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[发明专利]带隙电压基准电路-CN201310021495.1有效
发明人：刘帘曦;牛越;刘术彬;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：其中，该带隙电压基准电路包括：第一PMOS晶体管，第二NMOS晶体管，第三NMOS晶体管，第四PMOS晶体管，第五PMOS晶体管，第六PMOS晶体管，第一PNP三极管，第二PNP三极管，电容C，第一电阻
电压基准电路

[实用新型]LED驱动电路以及LED灯具-CN201520812871.3有效
发明人：赖祯昌;赵义;杨远君;王强;陈伟;陈林 -专利权人：深圳市裕富照明有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：LED驱动电路，用于驱动LED负载，包括与LED负载连接的恒流电路；恒流电路包括PNP型三极管、低电平导通晶体管、偏置电阻和分压电阻；PNP型三极管的发射极与电压输入端连接；PNP型三极管的基极与低电平导通晶体管的输入端连接；PNP型三极管的集电极串联分压电阻后与LED负载的负极连接；PNP型三极管的集电极还与低电平导通晶体管的控制端连接；偏置电阻连接于PNP型三极管的发射极和基极之间；低电平导通晶体管的输出端与LED负载的正极连接
led 驱动电路以及灯具

[实用新型]一种绝缘栅双极性晶体管-CN201721609597.5有效
发明人：杨俊;罗伟民;邹伟 -专利权人：深圳市鑫宇鹏电子科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极性晶体管,包括外置包覆膜层、层间绝缘膜、V型槽栅、强固棱条、PNP晶体管和集电空穴，所述外置包覆膜层内侧设置有层间绝缘膜，所述V型槽栅外侧设置有强固棱条，所述PNP晶体管下方开设有集电空穴本实用新型结构科学合理，使用安全方便，设置有外置包覆膜层可以起到对晶体管的保护作用；设置有层间绝缘层提高了晶体管内部的绝缘性；设置有V型槽栅使其内部构件之间的连接更加固定；设置有强固棱条提高了晶体管的抗形变能力；设置有PNP晶体管可以提高对电导率的调制效率，并提高晶体管内部电流密度；设置有集电空穴便于对晶体管内部基层间进行电导调制,减小层间电阻,使高电压时,也具有较低的通态电压。
晶体管空穴包覆膜棱条外置绝缘栅双极性晶体管本实用新型层间绝缘膜电导率层间绝缘层抗形变能力层间电阻电导调制调制效率结构科学内部构件通态电压外侧设置高电压绝缘性减小基层

[发明专利]一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法-CN202310805013.5在审
发明人：马武英;王志宽;欧阳晓平;税国华;何宝平;缑石龙 -专利权人：西北核技术研究所;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管，包括依次相接的多晶硅热栅、基区、外延层、埋层、衬底，以及电极。多晶硅热栅为带开口的圆环形，位于基区中心，发射极电极位于多晶硅热栅圆环中心。还涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管制备方法，包括多晶硅热栅版图设计，按多晶硅热栅版图设计进行加工，制作基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管过程。还涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管的修复方法，包括缺陷表征，求取修复电压，实施修复的过程。本发明设置多晶硅热栅电极，实现辐射环境中电离辐射感生缺陷的实时修复，对电离辐射感生缺陷的分离，提升了横向PNP晶体管的抗总剂量能力。
一种基于多晶硅热栅横向 pnp 晶体管及其修复方法

[实用新型]具有互补对管电路结构的电子镇流器-CN200520122301.8无效
发明人：李宝昌 -专利权人：飞利浦(中国)投资有限公司
申请日： 2005-09-05 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H05B41/295 文献下载
摘要：整流电路，将第一频率的输入交流电压变换为直流电压；半桥逆变电路，将所述直流电压变换为第二频率的交流电压，该第二频率高于所述第一频率，该半桥逆变电路包括：由串联容性元件组成的无源支路；由串联互补型式的NPN晶体管和PNP晶体管组成的有源支路；谐振组，连接在所述半桥有源支路和半桥无源支路的中点之间，用于与被驱动的负载一起构成谐振支路；以及驱动回路，用于驱动所述PNP晶体管和NPN晶体管交替导通和截止；其特征在于所述电子镇流器电路还包括：一个启动回路，用于触发所述NPN晶体管产生振荡；一个保护回路，连接在所述NPN晶体管的基极和PNP晶体管发射极之间，用于在异常情况下关断所述NPN晶体管及并阻止启动回路实施触发。
具有互补电路结构电子镇流器

