“偏压”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14515个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]数据驱动器和驱动数据驱动器的方法-CN201510496365.2有效
发明人：朴修亨;郑昊勇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：该数据驱动器包括缓冲器、偏压电路和偏压信号生成器。缓冲器分别输出对应于像素图像数据的数据电压。偏压电路生成彼此独立的偏压电流，并施加偏压电流到相应的一个缓冲器。偏压信号生成器生成多个偏压信号。偏压电路的每一个包括选择器和偏压电流生成器。选择器基于对应像素图像数据选择偏压信号中的一个偏压信号，并输出所选择的偏压信号为最终偏压信号。偏压电流生成器基于最终偏压信号生成偏压电流中的对应偏压电流。
数据驱动器驱动方法

[发明专利]半导体开关-CN201310253316.7在审
发明人：王柏之 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：一种半导体开关，包含一开关单元，其包含：一晶体管，具有一漏极、一栅极以及一源极；一漏极偏压电阻，耦接漏极；一漏极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接漏极偏压电阻与一第一漏极偏压，于晶体管不导通时耦接漏极偏压电阻与一第二漏极偏压；一栅极偏压电阻，耦接栅极；一栅极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接栅极偏压电阻与一第一栅极偏压，于晶体管不导通时耦接栅极偏压电阻与一第二栅极偏压；一源极偏压电阻，耦接源极；以及一源极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接源极偏压电阻与一第一源极偏压，于晶体管不导通时耦接源极偏压电阻与一第二源极偏压，其中第一与第二漏极偏压不同，第一与第二栅极偏压不同，第一与第二源极偏压不同。
半导体开关

[发明专利]半导体开关-CN201911267096.7在审
发明人：闻林 -专利权人：闻林
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体开关，包含一开关单元，其包含：一晶体管，具有一漏极、一栅极以及一源极；一漏极偏压电阻，耦接漏极；一漏极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接漏极偏压电阻与一第一漏极偏压，于晶体管不导通时耦接漏极偏压电阻与一第二漏极偏压；一栅极偏压电阻，耦接栅极；一栅极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接栅极偏压电阻与一第一栅极偏压，于晶体管不导通时耦接栅极偏压电阻与一第二栅极偏压；一源极偏压电阻，耦接源极；以及一源极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接源极偏压电阻与一第一源极偏压，于晶体管不导通时耦接源极偏压电阻与一第二源极偏压，其中第一与第二漏极偏压不同，第一与第二栅极偏压不同，第一与第二源极偏压不同。
半导体开关

[发明专利]零偏压式功率检测器-CN201010296497.8有效
发明人：黄俊谚;粘金重;唐震寰;李振铭;张理渊;游雅仲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：一种零偏压式功率检测器。零偏压式功率检测器包括零偏压二极管及输出提升电路，且输出提升电路包括零偏压晶体管。零偏压二极管不被施加偏压并根据无线讯号输出整流讯号。零偏压晶体管不被施加偏压并耦接至零偏压二极管，零偏压晶体管用以提升整流讯号。
偏压功率检测器

[发明专利]一种偏压调制方法、偏压调制系统和等离子体处理设备-CN201710486330.X有效
发明人：苏恒毅;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种偏压调制方法、偏压调制系统和等离子体处理设备。该偏压调制方法将偏压射频源产生的偏压功率加载于承载待加工工件的基座上，以使放置于基座上的待加工工件的表面产生负偏压，在偏压功率加载期间，偏压射频源产生的电压由初始电压增加至目标电压，以补偿待加工工件表面损失的负偏压，从而使待加工工件表面的负偏压在偏压功率加载期间保持预设的范围。本发明还公开了一种偏压调制系统。本发明公开的等离子体处理设备包括本发明的偏压调制系统。本发明的偏压调制方法、偏压调制系统和等离子体处理设备均能使待加工工件表面的负偏压保持在预设范围，从而使待加工工件的工艺速率(如刻蚀速率或沉积速率)保持在预设范围。
一种偏压调制方法系统等离子体处理设备

