专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电力零件注塑成型装置-CN202310536096.2在审
  • 孔琳;单毅;张琳;杨军;尚家辉;王鹏飞 - 国网山东省电力公司东平县供电公司;国网山东省电力公司泰安供电公司
  • 2023-05-12 - 2023-09-19 - B29C45/18
  • 本发明属于注塑成型装置技术领域,具体公开了一种电力零件注塑成型装置,包括底板,底板的顶面位于一侧固定有支撑杆,底板的顶面位于另一侧固定有固定块,支撑杆的上端与输送管固定,固定块的上端与收纳管固定,输送管与收纳管固定连接,输送管的外壁固定有加热结构,收纳管上固定有给料斗,给料斗与收纳管之间固定有L杆,输送管和收纳管的内部固定有传输结构,输送管背离收纳管的一端固定有成型模具。本发明在实际使用时,使用者预先将零件的原料放置在给料斗的内部,此时零件的原料能够通过给料斗对管体的内部传递,当电机带动螺杆转动时,能够实现螺杆配合研磨齿对零件的原料研磨,能够便于后续零件的原料融化,可以提高零件的合格率。
  • 一种电力零件注塑成型装置
  • [发明专利]一种渗透仪-CN202310327457.2在审
  • 单毅;李亚东;杨克政;崔杰;王一兆;陈柏林 - 广州大学
  • 2023-03-29 - 2023-09-15 - G01N15/08
  • 本发明涉及砂土或软土细颗粒流失技术领域,尤其是涉及一种渗透仪。渗透仪包括供水系统和舱室,供水系统包括蓄水池和加压装置,加压装置与蓄水池连接并为蓄水池内的渗透液进行加压;蓄水池的出液口与舱室的进液口连接。通过对渗透液进行加压,能够模拟出高埋深工况下的水压。解决了现有技术中不能给渗流液加压,压力只能由水头差来提供导致的渗透仪局限性大的问题。
  • 一种渗透
  • [实用新型]一种智能台区线损核查装置-CN202320706760.9有效
  • 单毅;李国钢;刘琰;苍久蛟;司南楠;张晓娜;鲍亚英;张向忠;郭友;程东卓;时春龙 - 辽宁双宜电力电子有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-08-04 - H04N7/18
  • 本实用新型公开了一种智能台区线损核查装置,包括:主控制器、摄像一体机;所述摄像一体机通过连接件与主控制器连接;所述主控制器底部还设有外接件;所述主控器与摄像一体机电性信号连接,并将从摄像一体机接收到的信号传至移动端。本实用新型通过利用智能台区线损核查装置台区考核表、集中器和用户计量表铭牌信息,以及通过安装在装置摄像头侧的条码扫描装置和摄照一体机,完成计量表条码扫描、铭牌拍照、变压器铭牌采录,利用智能台区核查装置前端的红外探头,实现电能表数据抄读功能,能够及时发现计量表倍率错误和开盖情况,完成对核查清单内用户计量信息的核查,通过控制器实现远程信息传输,可远程实时检测。
  • 一种智能台区线损核查装置
  • [发明专利]基于晶闸管的静电保护单元及其并联结构-CN202010658676.5有效
  • 单毅;董业民 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-07-09 - 2023-08-01 - H01L27/02
  • 本发明提供一种基于晶闸管的静电保护单元及其并联结构,该静电保护单元包括:晶闸管及NMOS管;晶闸管包括:形成于N阱中的寄生PNP管、形成于P阱中的寄生NPN管,N阱及P阱相邻,寄生NPN管的集电极/基极形成的反向PN结为低反向击穿电压的反向PN结;寄生PNP管的发射极连接至阳极,基极通过N阱的寄生电阻连接至阳极;集电极连接至NPN管的基极,并通过P阱的寄生电阻连接至阴极;寄生NPN管的发射极连接至阴极,集电极通过N阱的寄生电阻连接至阳极;NMOS管形成于寄生NPN管一侧的P阱中,源极连接至阴极,漏极连接至阳极。本发明通过在晶闸管的寄生NPN管所在的P阱内增加NMOS管,在满足具有较低的触发电压及足够的电流能力的同时,有效解决了闩锁问题。
  • 基于晶闸管静电保护单元及其并联结构
  • [发明专利]高速小信号放大电路-CN202210061728.X在审
  • 姜玉洁;龚正辉;陈晓杰;单毅;董业民 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2022-01-19 - 2023-07-28 - H03F3/45
  • 本发明提供一种高速小信号放大电路,包括:差分放大模块包括至少一级依次级联的差分放大器;单端放大模块包括至少一级依次级联的单端放大器;差分放大模块对差分输入信号进行预放大;第一PMOS管的源极接电源电压,栅极接偏置电压,漏极连接第一NMOS管的漏极;第一NMOS管的栅极连接差分放大模块的输出端,源极接地;第一电容连接于第一PMOS管的漏极和单端放大模块的输入端之间;单端放大模块对第一电容输出的信号进行放大。本发明的高速小信号放大电路可将超导SFQ输出的高速小信号在极低温环境下放大至1.2V,具有将低温超导信号与后续CMOS电路进行放大连接的作用,并能实现吉赫信号的放大与传输。
  • 高速信号放大电路
  • [发明专利]一种静电保护结构及静电保护电路-CN201910773021.X有效
  • 单毅;董业民;陈晓杰 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2019-08-21 - 2023-07-25 - H01L27/02
  • 本申请提供一种静电保护结构,包括:埋氧层、电阻和设置于埋氧层上的场效应晶体管和二极管组件,其中,场效应晶体管包括第一注入区、第一阱区、第二注入区、第二阱区和第三注入区,第一阱区与第二阱区均为低压阱区;第一阱区与第二阱区远离埋氧层的一面均设有绝缘层,第一阱区的绝缘层与第二阱区的绝缘层跨接引出栅极端,栅极端为高压栅极端;第一注入区与第三注入区跨接引出源极端,源极端接地;第二注入区引出漏极端;电阻的第一端与栅极端连接,电阻的第二端接地,二极管组件与场效应晶体管连接。基于本申请实施例,通过在场效应晶体管的栅极串接电阻,与漏极‑栅极间寄生的耦合电容形成电容耦合效应,提高场效应晶体管的导通均匀性。
  • 一种静电保护结构电路

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