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[其他]非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法-CN87101127无效
发明人：钟伯强;施亚玲;肖兵;张秀荣 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1987-11-04 - 公布日： 1989-05-24 - 主分类号：文献下载
摘要：用激光－化学腐蚀刻蚀ａ－ｓｉ太阳电池背电极，涉及半导体及光电器件。本发明是在背金属电极上涂敷一层极薄的防腐层，用激光按所需背金属电极的图案刻蚀防腐层，然后再用化学腐蚀来除去背电极，从而达到无掩模刻蚀背金属电极的目的。防腐层可用旋涂法、喷涂法或浸涂法涂敷于背金属电极的表面上，根据防腐层的厚度选择适当的激光参数如光源电源电压、电流，激光扫描或样品移动的速度，调Ｑ频率等即能获得满意的刻蚀效果。
非晶硅太阳电池电极刻蚀方法

[发明专利]一种透射型多层膜光学元件的加工方法-CN202211633404.5在审
发明人：岳帅鹏;王亚冰;侯庆艳;张伟伟;常广才;李明;刘鹏 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种透射型多层膜光学元件的加工方法，其步骤包括：1)使用磁控溅射镀膜方法在基底上制备多层膜；2)根据透射型多层膜光学元件的设计焦距对所述多层膜进行切割；3)对步骤2)处理后的多层膜进行预刻蚀，将多余的多层膜结构去除：a)根据多层膜的材质确定出对多层膜进行预刻蚀的参数；b)将多层膜固定在激光器样品台上，从所述多层膜的顶部开始，沿膜层叠加方向在所述多层膜上刻蚀出该设定深度的长方形结构；c)经步骤b)刻蚀后，对所述多层膜的刻蚀深度大于所述多层膜的膜层总厚度，对刻蚀后的多层膜进行清洗与检测；4)使用聚焦离子束对透射型多层膜光学元件进行终刻蚀抛光，得到透射型多层膜光学元件。
一种透射多层光学元件加工方法

[发明专利]一种电场辅助原子力显微镜纳米刻蚀方法-CN201910301623.5在审
发明人：刘增磊;高爱莲 -专利权人：刘增磊
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种通过施加电流实现原子力显微镜(AFM)纳米刻蚀的方法。通过向AFM针尖和基底施加一定电流并控制电流的大小，由于针尖和样品之间存在较大的接触电阻，因此产生一定的焦耳热，在基底上形成刻蚀。
刻蚀原子力显微镜针尖基底电场辅助接触电阻控制电流纳米材料施加电流焦耳热沟痕可用裁剪施加加工

[发明专利]有机聚合物等离子刻蚀工艺误差对器件影响的补偿方法-CN201310694011.X有效
发明人：秦政坤;王国峰;汪玉海;宋明星 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：一种有机聚合物等离子刻蚀工艺误差对器件影响的补偿方法：采用微扰分析方法对来自理论设计的版图与制作后的样品之间的误差通过优化设计和调整工艺条件进行修正，消除理论设计的版图与制作后的样品之间的误差。可广泛作为聚合物等离子刻蚀过程引起的工艺误差对器件性能的影响的纠正方法。
等离子刻蚀工艺有机聚合物理论设计聚合物聚合物电光材料等离子刻蚀光电子器件制备高性能工艺过程工艺水平工艺条件工艺误差器件性能优化设计低成本微扰制作修正纠正改进分析

[发明专利]一种铝合金板的表面防腐处理方法-CN201811432717.8在审
发明人：李雪伍;张林;石甜;王红星;张传伟;于魏宁;钟斌;吕源;杨丹妮 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： B23P9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝合金板的表面防腐处理方法，包括以下步骤：步骤一、对铝合金样品表面进行抛光处理，然后进行超声清洗；步骤二、对经过预处理的铝合金样品进行电火花线切割加工，在铝合金样品表面加工出微米级阵列方柱结构；步骤三、采用沸水刻蚀制备方柱表面纳米片状结构，形成微纳复合阵列方柱结构；步骤四、对所述微纳复合阵列方柱结构进行十八烷酸低表面能改性处理。本发明的减材处理方法采用线切割加工以及沸水刻蚀等工艺，制备铝合金表面的复合微纳结构，其结构稳定好，抗液滴粘附性好，耐海水腐蚀性明显改善，且制备的防腐表面表现出良好的耐候性和耐久性。
方柱铝合金样品制备表面防腐处理沸水复合阵列铝合金板刻蚀电火花线切割加工预处理低表面能改性耐海水腐蚀性铝合金表面线切割加工表面加工表面纳米超声清洗防腐表面结构稳定抛光处理片状结构十八烷酸微纳结构耐候性微米级粘附性液滴复合表现

