先林;邓灿;邓洁 -专利权人：四川宇硕建筑工程集团有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： E04G21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种混凝土浇注装置，其包括支撑板以及固定设置在支撑板上的搅拌箱和支架，所述搅拌箱上开设有入料口和出料口，所述出料口处连通有出料管，所述出料管上连通设置有输送管，所述输送管与支架固定连接，所述输送管内滑动穿设有升降管，所述支架上沿靠近或远离支撑板顶壁的方向滑动设置有滑台，所述支架上设置有驱使滑台滑动的第一驱动件，所述升降管与滑台固定连接；所述升降管远离输送管的一端连通有橡胶管，所述滑台上设置有放置台，所述橡胶管固定设置在放置台上，所述输送管上设置有用于将搅拌箱内的混凝土传输到输送管内的混凝土输送泵。本申请具有节省混凝土浇注装置的安装时间的效果。
一种混凝土浇注装置

[实用新型]一种水利工程防渗墙-CN202222132386.4有效
发明人：胡洪川;黄婷;邓小川;夏先林;邓灿;邓洁 -专利权人：四川宇硕建筑工程集团有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： E02B3/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种水利工程防渗墙，涉及防渗墙技术领域，包括墙体、套设于墙体上的框架结构，框架结构由若干防渗板相互拼接组成，防渗板下端固定有插板，插板下端朝远离防渗板方向渐缩。本申请通过设置插板，利用插接板渐缩的下端对不规则的凿孔孔壁进行切削，以便于将防渗板安入凿孔内，具有便于砌筑防渗墙的优点。
一种水利工程防渗墙

[发明专利]集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件及制备方法-CN202211125637.4在审
发明人：李轩;吴阳阳;李凌峰;赵汉青;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET及制备方法，包括：N型衬底、N型外延层、P+shield区、肖特基接触金属、源电极、栅介质、多晶硅栅、P‑body区、P+接触区、N+接触区、漏极；本发明提出的碳化硅MOSFET器件，通过在器件体内形成电势自调节的P+shield区，在不降低器件导通能力的前提下，对栅氧化层形成保护，增强器件阻断能力，当器件发生短路时，P+shield区与N型外延层形成的PN结耗尽区将JFET区夹断，降低器件短路时的饱和电流，提高其短路能力。
集成反向 sbd 可靠性碳化硅 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种碳化硅IGBT器件及其制造方法-CN202211128014.2在审
发明人： 邓小川;郭国强;成志杰;李旭;李轩;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：发射极金属、发射极欧姆接触、P+接触区、N+接触区、P型基区、N型电荷存储层、P型屏蔽区、N型漂移区、N型缓冲层、P+衬底、集电极欧姆接触、集电极金属、多晶硅栅、栅介质、P型屏蔽区肖特基接触。本发明采用了沟槽碳化硅IGBT器件结构，沟槽底部的P型屏蔽区与肖特基接触电极连接。器件正向导通时，肖特基接触提高了P型屏蔽区的电势，从而抑制空穴被发射极收集，增强了漂移区的电导调制效应，降低了导通压降；器件关断时，P型屏蔽区能屏蔽槽栅倒角处的电场聚集，防止器件提前击穿；同时由于引入肖特基接触，减小了栅极面积，从而降低栅电荷，提高了开关速度，减少了关断损耗。
一种碳化硅 igbt 器件及其制造方法

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