“刻蚀过程”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3514500个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法-CN201710734054.4在审
发明人：孙孝翔;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法，在深硅刻蚀完成后，以SF6或其他氟基气体进行硅干法刻蚀，刻蚀量为硅柱缺陷的侧向厚度，以完全消除硅柱缺陷。所述刻蚀是直接在深硅刻蚀后进行，或者是在后续的介质层刻蚀或灰化去胶过程中通过SF6一类的氟基气体刻蚀来实现。本方法在深硅刻蚀完成后，再以SF6等氟基气体的硅干法刻蚀，来完全消除硅柱缺陷。为了减少该刻蚀对晶圆内正常图形的影响，该刻蚀可以偏向各向同性刻蚀，以减少刻蚀量。本方法可以在没有配置晶圆边缘保护环的深硅刻蚀机台上实现，同时也无需通过额外生长介质层或涂布光刻胶来保护晶圆边缘区域，节省了相关工艺成本。
消除刻蚀中晶圆边缘缺陷方法

[发明专利]湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法-CN202010947256.9在审
发明人：陈信宏;黄焱誊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。
湿法刻蚀控制系统控制方法

[发明专利]光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构-CN202210152136.9在审
发明人：刘志方 -专利权人：浙江拓感科技有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中，在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题提供一种光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构，制备方法指在大间距刻蚀区域设置刻蚀负载结构，通过刻蚀负载结构将大间距刻蚀区域分成至少两个分刻蚀区域，刻蚀结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域，在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构，采用本发明提供的光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构减少了光刻次数，降低了工艺复杂程度，得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。
光电子器件台面制备方法刻蚀结构

[发明专利]激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件-CN201610871505.4有效
发明人：陈超 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B23K26/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件。该激光刻蚀方法包括利用激光束对待刻蚀对象进行刻蚀的步骤，待刻蚀对象上设有至少一个待刻蚀区域，激光束包括用于使待刻蚀区域内的导电材料气化的主激光束，以及用于降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率的辅助激光束本发明在刻蚀步骤中采用两种类型的激光束：主激光束能使待刻蚀区域内的导电材料气化，而辅助激光束用于提高待刻蚀区域边缘对应空间内的温度，从而降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率，防止气化的导电材料在从待刻蚀区域对应空间向外扩散的过程中因待刻蚀区域边缘对应空间内温度过低而发生沉积，避免在待刻蚀对象表面形成凸起。
刻蚀区域导电材料激光刻蚀刻蚀对象激光束电致发光器件方法和装置辅助激光束衬底电极主激光束气化的表面形成刻蚀步骤刻蚀气化凸起沉积扩散

[发明专利]沟槽结构及其形成方法-CN201911030587.X有效
发明人：宋利娟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽结构及其形成方法；所述方法包括在基体的上表面形成图形化牺牲层，图形化牺牲层包括若干个牺牲单元；在牺牲单元的侧壁形成刻蚀掩膜层；位于相邻牺牲单元之间的刻蚀掩膜层之间具有开口间隙；在开口间隙内形成刻蚀延缓牺牲层；在相同刻蚀条件下，刻蚀延缓牺牲层与图形化牺牲层具有不同的刻蚀去除速率；基于刻蚀掩膜层去除图形化牺牲层及刻蚀延缓牺牲层，并刻蚀基体，以在基体内形成具有不同深度的沟槽，由于图形化牺牲层和延缓牺牲层被刻蚀的速率不同，刻蚀去除速率快的先被刻蚀掉，刻蚀去除速率慢的后别刻蚀掉，继续刻蚀会形成不同深度的沟道，简化了形成不同深度的沟槽的工艺过程，进而有利于生产效率的提高和成本的降低。
沟槽结构及其形成方法

[发明专利]多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件-CN201910785416.1在审
发明人：宋金星;丛茂杰 -专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件，多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，可以避免在从刻蚀工艺腔转移到沉积工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致沟槽中前后两次沉积的多晶硅分层的问题；多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，还可以避免在从沉积工艺腔转移至刻蚀工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致的刻蚀不良问题。且采用含氟的气体刻蚀多晶硅，能使得刻蚀多晶硅后的产物为气体，避免沟槽中积聚不必要的刻蚀副产物而影响下次多晶硅沉积等后续工艺的效果，并避免前后两次沉积的多晶硅出现分层的问题。
多晶硅多晶硅沉积刻蚀半导体器件刻蚀多晶硅自然氧化层刻蚀工艺两次沉积同一工艺自然氧化工艺腔分层沉积多晶硅填充刻蚀副产物不良问题后续工艺含氟积聚制作

