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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种在线检测硅槽刻蚀深度的方法-CN202110895081.6在审
发明人：李冰;李营营 -专利权人：上海信及光子集成技术有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种在线检测硅槽刻蚀深度的方法，包括在样品晶圆和待测晶圆的掺杂区域上构造监控结构，其中所述监控结构具有参考结构和多个对照结构，所述参考结构上不具有硅槽，所述多个对照结构上分别具有多个大小一致但数量不等的硅槽；利用所述样品晶圆上的监控结构确定硅槽刻蚀深度与硅槽电阻之间的相关关系；通过在线测试利用所述待测晶圆上的监控结构测量所述待测晶圆上的硅槽电阻；以及根据所述待测晶圆上的硅槽电阻以及所述相关关系确定所述待测晶圆上的硅槽刻蚀深度
一种在线检测刻蚀深度方法

[发明专利]图案化石墨烯的制备方法及生物传感器的制造方法-CN202110638584.5在审
发明人：刘俊江;王焕明;许智 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：图案化石墨烯的制备方法包括以下步骤：将光刻胶涂布于铜箔上长有石墨烯的一侧，固化成型后完成光刻胶的图案化，按照图案化的光刻胶对石墨烯进行刻蚀，以完成石墨烯的图案化，将柔性薄膜作为支撑层贴于光刻胶表面，并将样品置于刻蚀液中以刻蚀并除去铜箔，将除去铜箔后的样品以石墨烯侧贴于基底上，并除去柔性薄膜和光刻胶层。
图案化石制备方法生物传感器制造

[发明专利]一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法-CN201410854544.4有效
发明人：唐成春;李俊杰;姜倩晴;顾长志;全保刚;金爱子 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法，包括如下步骤：1)清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属；2)在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层，并进行前烘；3)在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光；4)对曝光后的HSQ层进行显影定影；5)用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属；6)用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。
一种大面积制备纳米透镜阵列方法

[实用新型]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统-CN201921484951.5有效
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器（嘉兴）有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统本实用新型公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。
超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统

[发明专利]纳米材料或微纳器件的显微重复定位方法-CN200910152441.2有效
发明人：吴爱国;曾乐勇 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G01N13/10 文献下载
摘要：本发明利用光刻或电子束刻蚀技术，在基底边缘或微纳器件四周分别刻蚀出多重不同精度和不同符号的坐标标记，通过记录样品或器件观察区域在某一方向上的坐标值以及该区域与某一坐标线的距离或记录该区域在两个方向上的坐标值，可以快速、准确地重新找到该区域，实现样品重新定位和微纳器件再加工。
纳米材料器件显微重复定位方法

[发明专利]一种超薄单晶硅片的制备方法-CN201710376960.1有效
发明人：车兴森;杨正华;张颖娟;刘慎业;侯立飞;杨轶濛;杜华冰 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超薄单晶硅片的制备方法，包括：1)、刻蚀绝缘体上硅(SOI片)中的目标硅层，刻蚀深度为顶层单晶硅的厚度减去(0.8μm～1.2μm)；2)、腐蚀硅衬底层；3)、将步骤2)所制备的样品放入BHF腐蚀液中，并保持样品在腐蚀液表面漂浮，待氧化掩埋层腐蚀干净后捞出目标硅片并清洗。
一种超薄单晶硅制备方法

[发明专利]宽波段可变焦超透镜的制备方法-CN202111475764.2在审
发明人：李俊杰;顾长志;郑睿瑄;耿广州;杜硕;潘如豪;金爱子 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽波段可变焦超透镜制备方法，包括：在高透过率薄衬底上旋涂光刻胶；基于曝光和显影手段实现图案化，在所述旋涂好光刻胶的衬底的光刻胶内部形成具有设计阵列图形的孔洞结构；将带有图案化孔洞光刻胶的高透过率玻璃的样品置于原子层沉积系统中，利用沉积的手段在样品表面填充均匀的材料，得到将图案化结构完全填充且整体表面平整的样品；再将填充完整的样品置于干法刻蚀系统中，先将光刻胶之上的平整材料层刻蚀掉暴露出图案化的结构和光刻胶，再将样品上的光刻胶全部清除干净
波段变焦透镜制备方法

[发明专利]悬空式铌酸锂光波导-CN201210452593.6无效
发明人：姜潇潇;司光远;吕江涛;谷琼婵;马振鹤;王凤文 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及一种悬空式铌酸锂光波导，选取铌酸锂样品作为基材按以下面步骤操作，首先，使用能量为1兆电子伏(MeV)的氦离子(He+)束轰击铌酸锂样品，在样品表面下方一定区域内形成晶格损伤，形成晶格损伤的部分具有小于没有损伤的部分的折射率第二步使用聚焦离子束刻蚀的方法在样品表面刻蚀出圆形或矩形的孔洞，混合的酸溶液可以通过这些孔洞接触到具有晶格损伤的部分并进一步把这些部分腐蚀掉，从而形成空气隔层，悬空的波导结构便在铌酸锂样品的表面形成了。
悬空式铌酸锂光波导

[发明专利]一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置-CN202010128429.4有效
发明人：陈智利;刘卫国;惠迎雪;周顺;张进;杨利红;毕倩;唐黎 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明方法为：1）将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；2）将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10‑3Pa；通入高纯度99.999%惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10‑2 Pa到8×10‑2Pa；3）设置样品台旋转速度、开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照，样品台的转速为6~80本发明利用离子轰击在样品表面诱导形成自组织纳米点畴结构，并且可以通过调控离子束参数来控制所获得的纳米畴结构的特征。
一种离子束辐照制备铌酸锂纳米结构方法装置