[实用新型]小电流输出限流保护电路-CN202020561622.2有效
发明人：李红军 -专利权人：上海璐柯宏电子有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种小电流输出限流保护电路，其特征在于，包括第一电阻、第一晶体管和第二晶体管；第一电阻电连接在第一晶体管的基极与第一晶体管的发射极之间；第一电阻与第一晶体管的发射极的连接端作为电源输入端，用于电连接至供电电源；第一晶体管的集电极与第二晶体管的基极电连接；第一电阻与第一晶体管的基极的连接端电连接第二晶体管的发射极；第二晶体管的集电极作为输出端，用于输出供电电流；其中，第一晶体管和第二晶体管均为PNP晶体管。其通过两个PNP晶体管和一个电阻即可达到限流保护的目的。相较于相关技术中采用运放器或比较器设计保护电路的方式，大大减少了电路成本，最终有效解决了集成电路研发成本过高的问题。
电流输出限流保护电路

[实用新型]一种射频开关电路和电路基板-CN202221482488.2有效
发明人：冯昊;李小勇 -专利权人：苏州瀚宸科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种射频开关电路和电路基板，射频开关电路包括至少一组相邻布置的第一射频通路和第二射频通路，其中，第一射频通路中的一个或多个第一晶体管会与第二射频通路中的一个或多第二晶体管形成寄生电容晶体管组，寄生电容晶体管组中的第一晶体管与第二晶体管具有对应的映射关系，寄生电容晶体管组中各个第一晶体管与其具有对应的映射关系的第二晶体管之间的距离，按照第一晶体管的序号从小到大的顺序呈递增趋势；由此，本实用新型在不增大版图面积的情况下，能够显著减小各个第一晶体管与其具有对应的映射关系的第二晶体管之间的寄生电容，从而降低射频开关电路中不同射频通路之间的寄生电容。
一种射频开关电路路基

[发明专利]可变换输出形式的晶体管安全输出电路-CN201511004050.8在审
发明人：王学军;韩长伟;邵光存;姜新军;邵学涛 -专利权人：济宁科力光电产业有限责任公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：一种可变换输出形式的晶体管安全输出电路，采用独立的隔离悬浮晶体管偏置电路给输出晶体管偏置，使晶体管的偏置和输出部分不直接关联，晶体管的输出形式不会影响偏置电路。晶体管串联时，两个晶体管都能达到充分饱和导通。电路分别引出两路输出晶体管的源极和漏极，根据具体应用类型，输出的形式可以组合变换成双NPN型、双PNP型、串联PNP型、串联NPN型和双极型输出。
变换输出形式晶体管安全电路

[发明专利]利用功率管布线寄生电阻实现电流检测的方法-CN201110029915.1有效
发明人：谭在超;吴霖;朱勤为;胡斌;杨佳;张金萍 -专利权人：无锡硅动力微电子股份有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G01R19/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用功率管布线寄生电阻实现电流检测的方法，其包括如下步骤：a、提供M个相并联布置的晶体管；b、相邻晶体管相对应的连接端通过金属互联；相邻晶体管的互连金属形成寄生电阻Rpara，并使寄生电阻Rpara的金属长度为L，宽度为W及方块电阻为Rsquare；c、在上述通过寄生电阻Rpara并联成整体的功率管内，选择N个晶体管作为电流采样晶体管；d、通过晶体管与寄生电阻Rpara间的电流与电压关系，计算出N个晶体管间寄生电阻的等效电阻Requal，para；e、对上述N个晶体管间的电压值Vtotal进行采样，通过上述N个晶体管间的电压值Vtotal与N个晶体管间的等效电阻Requal，para间的关系
利用功率管布线寄生电阻实现电流检测方法

[实用新型]移动终端及快速充电电路-CN201720294420.4有效
发明人：王迅;车宁宁 -专利权人：上海青橙实业有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：所述快速充电电路包括双极结型晶体管和N型金属氧化物半导体晶体管；所述双极结型晶体管与所述N型金属氧化物半导体晶体管并联；所述双极结型晶体管包括集电极、发射极以及基极；所述N型金属氧化物半导体晶体管包括漏极和栅极；本实用新型通过并联双极结型晶体管PNP的方法将电流和热量分担到各个PNP管，增强过流能力，即增大充电电流节省充电时间，并均衡发热量，实现快速充电。
移动终端快速充电电路