[发明专利]一种低共熔溶剂刻蚀钴酸锂催化剂、制备方法及其应用-CN202011431256.X在审
发明人：时鹏辉;郭灏;王鹏飞;唐梦阳;侯伟;范金辰;闵宇霖;徐群杰 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：本发明提供了一种低共熔溶剂刻蚀钴酸锂催化剂、制备方法及其应用，属于水处理领域。本发明提供的低共熔溶剂刻蚀钴酸锂催化剂，为经低共熔溶剂刻蚀的钴酸锂。本发明还提供了一种低共熔溶剂刻蚀钴酸锂催化剂的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将钴酸锂以及低共熔溶剂加入容器中，150℃‑200℃下保温2h‑6h，得刻蚀共混物；步骤2，将所述刻蚀共混物抽滤分离，取固体本发明的低共熔溶剂刻蚀钴酸锂催化剂去除了更多的锂残留更多的钴从而可以带来更多的活性点，因此具有更好的催化效果。此外，在制备过程中没有强酸碱性药剂的引入，且无需复杂的反应条件，因此整个刻蚀过程简便安全，二次污染小。
一种低共熔溶剂刻蚀钴酸锂催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种单片式半导体晶圆刻蚀装置-CN202310868494.4在审
发明人：杨志勇;崔令铉;成鲁荣;王恒;单庆喜 -专利权人：扬州韩思半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种单片式半导体晶圆刻蚀装置，包括腔室、上电极板、下电极板、位于上电极和下电极之间的静电载盘、用于向腔室内供气的供气单元以及用于抽真空的抽真空单元；腔室内还安装有包围静电载盘的环形基台，环形基台通过多个第一本申请的刻蚀装置，在刻蚀的过程中，利用显微镜单元对检测晶圆进行图像采集，检测晶圆与待刻蚀的半导体晶圆处于相同的工作环境，从而可以通过检测晶圆的刻蚀效果推断出正在加工的半导体晶圆的刻蚀效果，进而能够在刻蚀的过程中就能检测到半导体晶圆的刻蚀效果
一种单片半导体刻蚀装置

[发明专利]一种机械切削-离子束刻蚀制备光栅方法-CN201811190334.4有效
发明人：相连钦;祝晓勇 -专利权人：宁波源禄光电有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械切削‑离子束刻蚀制备光栅方法，克服制作高密度刻线的衍射光栅过程中，切削刀具刀尖圆角使得光栅衍射效率下降的影响。本发明是一种在机械切削基础上采用离子束刻蚀的方法，通过一块机械切削母板光栅复制而来的子板光栅，在其表面镀上Al或GaAs膜等其他反射膜，并选择合适离子束入射角进行离子束刻蚀，刻槽槽底圆弧部分离子束刻蚀速率比刻槽其它部分快，可清除圆弧，使得圆弧刻蚀成尖角，且光栅闪耀角在离子束刻蚀过程中保持不变，刻槽深度增加，提高光栅衍射效率。与一般全息‑离子束刻蚀光栅相比，本发明提供的机械切削‑离子束刻蚀制备光栅方法，易于实现小闪耀角简便，易显著提高光栅使用波段的衍射效率等优势。
一种机械切削离子束刻蚀制备光栅方法

[发明专利]用于刻蚀的硬掩膜及其制备方法以及MOS器件的制造方法-CN201110415370.8有效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于刻蚀的硬掩膜及其制备方法以及MOS器件的制造方法。所述硬掩膜为至少两层的多层结构，该硬掩膜对湿法或干法刻蚀的刻蚀速率从最外层到最内层依次升高。其制备方法为：在基底上依次沉积从最内层到最外层的至少两层的多层结构，该硬掩膜对湿法或干法刻蚀的刻蚀速率从最外层到最内层依次升高。本发明的硬掩膜既能做到对湿法或者干法刻蚀的破坏具有高抵抗力，以保证在MOS器件制程中的多个连续工艺过程中，特别是保证在多个连续工艺过程中所采用的湿法或干法刻蚀中，该硬掩膜具有比较低的刻蚀速率以至能比较好的保护其覆盖区域
用于刻蚀硬掩膜及其制备方法以及 mos 器件制造