[发明专利]用于大曲率非平面器件的低温等离子体刻蚀装置及方法-CN202210202792.5有效
发明人：高国涵;范斌;罗倩;吴湘;邵俊铭;雷柏平;汪利华;杜俊峰;边疆;杨虎 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于大曲率非平面器件的低温等离子体刻蚀装置及方法，该装置含有真空腔体顶盖、真空腔体底座、曲面导电匀气板、工艺气体通道、曲面器件、阳极样品台、真空排气通道和低温等离子体。真空腔体顶盖和真空腔体底座组成真空腔体，真空腔体顶盖和真空腔体底座接地，可打开装入样品也可闭合接入真空系统。曲面导电匀气板与真空腔体顶盖导电连接，工艺气体通过工艺气体通道进入真空腔体，通过真空排气通道离开真空腔体，曲面器件置于阳极样品台表面，在RF射频电源激励下形成低温等离子体弥漫于真空腔体内。本发明总体刻蚀速率在整个曲面上保持均一。
用于曲率平面器件低温等离子体刻蚀装置方法

[发明专利]一种表面等离子体光刻中小分子光刻胶的干法显影方法-CN201811509683.8在审
发明人：罗先刚;马晓亮;蒲明博;刘利芹;王长涛 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：样品特征结构包括激发层、光刻胶层、增强层。干法显影过程：样品首先在表面等离子体光刻机上曝光，获得超分辨率光刻图形记录在光刻胶层；基于感光与非感光区域光刻胶成分不同，可在胶表面进行有选择性的硅烷化掺杂处理；利用反应离子刻蚀技术，将硅烷化区域进行硬化处理，同时非硅烷化区域会被刻蚀去除，进一步以硬化层作为掩模，对非硅烷化区域进行彻底的刻蚀，实现干法显影，获得有一定厚度硬层的光刻胶图形。该方法优势：一是干法显影可避免湿法显影中容易出现的线条漂移、倒塌、断裂等问题；二是获得的有硬层的光刻胶图形，可提高表面等离子体光刻中薄胶的进一步刻蚀传递性能。
干法显影表面等离子体光刻刻蚀光刻胶图形光刻胶层分子光硅烷化非硅烷化硬层反应离子刻蚀技术漂移超分辨率传递性能感光区域光刻图形显影过程样品特征硬化处理光刻胶激发层硬化层增强层感光湿法掩模与非去除断裂线条掺杂倒塌曝光记录

[发明专利]一种氮化铝锥尖及栅极结构的制作方法-CN200810056965.7有效
发明人：顾长志;李云龙;李俊杰;时成瑛;金爱子;罗强;杨海方 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-01-28 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝锥尖及其栅极锥尖结构的制备方法，该方法包括以下步骤：利用射频磁控溅射方法在干净的硅衬底上生长一层氮化铝薄膜或再沉积一层金膜，然后放入到聚焦离子束刻蚀系统中，当真空度达5.5×10-5mbar时，加5kV电子束高压，进行样品形貌观察和定位，再加离子束源和设置束流，最后设置刻蚀图样，并按照刻蚀图样对氮化铝薄膜样品进行聚焦离子束刻蚀，得到氮化铝锥尖3结构或栅极锥尖结构，所制备的氮化铝锥尖3结构的单个锥的长径比在
一种氮化铝锥尖栅极结构制作方法

[发明专利]一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法-CN201610608427.9有效
发明人：吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域；步骤为：对衬底材料进行清洗，利用热氧设备生长氧化物介质层；在氧化物介质层上设置顶部介质层；悬涂第一光刻胶，烘烤、曝光、显影；采用等离子体进行干法过刻蚀；清洗去除第一光刻胶；悬涂第二光刻胶，进行烘烤；悬涂第三光刻胶，进行烘烤；对已经得到的样品进行曝光、显影；蒸发栅金属；剥离第一光刻胶和第二光刻胶；简单方便，能实现刻蚀自动终止，阻挡刻蚀过程中对GaN的刻蚀损伤。
一种用于纳米制备损伤终止刻蚀方法

[发明专利]SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法-CN200910242349.5无效
发明人：陈少武;程勇鹏;任光辉;樊中朝 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形，形成样品；对上述的样品进行氧化，将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区
soi 微米脊型光波导耦合器刻蚀氧化制作方法

