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[发明专利]在氮化镓层上刻蚀隔离槽的处理方法-CN201510788888.4有效
发明人：李航 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供的在氮化镓层上刻蚀隔离槽的处理方法，其包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体和可提高二氧化硅的刻蚀速率的气体，且开启激励电源和偏压电源，用于在氮化镓层的预设区域内刻蚀形成隔离槽；并且，在刻蚀到达衬底上表面时停止刻蚀本发明提供的在氮化镓层上刻蚀隔离槽的处理方法，其能够有效消除刻蚀过程中隔离槽侧壁上出现明显拐角的问题，确保了后期沉积或蒸镀电极等工艺效果。
刻蚀氮化镓层隔离槽衬底上表面隔离槽侧壁二氧化硅工艺效果激励电源刻蚀过程刻蚀气体偏压电源预设区域反应腔电极拐角蒸镀沉积室内

[发明专利]光刻胶去除方法-CN201310039528.5有效
发明人：王兆祥;杜若昕;刘骁兵;刘志强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。
光刻去除方法

[发明专利]开口及其形成方法-CN200910195636.5有效
发明人：张海洋;孙武;符雅丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种开口及其形成方法，其中，所述开口的形成方法包括：在形成开口的主刻蚀中动态调整三氟甲烷流量和偏置功率，调节刻蚀过程中产生聚合物的数量，所述三氟甲烷的流量逐渐增加，所述偏置功率逐渐降低。本发明通过对刻蚀菜单工艺参数的独立调整，在形成开口的主刻蚀中动态调整三氟甲烷流量和偏置功率，可以调节刻蚀过程中所产生聚合物的量，以此影响开口的形貌，防止现有技术的由于无法填充过厚或者形成的开口的底部扩大导致填充的金属层的方块电阻的增大的缺陷在此过程中，仅对刻蚀菜单中相关工艺参数作了局部调整，没有增加复杂的工艺流程，不会对产能和生产成本造成明显影响。
开口及其形成方法

[发明专利]应用于MIM电容的刻蚀方法-CN202010600395.4有效
发明人：姚道州;马莉娜;肖培 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于MIM电容的刻蚀方法，涉及半导体制造领域，该方法包括在半导体衬底上依次形成下极板金属层、介质层、上极板金属层；通过光刻工艺定义上极板图形；根据所述上极板图形刻蚀所述上极板金属层，以所述介质层为刻蚀停止层；利用CF4和Ar的混合气体吹扫所述半导体衬底；通过N个剥除过程去除所述上极板金属层上方的光刻胶，N为大于等于2的整数；每个剥除过程包括水蒸气除氯处理和光刻胶剥除处理；解决了目前刻蚀MIM电容的上极板过程中产生的聚合物容易粘附在上极板上，影响后续工艺的问题；达到了避免MIM电容的上极板在刻蚀后有聚合物附着，优化上极板刻蚀工艺的效果。
应用于 mim 电容刻蚀方法

[发明专利]旋转湿法刻蚀设备及方法-CN201811338806.6在审
发明人：杨抗 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种旋转湿法刻蚀设备及方法，所述旋转湿法刻蚀设备包括：刻蚀槽，用于容纳刻蚀液及装有待刻蚀晶圆的晶舟；旋转装置，用于带动待刻蚀晶圆在晶舟内转动；旋转装置包括传动辊，传动辊绕其中心轴转动，传动辊垂直于待刻蚀晶圆表面，传动辊的辊面接触待刻蚀晶圆侧面并带动待刻蚀晶圆随传动辊转动。本发明通过引入传动辊在湿法刻蚀过程中带动晶舟中的晶圆转动，避免了因刻蚀槽中各处刻蚀液的浓度或温度不同而导致的晶圆面内刻蚀均匀性不佳的问题，从而提高了产品良率。此外，通过传动辊和晶圆的转动还进一步增加了刻蚀槽中刻蚀液的对流速度，改善了刻蚀槽中刻蚀液的分布均匀性。
旋转湿法刻蚀设备方法

[发明专利]一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法-CN201010110100.1有效
发明人：倪图强;高山星一;陶铮 -专利权人：中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法，包括相互独立进行的刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，并且在刻蚀过程中交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。其中，在刻蚀步骤中提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含硅的绝缘材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；在侧壁钝化步骤中，提供一含硫成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含硫成份的聚合物，沉积或附着在所述刻蚀界面的侧壁表面。本发明刻蚀方法实现了对含硅绝缘层的快速刻蚀和对侧壁的保护，取得较好的外观轮廓，解决了现有技术刻蚀中刻蚀沟道或通孔出现的弧形侧壁和关键尺寸偏移的问题。
一种绝缘等离子刻蚀方法

[发明专利]通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统-CN201610250596.X有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统。所述方法包括：将刻蚀样品与陪片放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述陪片直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述陪片的两个电极之间的电流变化实现对所述刻蚀样品的刻蚀监控，并相应的实时调整刻蚀条件所述系统包括：具有与刻蚀样品相同的外延结构的陪片，电流监控装置以及控制单元。本发明有效解决了现有刻蚀技术中通过单一的刻蚀条件、单一的刻蚀速率及简单地通过刻蚀时间实现不同的刻蚀深度而产生的诸多缺陷，可以实现对刻蚀过程的实时监控和及时调整，且设备简单，成本低廉，适于大规模生产。
刻蚀样品增强型HEMT器件刻蚀监控凹栅刻蚀制备刻蚀条件电流监控装置电流变化刻蚀表面刻蚀过程刻蚀环境刻蚀技术刻蚀设备刻蚀位置实时调整实时监控外延结构有效解决电极可控的监控暴露

