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[发明专利]一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法-CN202011070446.3在审
发明人：高钰麒;咸冯林;徐林华;匡文剑;郑改革;曹兆楼;李金花;杨明珠;裴世鑫 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法，包括如下步骤：对ZnO薄膜进行清洗，吹干后待用；在ZnO薄膜表面旋涂一层光刻胶；通过掩模紫外曝光和丙酮清洗获得所需图案；对ICP刻蚀的刻蚀腔进行抽真空；向刻蚀腔内通入甲烷、氢气和氩气，气体流量分别为3 sccm、8 sccm和5sccm，调节真空腔压强为0.13Pa；对刻蚀腔进行预刻蚀；在刻蚀腔内载入ZnO薄膜，调节刻蚀温度为20摄氏度，射频功率设置为200 W，ICP功率设置为500W或1000W，进行刻蚀，完成后取出样品，使用丙酮超声清洗去除光刻胶，获得最终样品。本发明方法能够形成表面光滑，刻蚀界面清晰的ZnO刻蚀界面。
一种 zno 薄膜刻蚀方法

[发明专利]一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置和方法-CN201910792511.4在审
发明人：陈云;施达创;姚瑶;陈新;高健;刘强;贺云波;汪正平;赵铌 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置，包括基座、六自由度平台、反应隔离腔、搅拌器和刻蚀液容器；所述六自由度平台设置在所述基座的底部，所述反应隔离腔设置在所述基座的顶部；所述刻蚀液容器设置在所述反应隔离腔内，所述搅拌器从所述反应隔离腔的顶部伸入到所述刻蚀液容器内；所述刻蚀液容器的底部开口，所述刻蚀液容器的底部开口处固定待加工样品；所述六自由度平台搭载光源，所述基座和反应隔离腔的底部均设有光路通孔，所述反应隔离腔的光路通孔内设有光学滤镜六自由度平可驱动照射光源实现周期性摆动和转动，以均匀的干涉条纹在待加工样品背面补偿照射，从而引导待加工样品刻蚀形成几何尺寸高度可控的微纳结构。
隔离腔刻蚀液容器六自由度平台刻蚀照射底部开口光路通孔干涉光搅拌器加工周期性摆动干涉条纹光学滤镜六自由度微纳结构照射光源可控的伸入光源转动背面驱动

[发明专利]纳米结构三维成像系统与方法-CN202111626000.9有效
发明人：杜忠明;杨继进 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明属于三维成像技术领域，具体涉及一种纳米结构三维成像系统与方法，旨在解决成像仪器刻蚀慢、精度低、无法完成跨尺度大体积量刻蚀的问题；系统包括总控中心、真空舱体、电子枪、成像信号探测器、宽离子束源装置和激光测距仪组件；真空舱体的内部设有样品装载装置；宽离子束源装置的径向源与样品被刻蚀表面平行设置；激光测距仪组件包括用于测量与离子束遮挡板顶面距离的第一激光测距仪和用于测量与样品非刻蚀区域距离的第二激光测距仪，第一激光测距仪、第二激光测距仪并排放置且激光行进方向与宽离子束源装置行进方向垂直；本发明能实现跨尺度大体积量的刻蚀，刻蚀效率高、刻蚀精度高。
纳米结构三维成像系统方法

[实用新型]一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置-CN201921397063.X有效
发明人：施达创;陈云;姚瑶;陈新;高健;刘强;贺云波;汪正平;赵铌 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种利用干涉光照射辅助刻蚀的装置，包括基座、六自由度平台、反应隔离腔、搅拌器和刻蚀液容器；所述六自由度平台设置在所述基座的底部，所述反应隔离腔设置在所述基座的顶部；所述刻蚀液容器设置在所述反应隔离腔内，所述搅拌器从所述反应隔离腔的顶部伸入到所述刻蚀液容器内；所述刻蚀液容器的底部开口，所述刻蚀液容器的底部开口处固定待加工样品；所述六自由度平台搭载光源，所述基座和反应隔离腔的底部均设有光路通孔，所述反应隔离腔的光路通孔内设有光学滤镜六自由度平可驱动照射光源实现周期性摆动和转动，以均匀的干涉条纹在待加工样品背面补偿照射，从而引导待加工样品刻蚀形成几何尺寸高度可控的微纳结构。
隔离腔刻蚀液容器六自由度平台底部开口光路通孔搅拌器刻蚀照射加工本实用新型周期性摆动干涉条纹光学滤镜六自由度微纳结构照射光源干涉光可控的伸入光源转动背面驱动

