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[发明专利]高性能垂直PNP晶体管及其制法-CN200310116326.2有效
发明人：彼得·B·格雷;杰弗里·B·约翰逊 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能垂直PNP晶体管及其制法。所得的高性能垂直PNP晶体管包括发射极区，发射极区包括硅和锗，并且其PNP发射极与NPN晶体管的基极共享一层硅单层。所得的结构明显增强了PNP器件性能。
性能垂直 pnp 晶体管及其制法

[发明专利]电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器-CN02126226.8无效
发明人：赖良维;金雅琴 -专利权人：双汉科技股份有限公司
申请日： 2002-07-16 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器具有第一至第三晶体管以及感测装置。其中第一晶体管栅极端以及第一连接端耦接于最高电压。第二晶体管栅极端与第一晶体管第二连接端耦接于一节点，且第二晶体管第一连接端耦接最高电压。第三晶体管栅极端耦接列选择信号，且第三晶体管第一连接端耦接第二晶体管第二连接端，此外，第三晶体管第二连接端为一电压输出端。感测装置中PMOS晶体管第一连接端耦接此节点，且此PMOS晶体管第二连接端耦接地，其栅极端耦接电压控制信号，而其中的横向PNP双载子接面晶体管发射极连接端耦接此节点，且此横向PNP双载子接面晶体管集电极连接端耦接地，此横向PNP双载子接面晶体管的基极浮置。
电流放大对数互补半导体影像传感器

[实用新型]快速数字电平转换电路-CN201520874550.6有效
发明人：王威 -专利权人：上海耀华称重系统有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种快速数字电平转换电路，包括PNP型晶体管Q1、电阻R1、电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、滤波电容C2、信号输出端以及信号输入端；其中，PNP型晶体管Q1的基极通过电阻R1连接信号输出端；PNP型晶体管Q1的发射极连接电源端；PNP型晶体管Q1的集电极一方面通过电阻R2接地，另一方面通过分压电阻R3连接信号输入端；分压电阻R4的一端连接信号输入端，另一端接地；滤波电容C2的一端连接信号输入端本实用新型的输出频率仅与负载电容的充电速度与PNP型晶体管本身的响应频率，普通晶体管响应频率约10MHz，选用普通晶体管即可达到1MHz输出频率，从而极大的降低了成本。
快速数字电平转换电路

[发明专利]用于半导体开关的保护电路-CN202080022317.9在审
发明人：诺伯特·斯塔德特 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：保护电路(9)包括钳位二极管(D2)、npn双极型晶体管(Q4)、pnp双极型晶体管(Q3)、电容器(C1)和至少三个电阻(R2，R4，R5)。双极型晶体管(Q3，Q4)电路连接为晶闸管结构，晶闸管结构与钳位二极管(D2)的阴极连接。第一电阻(R5)与npn双极型晶体管(Q4)的基极发射极区并联连接。第二电阻(R2)的第一极与pnp双极型晶体管(Q3)的基极连接。电容器(C1)与pnp双极型晶体管(Q3)的基极发射极区并联连接。第三电阻(R4)与pnp双极型晶体管(Q3)的基极发射极区并联连接，或者第三电阻(R4)的第一极(R4_1)与pnp双极型晶体管(Q3)的发射极连接并且第三电阻(R4)的第二极(R4_2)与第二电阻(R2
用于半导体开关保护电路

[实用新型]硅PNP型高频小功率晶体管-CN201020676224.1有效
发明人：张俊;张顺英 -专利权人：扬州晶新微电子有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：硅PNP型高频小功率晶体管，包括P型衬底硅片(7)，其中，该P型衬底硅片(7)的外表面形成有由三族元素中的任一种元素与金形成的合金复合层。本实用新型的硅PNP型高频小功率晶体管按一定比例将三族元素中的任一种，例如镓掺入纯金替代原来晶体管的背金(即背面金属化)，使得合金复合层达到一定的厚度和金层总量的要求，并对衬底硅片的背面，即外表面形成一定深度的渗入实验证实，本实用新型的硅PNP型高频小功率晶体管有利于成品芯片在封装过程中提高可焊性、降低所述硅PNP高频小功率晶体管的饱和压降、降低饱和压降的变化率，提高晶体管性能参数的稳定性。
pnp 高频功率晶体管

[发明专利]半导体器件-CN200510090959.X有效
发明人：满田刚 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括输出MOS晶体管(M0)、连接在输出MOS晶体管(M0)的栅极(G1)和接地电压(GND)之间的MOS晶体管(M3)、与MOS晶体管(M3)并联并且以MOS晶体管(M3)的衬底端为基极的寄生晶体管(Tr1)，以及用于根据电源电压(Vcc)来控制寄生晶体管(Tr1)的导通状态的寄生晶体管控制电路。
半导体器件

[发明专利]一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管-CN201210248777.0无效
发明人：李泽宏;李巍;张蒙;李长安;张金平;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在其N-漂移区（8）中注入深能级N型杂质。通过深能级杂质随着温度升高，电离度升高，杂质浓度上升这一特性，能有效减小IGBT寄生PNP晶体管αPNP，从而减小IGBT的高温漏电流，进一步减少IGBT的整体功耗；N-漂移区（8）增加的电子浓度和空穴在漂移区加速复合
一种具有能级杂质注入绝缘极性晶体管