[发明专利]一种适用于超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置-CN201110141331.3有效
发明人：许海鹰;左从进;邱灵;郭光耀;王永锋 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：本发明是一种适用于超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置，它是由降压整流滤波电路、峰值偏压产生电路、基值偏压产生电路、峰值脉冲偏压切换电路、基值脉冲偏压切换电路组成，峰值偏压产生电路产生的峰值偏压Up在峰值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q5开通，基值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q6关断时，峰值脉冲偏压Upp作用在电子枪的栅极，获得峰值脉冲束流Ipp，基值偏压产生电路产生的基值偏压Ub在峰值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q5关断，基值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q6开通时，基值脉冲偏压Ubp作用在电子枪的栅极，获得基值脉冲束流Ibp。本发明超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置可以实现脉冲偏压频率≥20kHz，相应的使脉冲束流的频率≥20kHz。
一种适用于音频脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备-CN202110849800.0有效
发明人：张超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备，该装置包括正偏压调节单元、负偏压调节单元和抗干扰单元，其中，正偏压调节单元的第一端接地，正偏压调节单元的第二端与基座电连接，用于调节基座的偏压，且能够使基座产生正偏压；负偏压调节单元的第一端接地，负偏压调节单元的第二端与基座电连接，用于调节基座的偏压，且能够使基座产生负偏压；抗干扰单元连接在负偏压调节单元与基座之间的电路上，用于抑制正偏压调节单元与基座之间的电路中的电流流入负偏压调节单元与基座之间的电路中本发明提供的基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备的技术方案，可以满足不同工艺需求，从而扩大了工艺窗口。
基座偏压调节装置方法半导体工艺设备

[发明专利]射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备-CN201911057312.5有效
发明人：赵晓丽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：本发明提供一种射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备，该方法包括以下步骤：S1，获取预先设置的最大射频偏压值和与之对应的上射频电源与偏压射频电源输出射频波形的初始的相位差；S2，使偏压射频电源基于最大射频偏压值和初始的相位差输出射频偏压；S3，使相位差增加第一预设调整量；S4，获取偏压射频电源的射频偏压值，将该射频偏压值与最大射频偏压值进行比较；若该射频偏压值大于最大射频偏压值，则进行步骤S5；若该射频偏压值等于最大射频偏压值，则进行步骤S6；S5，使最大偏压值等于该射频偏压值，返回步骤S3；S6，保持相位差不变。
射频偏压调节方法装置等离子体刻蚀设备

[发明专利]等离子体刻蚀设备及刻蚀方法-CN201811061619.8在审
发明人：卫晶;韦刚;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括等离子体发生装置、用于承载晶片基座和用于为基座供电的偏压电源，其中，所述偏压电源能够周期性地输出电压，所述偏压电源的每个输出周期都包括正偏压输出阶段和负偏压输出阶段，所述偏压电源能够在所述正偏压阶段输出电压值恒定的正偏压，所述偏压电源能够在所述负偏压阶段输出电压值恒定的负偏压。
等离子体刻蚀设备方法

[发明专利]电压可变型薄膜沉积方法及其设备-CN200780101053.0无效
发明人：裵相烈 -专利权人：艾细饰株式会社
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：该电压可变型薄膜沉积方法包括：施加偏压，同时在用户设置的时间段内连续变化该偏压的大小，以确定是否使用预设的偏压值；如果确定使用该预设的偏压值，作为该确定的结果，基于预设的偏压值沉积薄膜，而如果确定使用新的偏压值，则设置新的偏压值；当设置了新的偏压值时，选择是从低偏压还是从高偏压施加电压；当选择了起始电压时，选择偏压的增加/减少斜率类型；以及当选择了电压斜率时，开始沉积薄膜。
电压变型薄膜沉积方法及其设备

