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[发明专利]高频放大器-CN00817061.4无效
发明人：森一富;新庄真太郎;上马弘敬;高桥贵纪;池田幸夫;高木直 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-10-12 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：在电阻13、14与NPN双极型晶体管12之间具备PNP双极型晶体管21、22，该PNP双极型晶体管21、22将NPN双极型晶体管12的集电极电流定为基准电流，而且构成决定NPN双极型晶体管11的集电极电流的电流镜象根据这一点，通过将PNP双极型晶体管21、22的尺寸比设计成使电压降ΔVb成为接近于0的值，在高频输入信号Pin增加且发生了基极整流电流时，可抑制基极电压Vb的电压降ΔVb，作为结果，可得到高输出、高效率
高频放大器

[发明专利]一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅-CN201110110433.9无效
发明人：董树荣;吴健;苗萌;范鸿燕 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅，由在P衬底上设置的N阱电阻、P阱及P衬底电阻、反向二极管、第一双极型晶体管PNP和第二双极型晶体管NPN构成，所述的反向二极管由N+有源注入区和P阱构成，所述的第一双极型晶体管PNP由P+有源注入区、N阱及P衬底构成，所述的第二双极型晶体管NPN由第二N阱、P衬底和第一N阱构成；所述的P阱上内嵌了第一N阱，并在P阱内增加了第一N+有源注入区。本发明利用反向二极管结构和寄生的阱、衬底电阻结构形成电压钳位，实现ESD脉冲的快速响应与防护结构的预开启，实现了低电压触发以及维持电压可调的静电防护结构。
一种用于静电防护反向二极管触发可控硅

[发明专利]一种CMOS型低压差电压调整器集成电路的制造方法-CN200610095249.0无效
发明人：刘勇;刘玉奎;何开全;谭开洲;高峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：技术方案的要点是在常规CMOS工艺的基础上，集成MOS晶体管、N型沟道JFET晶体管以及NPN型晶体管和PNP型晶体管等4部分。其中，MOS晶体管采用了LDD(轻掺杂漏区)结构，提供电路工作电压范围；N型沟道JFET晶体管作为基准电路启动所用；PNP型晶体管作为输出调整管，通过增加P型埋层来降低集电极串联电阻，以保证低压差电路极低的输出电压差；集成内部放大器、基准电路和输出电路所需的NPN型晶体管和PNP型晶体管。
一种 cmos 低压电压调整器集成电路制造方法

[实用新型]一种变频器制动晶体管的故障检测电路-CN201320015428.4有效
发明人：翁连益;陈国军;杨清瑞;杨玉圣 -专利权人：泉州市桑川电气设备有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：一种变频器制动晶体管的故障检测电路，包括有整流二极管、PNP型三极管及NPN型数字晶体管；整流二极管的阴极连接制动晶体管的集电极，整流二极管的阳极接PNP型三极管的基极，整流二极管的阳极和PNP型三极管的发射极间接有第一电阻器，PNP型三极管的发射极接第一电源端子；PNP型三极管的集电极接NPN型数字晶体管的基极，NPN型数字晶体管的发射极接地，NPN型数字晶体管的集电极分出两支路，一支路通过第一电阻连接至第二电源端子，另一支路接能够快速判定制动晶体管是否发生短路或破损，并及时作出制动及报警等操作，具有保护器件、减少经济损失优点。
一种变频器制动晶体管故障检测电路

[其他]半导体器件-CN101985000008134在审
发明人：植木善夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-11-02 - 公布日： 1989-07-19 - 主分类号：文献下载
摘要：具有ｎｐｎ和ｐｎｐ晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一ｎ型外延层上形成ｎｐｎ晶体管，以及在ｎ型外延层上所形成的－ｎ型半导体区域内形成ｐｎｐ晶体管，ｎ型半导体区域具有一高于ｎ型外延层的杂质浓度即使ｎ型外延层的厚度被减小，仍可以防止ｐｎｐ晶体管的穿通现象，因此得到一高速半导体器件。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN85108134.7无效
发明人：植木善夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-11-02 - 公布日： 1989-07-19 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：具有npn和pnp晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一n型外延层上形成npn晶体管，以及在n型外延层上所形成的-n型半导体区域内形成pnp晶体管，n型半导体区域具有一高于n型外延层的杂质浓度即使n型外延层的厚度被减小，仍可以防止pnp晶体管的穿通现象，因此得到一高速半导体器件。
半导体器件

[发明专利]光半导体集成电路装置及其制造方法-CN03101924.2无效
发明人：高桥强;大古田敏幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-01-23 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：在具有纵向PNP晶体管和光电二极管的现有的光半导体集成电路装置中，因为同一衬底上形成特性不同的两个元件，所以很难同时提高两者的特性。在本发明的具有纵向PNP晶体管(21)和光电二极管(22)的光半导体集成电路装置中，通过非掺杂层叠了第一和第二外延层(24)、(25)。因此，在光电二极管中，能大幅度增加耗尽层形成区域，能实现高速响应。而在纵向PNP(21)晶体管中，用N+型的扩散区域(38)包围了晶体管(21)的形成区域。因此，能大幅度提高纵向PNP晶体管(21)的耐压性。
半导体集成电路装置及其制造方法

