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[发明专利]通过晶振实现对刻蚀样品原位刻蚀监控的方法及系统-CN201610250314.6在审
发明人：张宝顺;张志利;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过晶振实现对刻蚀样品原位刻蚀监控的方法及系统。所述的方法包括：将刻蚀样品与镀有薄膜的晶振放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，以保证刻蚀样品与晶振处于相同的刻蚀条件下，并且在相同刻蚀条件下，所述刻蚀样品的刻蚀速率与所述晶振上薄膜的刻蚀速率成线性比例关系；使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述晶振上的薄膜直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述晶振上薄膜的厚度变化而实现对所述刻蚀样品的刻蚀速率的实时监控，并相应的实时调整刻蚀条件，从而实现对样品精确可控的刻蚀。本发明利用晶振等对样品的刻蚀过程进行原位监测，可以有效的计算出实时的刻蚀速率和刻蚀深度，达到精确控制的目的，同时满足复杂刻蚀的要求。
通过实现刻蚀样品原位监控方法系统

[发明专利]通过光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法-CN201510591324.1有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;潘革波;于国浩;付凯;孙世闯;宋亮;秦双娇 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法，包括：提供刻蚀样品；在刻蚀样品表面设置图形化掩膜，从而暴露出刻蚀表面；将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在刻蚀溶液中，并以刻蚀光线至少照射所述刻蚀表面，从而使所述刻蚀溶液于刻蚀表面处刻蚀所述刻蚀样品，同时形成能够在所述刻蚀溶液中稳定存在的刻蚀产物，而且当在所述刻蚀样品上刻蚀出对应于所需凹栅结构的凹槽结构时，所生成的刻蚀产物足以将所述刻蚀表面钝化而导致刻蚀自停止本发明可有效地实现增强型HEMT，并且具有工艺简便，刻蚀自停止，重复性高，刻蚀损伤小，设备简单，成本低廉，易于进行大规模生产等特点。
通过辅助刻蚀停止实现增强 hemt 器件系统方法

[发明专利]用于干法刻蚀的修正板的设计方法、修正板和干法刻蚀方法-CN202310580874.8在审
发明人：罗先刚;冉朋;赵泽宇;王炯 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开提供一种用于干法刻蚀的修正板的设计方法、修正板和高均匀性干法刻蚀方法，设计方法包括：S1，根据被刻蚀样品表面刻蚀深度分布H(ri)或刻蚀速度分布V(ri)，得到修正板在被刻蚀样品表面的投影形状；S2，根据修正板在被刻蚀样品表面的投影形状和修正板在被刻蚀样品和离子源之间的位置，得到修正板的第一形状。通过设计位于离子源与被刻蚀样品之间的修正板的第一形状，进而调整被刻蚀样品上刻蚀面的形状，对刻蚀面内各点的刻蚀速度进行控制，提高了干法刻蚀、尤其是大口径器件干法刻蚀的均匀性。
用于刻蚀修正设计方法

[发明专利]一种固定刻蚀样品的方法-CN201310036242.1无效
发明人：盛建明;江成龙;涂亮亮;石剑舫 -专利权人：常州同泰光电有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种固定刻蚀样品的方法，通过改进感应电感耦合等离子体刻蚀（ICP）中样品的固定方式，改善了ICP刻蚀的均匀性，增加了样品表面刻蚀面积。本发明介绍的方法摒弃了传统ICP刻蚀中在样品表面建立固定点的思路，避免因与样品表面的接触造成对刻蚀工艺的影响。
一种固定刻蚀样品方法

[发明专利]一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法-CN201410147878.8有效
发明人：赵威;刘洪刚;孙兵;常虎东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法，包括：在待刻蚀材料叠层上旋涂光刻胶并光刻，得到侧壁垂直的胶台柱作为刻蚀掩膜，完成待刻蚀样品的准备；对待刻蚀样品进行常温刻蚀；对常温刻蚀后的待刻蚀样品进行高温原位过刻蚀，去除待刻蚀样品表面的聚合物。本发明利用常温刻蚀各向异性好且刻蚀参数便于控制，以及高温刻蚀能方便去除聚合物等残余物质的优点，得到无聚合物残留的垂直侧壁，且不增加额外的工艺过程并与传统的硅基半导体工艺兼容。
一种用氟基气体钝化刻蚀掩蔽薄膜方法