[发明专利]单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法-CN200610119251.7无效
发明人：郑茂俊;曾安生;马荔;沈文忠 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿法刻蚀过程，包括湿法择优腐蚀和超声波清洗，最终获得单晶利用本发明方法，实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。
inp 方形纳米阵列制备方法

[发明专利]一种标定薄膜材料XPS深度剖析刻蚀速率的方法-CN202110464287.3在审
发明人：单宇;李福胜;王秀娜;刘畅 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明涉及表面分析技术领域，特别指一种标定薄膜材料XPS深度剖析刻蚀速率的方法。本发明通过真空蒸镀法制备平整薄膜样品，经过离子刻蚀后使用探针式表面轮廓仪标定弧坑深度，进而获得该薄膜样品真实离子刻蚀速率和刻蚀深度。由于不同材料的性质差别较大，如果按照仪器参考值设定刻蚀速率，其实际刻蚀速率与仪器参考值可能会相差巨大，这就导致对材料表界面进行刻蚀分析时会产生较大偏差。此方法实施简单且结果直观、准确，解决了目前对深度剖析刻蚀速率无法精确测定的难题。在对薄膜材料进行深度剖析和刻蚀分析时，有助于提高XPS分析的准确度。
一种标定薄膜材料 xps 深度剖析刻蚀速率方法

[实用新型]一种用于离子束刻蚀的样品台-CN201720168014.3有效
发明人：王长梗;关江敏 -专利权人：北京创世威纳科技有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：一种用于离子束刻蚀的样品台，其用于放置待刻蚀的样片，其包括顺序连接的陶瓷环、承载盘、固定盘、旋转轴和支撑盘，所述承载盘设置有凸台，所述凸台的高度不小于所述陶瓷环的厚度，所述陶瓷环环绕所述凸台与所述承载盘固定连接本实用新型所提供的一种用于离子束刻蚀的样品台，可大大减少刻蚀所产生的溅射污染物，从而有效降低对离子源及样品的污染。
一种用于离子束刻蚀样品

[发明专利]以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法-CN200910081225.3无效
发明人：李艳;杨富华;裴为华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，该方法包括：步骤1：在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜；步骤2：对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜；步骤3：采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化硅深刻蚀，具有工艺简单快捷，选择比高，刻蚀深度可达25微米，刻蚀形貌好，侧壁陡直等优点。
光刻二氧化硅进行深刻方法

[发明专利]一种半导体器件制作方法-CN201811325919.2有效
发明人：蒋中原;刘自明;王珏斌;车东晨;崔虎山;胡冬冬;陈璐;任慧群;邹志文;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下，首先利用反应离子刻蚀到达隔离层，然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止，仅保留少量固定层，而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层，最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤，不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，而且降低了过刻蚀风险，提高了器件性能和良率。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202011106984.3在审
发明人：尹志军;崔国新;冯会会;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管，其中所述肖特基二极管制备方法包括：处理GaN样板，获取GaN样品；然后在所述GaN样品表面旋涂光刻胶，并对其进行刻蚀；在刻蚀后的GaN样品表面PECVD沉积二氧化硅，并对其进行光刻、RIE刻蚀；对刻蚀后的GaN样品进行硼离子注入；在硼离子注入后的GaN样品表面沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成场板结构；在场板结构表面蒸镀Ni/Au金属结构，作为肖特基二极管的阳极；在GaN样品背侧蒸镀Ti/Al/Ti/Au金属结构，作为肖特基二极管的阴极。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]在非导电衬底上进行电子束或离子束聚焦刻蚀及显微成像的方法-CN201910208280.8有效
发明人：杨青;庞陈雷;张建培;李竞曦;汤明炜;王伟;刘旭 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在非导电衬底上进行电子束或离子束聚焦刻蚀及显微成像的方法，属于微纳加工领域，包括：1)设计光刻掩模版的形貌和尺寸；2)对非导电衬底进行光刻处理；3)在光刻处理后的非导电衬底上进行金属镀膜处理，形成金属带；4)对镀膜后的非导电衬底进行显影处理成为样品；5)对金属带进行接地处理；6)对样品进行抽真空处理；7)对样品的金属带进行聚焦处理，选择电子束流，待成像清晰后，调整样品台至待刻样品区域；8)导入或绘制所需刻蚀微纳结构的形貌，设置参数后对样品进行FIB或EBL刻蚀及成像。有效提升非导电衬底材料表面的局域导电性，实现电子束和离子束的稳定聚焦，从而实现对非导电材料表面的微纳刻蚀以及显微成像。
导电衬底进行电子束离子束聚焦刻蚀显微成像方法