[发明专利]触片式光纤连接器-CN02816889.5无效
发明人：塞佩赫·基亚尼;理查德·F·罗思 -专利权人：泰拉丁公司
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：触片包括可伸缩护罩、容纳可伸缩护罩的主体、和至少一个偏压件。在优选实施例中，偏压件包括第一偏压件、第二偏压件和第三偏压件。第一偏压件能够偏压以使得插芯的对准销打开可伸缩护罩的门。第二偏压件能够偏压以使得可伸缩护罩容纳在主体内。第三偏压件能够偏压以使得可伸缩护罩和主体适应可变拭接长度。
触片式光纤连接器

[发明专利]半导体装置、传感器终端以及半导体装置控制方法-CN201811492887.5在审
发明人：松平将治;长谷卓;田边昭;上嶋和也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：半导体装置包括：被施加有衬底偏压的偏压施加部；用于检测温度的温度传感器；以及用于向偏压施加部施加与由温度传感器检测到的温度相对应的衬底偏压的衬底偏压生成器。偏压施加部在由衬底偏压生成器施加衬底偏压时，偏压施加部在操作状态与停止状态之间变换。衬底偏压生成器向偏压施加部施加被配置成在所述温度传感器检测到的温度的条件下、不使用于偏压施加部的操作频率的上限小于预定值的衬底偏压。
衬底偏压偏压施加部半导体装置生成器施加半导体装置控制温度传感器检测传感器终端操作状态预定操作频率温度传感器操作频率停止状态检测配置

[发明专利]车辆座椅-CN201410505289.2有效
发明人：荒川祐次;林直树 -专利权人：丰田纺织株式会社;白木工业株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： B60N2/08 文献下载
摘要：滑动锁定机构(70)包括锁定部件和操作部件(90)；锁定部件包括第一偏压部件，该第一偏压部件以弹性偏压方式维持锁定部件的滑动锁定状态；操作部件(90)包括第二偏压部件，该第二偏压部件用于将操作部件(90)偏压到初始位置，在初始位置中，操作部件(90)的操作未开始；第一偏压部件的偏压力被设定成大于第二偏压部件的偏压力；并且在初始位置和操作位置之间为操作部件(90)设定间隙，在操作位置中，克服第一偏压部件和第二偏压部件的偏压力将释放控制力施加到操作部件
车辆座椅

[实用新型]物品弹出结构-CN201922230906.3有效
发明人： A·A·普鲁赞斯基;D·L·麦克唐纳;T·W·王 -专利权人：斯平玛斯特有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： A63H33/00 文献下载
摘要：公开了一种物品弹出结构，其具有壳体和第一偏压构件，第一偏压构件定位在壳体中并具有第一偏压力，该第一偏压力将第一偏压构件朝向第一中立位置偏压以驱动破壳结构使壳体破裂。当释放构件处于锁定状态时，释放构件约束第一偏压构件朝向第一中立位置移动，并且该释放构件能够调节至释放状态，在释放状态，释放构件至少部分地释放第一偏压构件以朝向第一中立位置移动并驱动弹出结构使壳体破裂。第二偏压构件定位在壳体中，该第二偏压构件具有第二偏压力，该第二偏压力将第二偏压构件朝向第二中立位置偏压，以在壳体破裂时将定位在壳体中的物品驱动出壳体。
物品弹出结构

[发明专利]冲压空气涡轮偏压组件-CN201310101450.5有效
发明人： D.E.拉斯 -专利权人：哈米尔顿森德斯特兰德公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： F01D25/28 文献下载
摘要：本发明公开了冲压空气涡轮偏压组件。示例的冲压空气涡轮偏压组件包括保持偏压构件的支撑构件。偏压构件偏压冲压空气涡轮的部件。支撑构件包括限制部件朝偏压构件移动的台阶。
冲压空气涡轮偏压组件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 14515 条