[发明专利]一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法-CN201210529449.8有效
发明人：苟君;王军;黎威志;蒋亚东;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：所述超薄金属膜通过刻蚀减薄较大厚度的金属薄膜制备，在刻蚀减薄过程中调节工艺参数与刻蚀剂浓度分布，造成微区刻蚀速率差异，获得粗糙、多孔、黑化的超薄金属膜。刻蚀的方法有两种：一种是用反应离子刻蚀方法与干法刻蚀的后腐蚀现象将金属薄膜刻蚀为超薄金属膜，具有易控制反应过程与超薄金属膜厚度等优点；另一种是用湿法化学腐蚀方法将金属薄膜腐蚀为超薄金属膜，具有易控制超薄金属膜表面形貌与颜色等优点
一种超薄金属膜赫兹吸收及其制备方法

[发明专利]一种晶圆刻蚀设备-CN202111419647.4有效
发明人：陈金凌;王锡胜;李敏 -专利权人：江苏威森美微电子有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体的说是一种晶圆刻蚀设备，包括刻蚀池、防护罩、第一缸体和伸缩杆，所述刻蚀池上安装有防护罩，在浸入过程中，伸缩杆推动第一活塞下沉，将第一缸体内的空气推进第二缸体内，在活塞杆的配合下，能够将电极球与螺杆底侧的电极板接触，实现对警示灯的通电，在通电后，PLC处理器接收信号，实现推料气缸的提升作业，在丝线的配合下，实现对刻蚀盒的提升，对排气管上的单向阀进行调整，能够在第二活塞上升过程中，实现对第二缸体顶部顶部气体的限流释放，能够对浸泡时间进行调整，能够对刻蚀时间准确把控，保证刻蚀质量，能够实现气体内循环，保证刻蚀废气不外溢，保护生产的气体环境，保证刻蚀安全。
一种刻蚀设备

[实用新型]一种晶圆温度检测系统-CN201820422195.2有效
发明人：柳建军 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆温度检测系统，干法刻蚀过程中检测晶圆温度，属于半导体制造技术领域，包括：光谱接收模块，接收反应腔内反应生成物各元素的发射光谱；光谱收集模块，处理接收的发射光谱以从发射光谱中收集特定元素的发射光谱作为目标发射光谱；光电转换模块，用于通过光电转换将目标发射光谱处理成相应的目标光谱曲线；处理模块，用于根据干法刻蚀设备的刻蚀工序控制光谱收集模块的开关，以及用于处理目标光谱曲线计算出晶圆温度。上述技术方案的有益效果是：可以侦测干法刻蚀过程中晶圆的实际温度，为分析干法刻蚀过程中晶圆的应力变化及线宽控制提供可能性。
发射光谱晶圆干法刻蚀过程温度检测系统光谱收集种晶半导体制造技术干法刻蚀设备光电转换模块目标光谱曲线本实用新型反应生成物处理模块处理目标光电转换光谱接收光谱曲线刻蚀工序线宽控制应力变化反应腔侦测检测分析

[发明专利]硅通孔刻蚀方法-CN201310572268.8在审
发明人：尹志尧;许颂临;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，包括交替进行的刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤的执行时间不超过相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间，且所述侧壁沉积步骤的执行时间逐次减少。本发明的优点是，随着刻蚀深度逐渐变深，侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的侧壁沉积步骤的执行时间，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量，从而改变刻蚀结构表面及侧壁刻蚀气体、沉积气体及其产生的等离子体的分布，实现高深宽比结构刻蚀的均一性，并保障了刻蚀结构表面粗糙度和侧壁垂直度，能够获得高质量的刻蚀结构。
硅通孔刻蚀方法

[发明专利]一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法-CN202211353501.9有效
发明人：黄翊东;崔开宇;李永卓;刘仿;张巍;冯雪 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及微细加工技术领域，尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的，在刻蚀过程中，保持h/hA趋近于1，并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀；其中，h代表反应物析出速度和沉积速度的比值，hA代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题，实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果，同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外，所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低，刻蚀小孔/槽均匀。
一种气压反应侧壁钝化动态平衡深刻光子晶体结构制备方法