[发明专利]纳米刻蚀精度多次离子切割装置-CN202111625998.0有效
发明人：杜忠明;陈浩森;宋维力;杨继进;方岱宁;杨乐;李娜;李宁 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所;北京理工大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明属于样品表面处理技术领域，旨在解现有技术中的离子切割装置无法定量的多次重复切割和重复定位的问题，具体涉及一种纳米刻蚀精度多次离子切割装置，包括总控中心、宽离子束源、恒温系统、样品传输台、样品刻蚀真空舱、宽离子束源真空舱、真空泵和真空规，真空泵与真空规与宽离子束源真空舱连接，宽离子束源真空舱与样品刻蚀真空舱通过滑轨组件连接，宽离子束源真空舱与样品刻蚀真空舱构成一密闭舱体；宽离子束源真空舱的顶部装设有真空舱盖板，真空舱盖板上开设有透明观察窗，其位于离子束汇聚点的正上方；宽离子束源包括一个或者多个离子枪，用于产生宽离子束对样品切片；通过本发明可实现离子切割的重复高精度切割、定位。
纳米刻蚀精度多次离子切割装置

[发明专利]一种功率器件沟槽形貌的优化方法-CN201810134748.9在审
发明人：刘晓芳;王彦君;孙晨光;徐长坡;王万礼;张新玲;刘丽媛;董子旭;杜宏强;刘闯;刘文彬;乔智;印小松;孙欣;陈强;赵晓丽;张建;陈海洋 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种功率器件沟槽形貌的优化方法，步骤包括：S1：在样品表面生长一层垫氧氧化层；S2：在所述垫氧氧化层上沉积一层掩膜层；S3：对所述样品进行光刻；S4：对光刻后的所述样品进行刻蚀；S5：对刻蚀后的所述样品进行沟槽刻蚀；S6：生长一层热氧化层；S7：对生长完所述热氧化层后的所述样品进行腐蚀。本申请的有益效果是：通过局部氧化方式，对沟槽顶部进行了形貌优化，从而使器件整体上的良率有所提升，且器件参数稳定；同时可以解决设备不具备拐角圆滑处理的能力而受限的问题，从而在不需要增加昂贵的沟槽刻蚀设备的前提下
功率器件沟槽刻蚀沟槽形貌热氧化层氧化层刻蚀生长形貌沟槽顶部拐角局部氧化器件参数形貌优化样品表面圆滑处理掩膜层拐角光刻良率受限制程沉积优化腐蚀申请

[发明专利]金属厚膜的离子束刻蚀方法及其应用-CN202011516548.3有效
发明人：易军;陈嘉源;黄波;贾延东;卞西磊;王刚 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属厚膜离子束刻蚀方法，是将厚膜样品结合光刻工艺和离子束刻蚀的方法，将金属厚膜部分刻蚀并使其变脆，然后机械剥离金属厚膜的刻蚀区与未刻蚀区得到具体想要花样的金属厚膜，并且不改变或者损坏膜内部结构和性能其中可供刻蚀的膜成分包括所有的纯金属和合金，厚膜的厚度1‑50μm，光刻胶包括所有型号的光刻胶。被刻蚀的地方可与未被刻蚀附着光刻胶的地方机械剥离从而得到具有各种花样的金属膜样品，此技术可以减少刻蚀时间，不用完全刻透厚膜，即可实现厚膜的刻蚀，增加了刻蚀的效率。
金属离子束刻蚀方法及其应用

[发明专利]一种毛细管通道制备装置-CN202110379381.9有效
发明人：林晨;杨童;晏炀 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G02B7/04 文献下载
摘要：光束方向调节系统、分束片、可移动凸透镜、二维电动平行台和激光振荡器，激光振荡器产生的飞秒激光依次经过第二反射镜第三反射镜、偏振片、扩束系统、光束方向调节系统、分束片、可移动凸透镜射入二维电动平行台上的刻蚀样品表面，其中刻蚀样品跟随二维电动平行台共同移动，可移动凸透镜调节自身位置，使得可移动凸透镜的焦点始终位于刻蚀样品的表面，实现对样品材料不同深度刻蚀，从而制备变径、交汇和弯曲的毛细管道。
一种毛细管通道制备装置