[发明专利]晶体管寄生电容测试模组、装置及方法-CN202210724562.5在审
发明人：曹成伟;季祥海 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供一种晶体管寄生电容测试模组、装置及方法，该晶体管寄生电容测试模组包括：第一模块和第二模块；第一模块和第二模块均包括待测试晶体管与第一晶体管；待测试晶体管与对应的第一晶体管共用体区以及第一电极，第一电极为漏极或源极；与第一模块不同的是，第二模块中的第一电极对应的端口中的接触孔被去除；第一模块用于确定待测试晶体管的栅极端口电容；第二模块用于确定待测试晶体管的金属层寄生电容和/或接触孔寄生电容；其中通过仅去除晶体管接触孔的方式，实现寄生电容的测量，提高了寄生电容测量的准确度。
晶体管寄生电容测试模组装置方法

[发明专利]高精度四象限源载装置-CN202011341307.X在审
发明人：石亚昆;赵佳鹤;牛光辉 -专利权人：北京大华无线电仪器有限责任公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度四象限源载装置，包括由一只NPN型双极晶体管与一只PNP型双极晶体管组成的功放对管，两只双极晶体管使用相同的控制基线。控制基线连接有三级放大电路，使用NPN型晶体管2SC1845和PNP型晶体管2SA992作为第一级功率放大电路，使用NPN型晶体管2SC4027和PNP型晶体管2SA1552作为第二和第三级功率放大电路，使用两只1n4148二极管作为主控制信号的调制二极管。实现了双向的电压与电流输出，并实现了输出功率与吸收功率合一的四象限工作模式；采用二极管的控制调制方案对功率控制管进行控制，实现了连续过零输出；采用软开关控制的方案，实现了装置的可靠与安全。
高精度象限装置

[实用新型]高精度四象限源载装置-CN202022765499.9有效
发明人：石亚昆;赵佳鹤;牛光辉 -专利权人：北京大华无线电仪器有限责任公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高精度四象限源载装置，包括由一只NPN型双极晶体管与一只PNP型双极晶体管组成的功放对管，两只双极晶体管使用相同的控制基线。控制基线连接有三级放大电路，使用NPN型晶体管2SC1845和PNP型晶体管2SA992作为第一级功率放大电路，使用NPN型晶体管2SC4027和PNP型晶体管2SA1552作为第二和第三级功率放大电路，使用两只1n4148二极管作为主控制信号的调制二极管。实现了双向的电压与电流输出，并实现了输出功率与吸收功率合一的四象限工作模式；采用二极管的控制调制方案对功率控制管进行控制，实现了连续过零输出；采用软开关控制的方案，实现了装置的可靠与安全。
高精度象限装置

[发明专利]频宽可选直放站及其控制方法-CN201410770949.X在审
发明人：许汉铭 -专利权人：佳律通信设备（上海）有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H04B7/155 文献下载
摘要：本发明频带可选的直放站及其控制方法，所述直放站是在上行链路和下行链路均设置有用于频带选择的IF模块，该模块有：放大器(SGA-4463)、中频声表面滤波器、NPN晶体管、PIN管、D/A转换器、NPN晶体管和PNP晶体管组成，调整D/A转换器的输出高低电平，把NPN晶体管和PNP晶体管组成的电源开关电路选通和关断，从而实现了通道的选择。
频宽可选直放站及其控制方法

[发明专利]限流电路-CN201210346205.6无效
发明人：余力;吴勇;桑园 -专利权人：郑州单点科技软件有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种限流电路，包括电压源（VDD）、输入端（IN）和输出端（OUT），所述电压源（VDD）与第一PNP晶体管（P1）的源极和第二PNP晶体管（P2）的源极连接，以及通过电阻（R1）连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极和NMOS晶体管（N1）的漏极；所述输入端（IN）连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第二PMOS晶体管（P2）的栅极；第二PMOS晶体管（P2）与NMOS晶体管（N1）的栅极，并通过恒流源（I1）连接至输出端（OUT）；所述NPN晶体管（N1）的源极连接至输出端（OUT）。
限流电路