[发明专利]超疏水表面的飞秒激光烧蚀-表面覆膜的复合加工方法-CN202111391320.0在审
发明人：黄小平;杨镇源;陈若童;陈世争;赵青 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明首先采用飞秒脉冲激光刻蚀基底材料样品表面，得到具有微纳阵列表面的材料样品；然后在具有微纳阵列表面的材料样品上涂覆上一层低能态疏水薄膜，得到低能态疏水薄膜‑微纳阵列结构表面复合材料，实现物理疏水和化学疏水的综合疏水性能该方法结合了飞秒激光刻蚀技术及低能态疏水薄膜涂覆技术，具有加工精度高、稳定性强、制备快速高效等特点，可广泛应用于各种复合物表面微纳阵列的加工。
疏水表面激光复合加工方法

[发明专利]减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法-CN200610135226.8无效
发明人：吴正云;吕英 -专利权人：厦门大学
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ICP刻蚀SiC表面损伤的新方法。提供一种新的减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法。其步骤为在SiC表面上涂敷光刻胶，经曝光、显影、腐蚀形成光刻掩膜层；在保留有光刻胶图形的SiC样品表面溅射沉积金属膜层，去除光刻胶掩膜层及其上的金属层，保留与SiC表面紧密接触的金属图形；将保留金属图形的SiC材料置于感应耦合等离子体刻蚀系统中进行第一次ICP刻蚀，实现SiC材料的图形化；再取出SiC材料，氮气吹洗，将SiC材料置于ICP刻蚀系统中，进行第二次ICP刻蚀。
减少 icp 刻蚀 sic 表面损伤方法

[发明专利]基于电化学摩擦诱导的微纳加工方法-CN201811054774.7在审
发明人：蒋淑兰;钱林茂;彭勇;余丙军 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电化学摩擦诱导的微纳加工方法，包括以下步骤：S1、衬底预处理：将半导体衬底表面清洗干净后烘干，获得样品A；S2、摩擦诱导加工：采用硬度大于半导体衬底的加工针尖在样品A表面进行摩擦诱导加工，获得表面具有设定形状图案的样品B；S3、制备微/纳结构：将样品B放入刻蚀溶液中，对其进行电化学刻蚀，即可获得具有高深宽比的微纳结构。
诱导摩擦电化学微纳加工微纳结构加工衬底制备半导体衬底表面预处理电化学刻蚀规模化生产高深宽比加工效率刻蚀溶液微传感器形状图案可定位微能源针尖烘干放入可控半导体清洗应用

[发明专利]一种样品托盘及其使用方法-CN202110547638.7在审
发明人：邹荣园;邹志文;崔虎山;刘朋飞;范思大;丁光辉;丁晓林;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种样品托盘及其使用方法，该托盘包括具有腔室的托盘本体，所述腔室通过进气孔、排气孔与外部连通，所述进气孔的出气端朝向所述排气孔的设置，所述进气孔靠近所述排气孔一端的截面积大于所述排气孔远离所述进气孔一端的截面积使用时，在所述托盘上加入样品，将所述托盘置于匀气盘和载片台之间，并将进气孔与载片台上的气孔连接，通入惰性气体后即可进行刻蚀或沉积作业。本发明基于伯努利原理，设计了可以与外界形成压差的中空托盘，通气后利用压差吸住样品，减少了样品的压片装置、元件的使用，并通过惰性气体的流动实现精准控温，从而提高了刻蚀效果的均匀性、整体性。
一种样品托盘及其使用方法

[发明专利]一种碳掺杂双金属氧化物材料及其制备方法-CN201810517045.4有效
发明人：蒋继波;朱丽莹;陈浩天;常宾;孙瑶馨;韩生;黄燕山 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01M4/52 文献下载
摘要：本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将六水合氯化铁、六水合氯化镍、氯化铵、明胶与去离子水加热混匀后烘干；(2)将步骤(1)的烘干后样品在惰性气氛下低温碳化，低温碳化后样品用浓度为0.8‑2mol/L的盐酸浸泡刻蚀，再抽滤烘干；(3)将烘干后样品在惰性气氛下高温碳化，高温碳化后样品用浓度为0.1‑0.5mol/L的盐酸浸泡刻蚀，再抽滤烘干，得到碳掺杂双金属氧化物材料。
一种掺杂双金属氧化物材料及其制备方法

[发明专利]基于表面波照明的傅里叶域迭代拼接超分辨显微方法及装置-CN201610663266.3有效
发明人：刘旭;刘秋兰;匡翠方;方月 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面波照明的傅里叶域迭代拼接超分辨显微方法，包括：1)通过改变入射照明光的照明角度，激发样品与空气界面处沿不同方向传播的表面波；2)表面波照明样品产生沿与之对应横向波矢的频谱搬移，将物体高频分量搬移到物镜低通带范围内；3)CCD拍摄各照明角度下对应的图像，然后代入到傅里叶域迭代拼接(FP)算法中，最终重构出复杂样品的强度与相位分布。本发明所恢复的定量相位无需采用干涉获取，其计算所恢复的刻蚀光栅样品的刻蚀深度，通过AFM检测验证了其正确性，在材料和生命科学中具有广阔的应用前景。
基于表面波照明傅里叶域迭代拼接分辨显微方法装置

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