[发明专利]AlGaN材料的刻蚀方法及其应用-CN202111576471.3有效
发明人：李利哲;刘宗亮 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN材料的刻蚀方法及其应用。所述AlGaN材料的刻蚀方法包括：将AlGaN材料置于刻蚀设备的刻蚀腔室内；向所述刻蚀腔室内通入包含HBr、O2和SF6的刻蚀气体，且以等离子体功率源将所述刻蚀气体转化为等离子体，再使所述等离子体与AlGaN材料表面的选定区域接触。本发明实施例提供的一种AlGaN材料的刻蚀方法，通过以特定比例的O2和SF6作为辅助刻蚀气体与主刻蚀气体配合作用，不仅能够防止刻蚀残余物的形成及去除刻蚀残余物，形成平坦的刻蚀表面，也不会影响刻蚀的速率，并且，在刻蚀过程中，不使用含Cl的刻蚀气体，从而不会形成难以去除的AlGaClx凸起残余物，进而提高刻蚀的质量。
algan 材料刻蚀方法及其应用

[发明专利]CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法-CN201310566396.1无效
发明人：李程;吴敏;杨渝书;秦伟;黄海辉;高慧慧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶；步骤四，执行刻蚀阻挡层刻蚀，以打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；步骤五，执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；步骤六，执行氧化硅去除步骤，以刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。
cmos 感光器件接触刻蚀方法制造

[实用新型]旋转湿法刻蚀设备-CN201821854576.4有效
发明人：杨抗 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种旋转湿法刻蚀设备，所述旋转湿法刻蚀设备包括：刻蚀槽，用于容纳刻蚀液及装有待刻蚀晶圆的晶舟；旋转装置，用于带动待刻蚀晶圆在晶舟内转动；旋转装置包括传动辊，传动辊绕其中心轴转动，传动辊垂直于待刻蚀晶圆表面，传动辊的辊面接触待刻蚀晶圆侧面并带动待刻蚀晶圆随传动辊转动。本实用新型通过引入传动辊在湿法刻蚀过程中带动晶舟中的晶圆转动，避免了因刻蚀槽中各处刻蚀液的浓度或温度不同而导致的晶圆面内刻蚀均匀性不佳的问题，从而提高了产品良率。此外，通过传动辊和晶圆的转动还进一步增加了刻蚀槽中刻蚀液的对流速度，改善了刻蚀槽中刻蚀液的分布均匀性。
传动辊晶圆刻蚀刻蚀槽刻蚀液湿法刻蚀设备转动晶舟本实用新型旋转装置分布均匀性刻蚀均匀性中心轴转动产品良率辊面接触晶圆表面湿法刻蚀圆面对流垂直容纳侧面引入

[发明专利]自对准硅化物膜制程及结构-CN200710045077.0无效
发明人：孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示了一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；对SAB膜进行湿法刻蚀。发明采用ONO结构的SAB膜，具有良好的光刻特性，此外，由于SiO₂层和SiON层之间具有显著的光反射特性的差异，本发明利用这种特点，采用端点控制的方式对干法刻蚀过程进行精确的控制，能确保器件的安全，并且能获得理想的刻蚀速度。
对准硅化物膜制程结构

[发明专利]基片的刻蚀方法和薄膜晶体管-CN202011394982.9在审
发明人：刘海龙;朱瑞苹;郑浩田 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种基片的刻蚀方法和薄膜晶体管，基片的刻蚀方法包括：在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层；向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽采用上述刻蚀方法可以解决目前采用氧离子对金属银进行刻蚀的过程中，产生的氧化银会粘附且堆积在刻蚀孔的内壁，导致刻蚀孔被堵塞，进而刻蚀失败率较高的问题。
刻蚀方法薄膜晶体管

[发明专利]一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法-CN201510701040.3有效
发明人：梁德春;刘福民;邢朝洋;徐宇新;李昌政;刘宇 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。
一种 sog mems 芯片防止 icp 过度刻蚀方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210232400.6有效
发明人：王兆祥;梁洁;邱达燕 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供基底，在所述基底上形成氮化硅层和氧化硅层交替分布的多层堆叠结构；对所述堆叠结构进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述堆叠结构，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在已形成的刻蚀孔的侧壁和底部形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔。刻蚀步骤和聚合物形成步骤交替进行，刻蚀形成部分深度的刻蚀孔后，会相应的在刻蚀孔的侧壁形成聚合物，后续沿刻蚀孔继续刻蚀堆叠结构时，保护已形成的刻蚀孔不会被过刻蚀，从而使最终形成的通孔保持垂直的侧壁形貌。
半导体结构形成方法

[发明专利]基片刻蚀方法-CN201310364428.X在审
发明人：吴鑫;杨盟;高福宝;贾士亮 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片上刻蚀形成图形的基础轮廓；过刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启本发明提供的基片刻蚀方法，其可以在整个工艺进行的过程中减少球形颗粒物掉落到基片上的数量，从而可以减少基片图形形貌的缺陷。
刻蚀方法