[发明专利]酸蚀裂缝刻蚀形态及导流能力测试方法-CN201611107436.6在审
发明人：刘飞;马辉运;桑宇;周长林;王业众;赵兴东;陈伟华;韩慧芬;曾嵘;王良 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸蚀裂缝刻蚀形态及导流能力测试方法，属于油气田井开发工程技术领域。具体包括：制备长方体岩心样品，并沿长方体岩心样品的长度方向将长方体岩心样品劈裂为两块岩板；分别对两块岩板的初始形态进行三维激光扫描，获取两块岩板的裂缝面的各个点初始的高程值；将两块岩板对合成完整的岩心样品后进行酸液驱替及导流能力测试；对两块岩板酸液驱替后的形态进行三维激光扫描，获取两块岩板的裂缝面的各个点酸液驱替后的高程值；计算岩心样品的初始裂缝宽度和酸液驱替后的裂缝宽度，以及两块岩板各自的酸液溶蚀量。该测试方法可实现对酸蚀裂缝刻蚀形态及导流能力的定量表征，真实模拟实际酸压施工过程。
岩板岩心样品酸液导流能力测试裂缝酸蚀裂缝刻蚀三维激光扫描高程工程技术领域导流能力定量表征施工过程油气田井真实模拟劈裂溶蚀酸压制备合成测试开发

[发明专利]一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法-CN202010361862.2在审
发明人：李阳 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，所述方法包括：将单片晶圆分为四等份；获取第一份晶圆样品沿直径方向的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷及其分布区域；对第三份晶圆样品进行第一热处理，确定晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷及其分布区域；对第四份晶圆样品进行第二热处理，确定晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域
一种单晶晶圆缺陷类型分布区域检测方法

[发明专利]基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片的制备方法-CN202010447892.5在审
发明人：解涛;杨志;钱丽勋;梁东升;丁现朋;李宏军;王胜福;郭松林;孙从科;徐佳;李丽;马文涛;申晓芳;朱毅凡;刘婀芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明适用于水听器技术领域，提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片的制备方法，该方法包括：在第一硅圆片的第一面上通过刻蚀制备多个弹性梁结构，获得第一样品；在第二硅圆片的第一面上通过刻蚀制备腔室，并在腔室内制备止挡结构，获得第二样品；将第一样品的第一面与第二样品的第一面对位后将腔室抽为真空腔室进行键合；在键合后的第三样品的上表面制备感应结构，获得基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片，从而提高
基于弹性结构 mems 压电声压传感芯片制备方法

[发明专利]一种钛合金表面超疏水微纳结构的制备方法-CN201410788477.0有效
发明人：王达望;李淑青;马国佳;孙刚 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：该制备方法包括：对钛合金样品分别用丙酮和无水酒精进行超声波清洗，得到表面干净的钛合金样品；对表面干净的钛合金样品的表面进行飞秒激光光刻加工，一步得到具有超疏水微纳结构表面的钛合金样品；其中，飞秒激光光束固定并垂直于被处理材料表面，飞秒激光光束的单个脉冲能量为100μJ-800μJ，脉冲宽度为100fs-500fs，中心波长为500nm-1000nm，重复频率为500Hz-2kHz，飞秒激光光束的刻蚀光斑的大小为0.5μm-300μm；钛合金样品的表面相对于飞秒激光光束的刻蚀光斑沿x、y、z三维方向移动，x、y方向的移动定位精度为50nm-100nm，z方向上的移动定位精度为5nm-10nm。
一种钛合金表面疏水结构制备方法

[发明专利]基于ICP‑F离子刻蚀注入一体化高频高阈值GaN基增强型器件的制备方法-CN201710549516.5在审
发明人：马晓华;侯斌;季子路;朱青;陈丽香;杨凌;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ICP‑F离子刻蚀注入一体化的高频高阈值增强型器件的制备方法，主要解决现有工艺不能使用F基等离子体刻蚀AlGaN势垒层的问题。其制作过程包括在衬底上自下而上依次生长GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；在GaN帽层上制作源、漏电极；光刻出器件的有源区并对样品进行台面隔离；在源、漏电极之间的势垒层上光刻出凹槽栅区域；利用ICP‑F基等离子体刻蚀势垒层形成凹槽；在凹槽上方制作栅电极；将样品置于N2气氛中进行沉积后退火，完成器件制作。
基于 icp 离子刻蚀注入一体化高频阈值 gan 增强器件制备方法