[发明专利]一种PNP晶体管、NPN晶体管电极检测识别装置-CN202110074979.7有效
发明人：周爱芳 -专利权人：西安木辛航宇科技电子有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种PNP晶体管、NPN晶体管电极检测识别装置，包括机身，所述机身顶壁内设置有右上两开口的换向腔，所述换向腔左右对称设置有前后延伸的传送轴，所述传送轴外表面固定设置有传送轮，本发明根据晶体管头重力大于电极部分，进而通过两横杆实现晶体管进入设备方向的调整，随后利用四杆插入晶体管电极之间，利用机械手下移的力梳直晶体管电极，方便后续通电找准位置，向晶体管基极提供正电后，通过晶体管是否通电判断是PNP型还是NPN型，进而控制相应字样的印刷板朝下来为晶体管印上对应文字，达到标记晶体管类型的目的，同时通过通断电控制电磁或气缸工作实现将晶体管分拣至不同腔内的目的。
一种 pnp 晶体管 npn 电极检测识别装置

[发明专利]一种自适应电流输出低压差线性稳压器-CN201811548307.X在审
发明人：戴晓龙;赵楠;郭坤;耿士华 -专利权人：山东超越数控电子股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种自适应电流输出低压差线性稳压器，包括：低压差线性稳压器、旁路晶体管和调节电路，所述旁路晶体管与低压差线性稳压器并联；所述旁路晶体管为PNP型晶体管，PNP型晶体管C端连接电源输出端；所述调节电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和二极管，第一电阻一端连接电源输入端另一端连接PNP型晶体管E端；第二电阻一端连接电源输入端另一端连接二极管输入端；二极管输出端分别连接低压差线性稳压器的输入电压VIN端和旁路晶体管的晶体管B端；第三电阻并联在二极管两端。
低压差线性稳压器电阻旁路晶体管一端连接二极管电源输入端电流输出输出电流自适应电路二极管输出连接电源输入电压输出端输入端晶体管并联输出

[发明专利]带有多个外延层的横向PNP双极晶体管-CN201210342210.X无效
发明人：雪克·玛力卡勒强斯瓦密;弗兰茨娃·赫尔伯特 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极晶体管，具体是指利用相同导电类型的多外延层，制备带有深发射极和深集电极区的横向双极晶体管。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极晶体管。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS晶体管的横向PNP双极晶体管，以获得高性能。
带有外延横向 pnp 双极晶体管

[发明专利]用于场效应晶体管放大器的偏压电路-CN98100320.6无效
发明人：山口裕 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-01-09 - 公布日： 1998-10-07 - 主分类号： H03F3/16 文献下载
摘要：在具有源极接地的FETQ的直流偏压电路中,为了不论直流参数作何变化都能维持FET的漏源电压和漏极电流的自动恒定,在FETQ1漏极与栅极之间设置第一PNP晶体管Q2。包括一第二PNP晶体管Q3的偏压电路与第一PNP晶体管Q2的基极相连。晶体管Q2和Q3具有大致一样的特性以致由于晶体管Q2的因温度而引发的发射极—基极电压的变化而造成的漏极电压与漏极电流的变化可以被补偿,从而防止了漏极电流的实质性变化。
用于场效应晶体管放大器偏压电路

[发明专利]具有保护电路的半导体器件-CN200410085864.4无效
发明人：本庄敦;平冈孝之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：其中，所述保护电路具有检测所述静电放电的检测电路、根据所述检测电路的输出产生触发信号的触发电路、具有发射极连接所述半导体器件的第1端子的PNP晶体管和发射极连接所述半导体的第2端子又在集电极连接所述PNP晶体管的基极的NPN晶体管并且由来自所述触发电路的触发信号启动的闸流管部、以及连接在所述PNP晶体管与所述NPN晶体管之间并且根据所述检测电路的输出进行控制的开关元件。
具有保护电路半导体器件

[发明专利]半导体器件和保护电路-CN200710136607.2有效
发明人：高桥幸雄 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在一种输入/输出端子I/O的保护电路中，包括了三种类型的PNP双极性晶体管。在第一PNP型双极性晶体管10A中，其发射极连接到输入/输出端子I/O，其基极连接到高电位电源端子VDD，以及其集电极连接到低电位电源端子VSS。在第二PNP型双极性晶体管10B中，其发射极连接到输入/输出端子I/O，其基极以及集电极连接到高电位电源端子VDD。在第三PNP型双极性晶体管10C中，其发射极连接到低电位电源端子VSS，其基极以及集电极连接到高电位电源端子VDD。
半导体器件保护电路

[实用新型]横向PNP晶体管及采用该种晶体管的马达稳速电路-CN200520112815.5无效
发明人：张炜;王家斌 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种横向PNP晶体管，包括以标准双极工艺的普通横向PNP晶体管为基础，在基极上加入深磷(Deep N+)形成空穴收集保护环结构。本实用新型还提供一种马达稳速电路，包括基准电源、误差放大器和偏置电路，所述误差放大器的输入级采用上述的横向PNP晶体管。采用本实用新型的技术方案，该种横向PNP晶体管的结构避免了触地时出现的门闩效应并能很好地与标准双极工艺兼容，采用本实用新型的马达稳速电路的可靠性大大提高同时能降低制造成本。
横向 pnp 晶体管采用马达电路

[发明专利]保护电路-CN98808781.2无效
发明人： H·诺斯特伦;J·K·约恩松 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-07-13 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：尤其用来保护射频应用的正向供电电路免受正、负电压脉冲损害的这种保护电路包括一个输入焊盘(14)和至少一个PNP晶体管(20),该输入焊盘接至集成电路,而PNP晶体管的集电极接至该输入焊盘,该PNP晶体管的发射极接至该PNP晶体管的基极可以直接或通过电阻(24)接至其发射极,或者不连接。
保护电路