[发明专利]一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法-CN201910922836.X在审
发明人：谷志强;吴志浩;吴愧;蒋中原;车东晨;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，属于超导器件制备技术领域。具体方法如下：在真空状态下将待刻蚀样品通过传送装置送至反应离子刻蚀腔，通入刻蚀气体，对待刻蚀样品Nb层进行刻蚀；然后在真空状态下通过传送装置将反应离子刻蚀后的样品送入离子束刻蚀机，通入惰性气体，刻蚀AlO
刻蚀超导器件反应离子刻蚀传送装置刻蚀样品真空状态离子束刻蚀机制备技术领域约瑟夫森结惰性气体金属沉积刻蚀气体有机物产能良率铌基送入

[发明专利]一种提取用于透射电子显微镜的待测样品的方法-CN201910968721.4有效
发明人：谢超杰;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提取用于透射电子显微镜的待测样品的方法，与现有技术区别在于，考虑到在提取待测样品过程中，可能会由于待测样品没有完全与基体刻蚀分离，导致玻璃针靠近待测样品并推拉待测样品时待测样品会弹出离刻蚀槽较远距离，此时在待测样品的位置附近再开设一刻蚀槽，并对待测样品施力以使待测样品可以落入刻蚀槽中。此时，待测样品的底部仅部分与刻蚀槽接触，再次对待测样品进行提取时，玻璃针在靠近待测样品后，由于玻璃针与待测样品之间的静电力远大于待测样品与刻蚀槽的静电力，玻璃针能轻松提取出待测样品。通过本发明提供的方法，可以提高TEM样品提取的成功率，减少了TEM样品的报废率。
一种提取用于透射电子显微镜样品方法

[实用新型]等离子体刻蚀机-CN201821227670.7有效
发明人：刘波;单书珊;乔彦彬;李建强;陈燕宁;张海峰 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体刻蚀机。该等离子体刻蚀机包括：反应舱、观察窗、显微镜。该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内。观察窗被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品。所述显微镜的物镜位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗对所述反应舱内的被刻蚀样品的进行观察。所述等离子体刻蚀机在刻蚀实验过程中通过正上方的显微镜物镜可以实时观察样品的细微结构，无需反复拿出被刻蚀样品就可以观察刻蚀进度，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。
反应舱等离子体刻蚀机刻蚀样品观察窗显微镜刻蚀等离子体本实用新型显微镜物镜从上至下刻蚀实验实时观察实验效率细微结构抽真空上表面舱体充气观察平放物镜进度配置

[发明专利]一种侧壁金属的刻蚀方法及其应用-CN202010395390.2在审
发明人：谷志强;冯英雄;车东晨;蒋中原;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：一种侧壁金属的刻蚀方法及其应用，属于半导体工艺技术领域。所述方法包括以下步骤：在待刻蚀台阶样品表面镀好Pd薄膜，镀膜厚度为45~55 nm；用离子束刻蚀机对样品进行刻蚀，刻蚀过程中，离子束刻蚀机样品台的倾角为45~85°，轰击能量为180~210 eV，刻蚀时间为17~25 min，刻蚀气体为惰性气体，刻蚀气体流量为15~40 sccm，直到侧壁的待刻蚀材料全部刻光刻蚀结束；将刻蚀后样品取出，即可进行后续工艺的操作。本发明所述方法采用纯物理刻蚀，不会引入其他反应元素，可以有效的提高台阶侧壁上材料与底部材料之间的刻蚀选择比，制造方法简单，能够有效提高生产效率。
一种侧壁金属刻蚀方法及其应用

[发明专利]一种基于谐振器的刻蚀终点检测系统和方法-CN202011619730.1在审
发明人：张忠山;李俊杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于谐振器的刻蚀终点检测系统，包括谐振器，被放置在刻蚀腔体中并与待刻蚀样品一起被刻蚀；检测器，与所述谐振器相连接，用于检测并输出所述谐振器的参数；和比较器，与所述检测器相连接，用于接收并比较所述谐振器的参数与预设值与激光干涉和物质光谱检测系统相比，谐振器与样品处于相同环境中，而且与样品材料相同，因而该系统具有的更高的检测精度。在该检测系统中，与激光干涉检测系统相比，检测位置放在被刻蚀样品以外区域，增加了样品有效面积；与物质光谱检测系统相比，信号采集与样品刻蚀独立，可以实现更小刻蚀面积样品检测。
一种基于谐振器刻蚀终点检测系统方法

