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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310453556.5在审
发明人：申建旭;李殷奎;李昌锡;金昌炫;卞卿溵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：第一半导体层，包括第一半导体材料；金属层，面对第一半导体层并具有导电性；2D材料层，在第一半导体层和金属层之间；以及第二半导体层，在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。
半导体器件

[发明专利]包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器-CN201711443369.X有效
发明人：李载昊;申铉振;李东郁;朴晟准;李基荣;李殷奎;赵常玹;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。
包括石墨量子光学传感器图像传感器

[发明专利]纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备-CN201811431633.2有效
发明人：宋伣在;申建旭;申铉振;李昌锡;金昌炫;卞卿溵;李升元;李殷奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。
纳米晶体石墨形成方法设备

[发明专利]垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的DRAM器件-CN202210517382.X在审
发明人：李昌锡;金尚元;金昌炫;卞卿溵;李殷奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的动态随机存取存储器(DRAM)器件。该垂直沟道单元阵列晶体管结构包括：半导体基板；多个沟道，在半导体基板上布置成阵列并且每个从半导体基板垂直地延伸；在所述多个沟道上的栅极绝缘层；多条字线，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及二维(2D)材料层，在所述多条字线中的每条的至少一个表面上。
垂直沟道单元阵列晶体管结构包括 dram 器件

[发明专利]纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法-CN202210207355.2在审
发明人：金尚元;卞卿溵;赵连柱;申建旭;李殷奎;李昌锡;宋伣在;申铉振;尹祯秀;李昭荣;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。
纳米晶石形成方法

[发明专利]具有掩埋栅极的半导体器件-CN202111043036.4在审
发明人：金熙中;权玟禹;韩相然;金尚元;金俊秀;申铉振;李殷奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括有源区的衬底、设置在衬底中的栅极沟槽中的栅极结构、设置在衬底上并在栅极结构的一侧电连接到有源区的位线以及设置在位线上并在栅极结构的另一侧电连接到有源区的电容器。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的底表面和内侧表面上的栅极电介质层、在栅极沟槽的下部中设置在栅极电介质层上的导电层、在导电层的上表面上设置在栅极电介质层上的侧壁绝缘层、设置在导电层上的石墨烯层以及设置在石墨烯层上在侧壁绝缘层之间的掩埋绝缘层。
具有掩埋栅极半导体器件

[发明专利]用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法-CN202110333720.X在审
发明人： 李殷奎;赵连柱;金尚元;卞卿溵;宋伣在;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了通过使用X射线光电子能谱(XPS)来测量石墨烯层的厚度的方法和测量硅碳化物的含量的方法。计算直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法包括：通过使用从石墨烯层发射的光电子束的信号强度与从硅衬底发射的光电子束的信号强度之间的比值来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度。
xps 计算石墨厚度测量碳化物含量方法

[发明专利]导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法-CN202110318984.8在审
发明人：申铉振;金尚元;卞卿溵;李殷奎;金昌炫;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法。该导电结构包括包含金属的导电材料层和用于通过结合至该导电材料层来控制导电结构的功函数的功函数控制层。功函数控制层包括具有缺陷的二维材料。
导电结构结合控制金属函数方法

[发明专利]包括二维材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法-CN201610157055.2有效
发明人：许镇盛;李基荣;李相烨;李殷奎;李载昊;朴晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。
包括二维材料半导体器件以及制造方法

[发明专利]形成石墨烯的方法-CN201910892838.9在审
发明人：申建旭;金昌炫;山本薰;李昌锡;宋伣在;李殷奎;卞卿溵;申铉振;安星柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。
形成石墨方法

[发明专利]高光电转换效率和低暗电流的图像传感器-CN201710599298.6在审
发明人：赵常玹;李载昊;李殷奎;朴晟准;李基荣;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
光电转换效率电流图像传感器

[实用新型]进水流道渐小的卷式反渗透膜元件-CN201120187959.2有效
发明人：侯贻直;李殷奎 -专利权人：艾欧史密斯(上海）水处理产品有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： B01D63/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种进水流道渐小的卷式反渗透膜元件，由纯水导流网、反渗透膜片、进水导流网叠加缠绕在中心产水管上形成，所述进水导流网和纯水导流网分别位于所述反渗透膜片经折叠后由内表面形成的进水流道和由相邻外表面形成产水流道中，其特征在于：所述反渗透膜片折叠后在位于中心管侧形成三个折边，所述中间折边深入进水流道中使得进水流道分成位于中心管侧的上下层前进水流道和位于浓水出口侧的后进水流道，所述进水导流网分为大进水导流网和小进水导流网，所述大进水导流网放置在其中的一个前进水流道和后进水流道中，所述小进水导流网仅放置在另一前进水流道中。本实用新型具有制作方式简单、实施容易，能够实现批量生产的优点。
进水流道渐小反渗透元件

[发明专利]进水流道渐小的卷式反渗透膜元件-CN201110150311.2有效
发明人：侯贻直;李殷奎 -专利权人：艾欧史密斯(上海）水处理产品有限公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： B01D63/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种进水流道渐小的卷式反渗透膜元件，由纯水导流网、反渗透膜片、进水导流网叠加缠绕在中心产水管上形成，所述进水导流网和纯水导流网分别位于所述反渗透膜片经折叠后由内表面形成的进水流道和由相邻外表面形成产水流道中，其特征在于：所述反渗透膜片折叠后在位于中心管侧形成三个折边，所述中间折边深入进水流道中使得进水流道分成位于中心管侧的上下层前进水流道和位于浓水出口侧的后进水流道，所述进水导流网分为大进水导流网和小进水导流网，所述大进水导流网放置在其中的一个前进水流道和后进水流道中，所述小进水导流网仅放置在另一前进水流道中。本发明具有制作方式简单、实施容易，能够实现批量生产的优点。
进水流道渐小反渗透元件

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