[实用新型]激光指示器保护电路装置-CN97227949.0无效
发明人：陈弘彬 -专利权人：陈弘彬
申请日： 1997-09-25 - 公布日： 1999-06-23 - 主分类号： H01S3/13 文献下载
摘要：一种激光指示器保护电路装置,包括激光指示器,设有保护电路,由PNP与NPN晶体管构成电流放大电路,PNP晶体管射极经保护电阻与正电源连接,集极连接至NPN晶体管基极,PNP晶体管基极经另一保护电阻及可变电阻连接负电源,NPN晶体管集极经激光发光二极管连接正电源。直流电源经电流放大电路驱动激光发光二极管产生激光,可变电阻调整晶体管基极电流大小,保护电阻防止电流过高,电源输入端设有二极管,可避免电源极性反向造成激光发光二极管损坏。
激光指示器保护电路装置

[发明专利]一种采用数字开关控制的低噪声带隙基准电压电路-CN200910050628.1无效
发明人：邹亮;唐长文 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：该电路设置一组数字开关控制PNP晶体管阵列，由数字信号控制PNP管选通，以改变输出参考电压值，PNP管阵列两端，分别连接至POLY电阻中的R1和地之间。所述开关控制PNP晶体管阵列，其选通个数，由一个译码器进行编码，译码器的输入端由数字信号控制。所述PNP晶体管阵列中的PNP管子数量大于100。本发明的优点在于，由于采用数字信号控制PNP晶体管的选通，从而得到精确的可控制的输出参考电压，而不需要Trimming。并实现低噪声。
一种采用数字开关控制噪声基准电压电路

[发明专利]垂直PNP晶体管及其制造方法-CN200610101301.9有效
发明人： B·T·弗格利;P·B·格雷 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件结构，该结构位于半导体衬底中并且包括高性能垂直NPN和PNP晶体管。具体地说，垂直PNP晶体管具有发射极区域，并且垂直NPN晶体管具有本征基极区域。垂直PNP晶体管的发射极区域和垂直NPN晶体管的本征基极区域位于单个含硅锗层中，并且它们都包括单晶硅锗。
垂直 pnp 晶体管及其制造方法

[实用新型]片上集成温度传感器电路-CN201520532347.0有效
发明人：张剑云 -专利权人：苏州市灵矽微系统有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种片上集成温度传感器电路，其基于寄生双极晶体管，内置了一个12位的∑-ΔADC，8倍的可编程增益放大器，嵌入了带隙电压参考源，以及1位偏移DAC和数字后端处理器。利用标准CMOS工艺中的衬底PNP晶体管作为其主要的温度感应件，以及采用全温范围内的两点校准技术消除温度器件的非线性，从而实现了9微瓦功耗和±0.4℃温度精度的片上集成温度传感器电路。本实用新型利用标准CMOS工艺中的衬底PNP晶体管作为温度感应件，以及采用全温范围内的两点校准技术消除温度器件的非线性，从而实现低功耗高精度的片上集成温度传感器电路，满足测量精度(±0.5℃)和低功耗要求
集成温度传感器电路

[发明专利]包括至少一个双极结晶体管的叉片半导体结构和方法-CN202310143631.8在审
发明人：马乐言;亚历山大·德里克森 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及包括至少一个双极结晶体管的叉片半导体结构和方法。公开了叉片半导体结构和形成该结构的方法。该结构可以包括具有第一侧壁和与第一侧壁相反的第二侧壁的电介质主体。该结构可以包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括横向紧邻电介质主体的第一侧壁定位的一个或多个第一半导体纳米片，第二晶体管包括横向紧邻第二侧壁定位的一个或多个第二半导体纳米片。第一晶体管和第二晶体管可以都是双极结晶体管(BJT)(例如，PNP型BJT、NPN型BJT、或者PNP型BJT和NPN型BJT)。或者，第一晶体管可以是BJT(例如，PNP型BJT或NPN型BJT)，并且第二晶体管可以是场效应晶体管(FET)(例如，N型FET(NFET)或P型FET(PFET))。
包括至少一个结晶体半导体结构方法

[发明专利]一种基于可控硅的静电放电保护电路-CN201410638547.4有效
发明人：王源;郭海兵;陆光易;张立忠;贾嵩;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该ESD保护电路包括泄放器件可控硅，以及PMOS晶体管M_P；其中，所述PMOS晶体管M_P的源极与正向偏置的二极管D₂的n端相连，所述PMOS晶体管M_P的漏极接地，所述PMOS晶体管M_P的栅极与电源管脚V_DD相连；其中，二极管D₁、所述可控硅的寄生三极管Q_pnp的发射极-基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻R_n、所述二极管D₂以及所述PMOS晶体管M_P构成所述直流触发模块
一种基于可控硅静电放电保护电路

[发明专利]一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管-CN90109971.6无效
发明人：李镐真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1990-12-15 - 公布日： 1993-03-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种利用NPN晶体管的锁闩电压的横向PNP晶体管，用NPN晶体管的集电极和发射极之间的锁闩电压替代PNP晶体管的击穿电压，其中在P型扩散层内部形成一个n+型扩散层并作为公共端，因此在静电放电路径提高了静电耐压能力
一种利用 npn 晶体管电压横向 pnp

[发明专利]静电放电保护电路-CN02156656.9有效
发明人：郑志男 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-17 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护电路，其利用寄生双极界面晶体管的击穿特性而与高压元件制作工艺兼容，本发明的设计利用寄生NPN或PNP双极性结构的双极性击穿特性的优点来回避静电放电电流，因而增加静电放电程度。此外，本发明的静电放电保护电路可去除特定公知的二极管结构而大幅减低静电放电胞面积。
静电放电保护电路