[实用新型]湿法刻蚀装置-CN202222025150.0有效
发明人：李宁;冷祥;魏明 -专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及湿法刻蚀的技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀装置，包括把手、放置架和环形挡板；所述把手连接于放置架的上表面，所述放置架用于放置待刻蚀的晶圆样品，晶圆样品的待刻蚀面朝下放置，所述环形挡板连接于放置架的下表面，用于限制与晶圆样品待刻蚀面接触的刻蚀液的区域面积。本申请中的环形挡板能够阻挡晶圆样品边缘处的液体流动，能够最大限度地实现Diffusion‑controlled etch情形下的均匀刻蚀。
湿法刻蚀装置

[发明专利]超大面积扫描式反应离子刻蚀机及刻蚀方法-CN201811610204.1有效
发明人：罗先刚;赵泽宇;王彦钦;高平;马晓亮;蒲明博;李雄;郭迎辉 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于干法刻蚀技术领域。本发明公开了一种超大面积扫描式反应离子刻蚀机和刻蚀方法。该超大面积扫描式反应离子刻蚀机包括：进样室、刻蚀反应室、过渡室、刻蚀离子产生室。本发明通过沿扫描方向移动样品架在进样室、刻蚀反应室、过渡室之间运动，对放置于样品架上的样品进行扫描刻蚀，可以实现大面积、均匀及高效的刻蚀。
超大面积扫描反应离子刻蚀方法

[发明专利]一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法-CN201310439401.2有效
发明人：张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，属于超精密加工技术领域，该方法包括:将待抛光的具有微结构的样品放在离子束刻蚀设备的腔体内的样品台上，并利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离，且使样品的待抛光侧壁与样品台平面相互垂直;利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角，并调节样品台到该倾斜角;使用离子束对样品进行刻蚀，且在刻蚀过程中样品台始终自转。利用本发明提供的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，能够实现对微结构的侧壁进行高精度的抛光。
一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁方法

[发明专利]通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统-CN201610250596.X有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统。所述方法包括：将刻蚀样品与陪片放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述陪片直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述陪片的两个电极之间的电流变化实现对所述刻蚀样品的刻蚀监控，并相应的实时调整刻蚀条件所述系统包括：具有与刻蚀样品相同的外延结构的陪片，电流监控装置以及控制单元。本发明有效解决了现有刻蚀技术中通过单一的刻蚀条件、单一的刻蚀速率及简单地通过刻蚀时间实现不同的刻蚀深度而产生的诸多缺陷，可以实现对刻蚀过程的实时监控和及时调整，且设备简单，成本低廉，适于大规模生产。
刻蚀样品增强型HEMT器件刻蚀监控凹栅刻蚀制备刻蚀条件电流监控装置电流变化刻蚀表面刻蚀过程刻蚀环境刻蚀技术刻蚀设备刻蚀位置实时调整实时监控外延结构有效解决电极可控的监控暴露

[发明专利]一种物理刻蚀工艺中的贴片方法-CN201310039849.5无效
发明人：贾嘉;刘向阳;乔辉;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种物理刻蚀工艺中的贴片方法：其步骤为：(1)选取胶带：需要采用聚酰亚胺耐高温双面胶带；(2)裁剪双面胶：将聚酰亚胺双面胶带裁剪成比所需刻蚀样品稍大的尺寸；(3)固定胶带：将聚酰亚胺双面胶带的下表面保护膜剥离后牢固地粘在刻蚀机的样品台上，然后将胶带的上表面保护膜也除去；(4)粘贴样品：将需要刻蚀的样品放置在聚酰亚胺双面胶上，并加以一定的正压力将样品牢固地与聚酰亚胺胶带进行粘接；(5)剥离胶带：在物理刻蚀工艺完成后，一般的硬质刻蚀样品可以直接从聚酰亚胺双面胶带上取下，然后将胶带从样品台上剥离即可。该方法具有操作方便、导热性好、刻蚀图形佳和成本低等优点。
一种物理刻蚀工艺中的方法

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