专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于种子层结构控制的超疏水自清洁玻璃的制备方法-CN201610341382.3有效
  • 刘志锋;刘军启 - 天津城建大学
  • 2016-05-23 - 2019-05-28 - C03C17/34
  • 本发明公开了一种基于种子层结构控制的超疏水自清洁玻璃的制备方法,步骤如下:(1)配制ZnO种子层溶胶,在溶胶中分别加入表面活性剂PEG和CTAB,分别和ZnO种子层溶胶掺杂均匀,得到PEG/ZnO种子层溶胶和CTAB/ZnO种子层溶胶;(2)采用浸渍提拉法在ITO玻璃上分别镀掺杂了PEG和CTAB的ZnO种子层,得到PEG/ZnO种子层和CTAB/ZnO种子层,并在马弗炉中以一定温度处理;(3)将制备好的PEG/ZnO种子层材料在配置好的ZnO生长溶液中水热处理,得到ZnO纳米束阵列,将制备好的CTAB/ZnO种子层材料在配置好的ZnO生长溶液中水热处理,得到ZnO纳米带阵列;(4)分别将制备好的ZnO纳米束阵列和ZnO纳米带阵列用硬脂酸(SA)的乙醇溶液进行化学处理一段时间,并在空气中热处理一段时间,得到SA/ZnO纳米束阵列和SA/ZnO纳米带阵列。
  • 基于种子结构控制疏水清洁玻璃制备方法
  • [发明专利]一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法-CN200710050553.8有效
  • 卢福华;左艳彬;张昌龙;周卫宁;吕智;霍汉德;顾书林;杭寅 - 桂林矿产地质研究院
  • 2007-11-16 - 2008-08-27 - C30B7/10
  • 本发明将公开一种降低水热法ZnO晶体的螺旋位错密度的方法,它是在利用水热法进行ZnO晶体的生长之前,对ZnO晶体进行下述步骤的处理:1)取ZnO晶体切割出ZnO晶片;2)在ZnO晶片+c面和-c面各镀一层耐高温、耐腐蚀材料作为屏蔽层;3)利用光刻方法在ZnO晶片+c面和/或-c面的屏蔽层上蚀刻出平行的长条形,使+c面和/或-c面的屏蔽层分为阻止ZnO晶片生长的屏蔽区和可使ZnO晶片从中长出的生长窗口区,得到ZnO所得的ZnO籽晶片在水热条件下进行ZnO晶体的生长时,ZnO籽晶片界面上的螺旋位错由于屏蔽层的阻碍无法延伸到新生长层中,只能从生长窗口区向新生长层延伸,这就使得新生长的ZnO晶体的螺旋位错密度比ZnO籽晶片小很多,提高了ZnO晶体质量的效果。
  • 一种降低水热法zno晶体螺旋密度方法
  • [实用新型]一种原位合成ZnO纳米片光阳极膜-CN201520834511.3有效
  • 王艳香;孙健;郭平春;李家科;赵学国 - 景德镇陶瓷学院
  • 2015-10-26 - 2016-03-23 - H01G9/20
  • 本实用新型公开了一种原位合成ZnO纳米片光阳极膜,包括FTO导电玻璃,还包括位于FTO导电玻璃的导电层上的由ZnO纳米片交错堆叠组成的ZnO纳米片层,ZnO纳米片之间相互交错、堆叠形成微孔,ZnO纳米片由ZnO纳米颗粒组成,ZnO颗粒的直径为20~25nm,ZnO纳米片上的ZnO纳米颗粒之间布有介孔。本实用新型的ZnO纳米片膜具有如下特点:二维ZnO纳米片缩短了光生电子的传输路径;ZnO纳米片膜具有微孔,微孔有利于电解质在纳米片膜中的扩散;ZnO纳米片膜具有大量介孔,介孔增加了ZnO纳米片膜的比表面积
  • 一种原位合成zno纳米阳极
  • [发明专利]一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法-CN201210160698.4有效
  • 刘斌;沈鸿烈;王威;岳之浩 - 南京航空航天大学
  • 2012-05-22 - 2012-09-26 - C23C14/08
  • 本发明公开了一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法,属于半导体材料与器件技术领域。ZnO薄膜通过射频磁控共溅射法制备,所用的靶材为Sn靶、本征ZnO靶和AZO靶(Al掺杂的ZnO靶),制备Sn掺杂的ZnO薄膜和Al-Sn共掺杂的ZnO薄膜。本征ZnO薄膜掺入Sn之后,其耐腐蚀性得到改善;对Al掺杂的ZnO薄膜掺入Sn之后(Al-Sn共掺的ZnO薄膜)其耐腐蚀性能也得到改善,而且Al-Sn共掺的ZnO薄膜相对于Sn单独掺杂的ZnO薄膜其耐腐蚀性能更好本方法制作工艺简单,沉积温度低,所用材料和工艺对环境无污染,制得的ZnO薄膜具备耐腐蚀和透明导电功能,可以提高ZnO薄膜材料和器件在恶劣环境下工作的稳定性。
  • 一种腐蚀zno薄膜及其制备方法
  • [发明专利]ZnO基发光器件的制备方法-CN201110101601.8有效
  • 丁萍;潘新花;黄靖云;叶志镇;吕斌 - 浙江大学
  • 2011-04-22 - 2011-09-14 - H01L33/00
  • 本发明公开了ZnO基发光器件的制备方法,该发光器件自下而上依次有衬底、n型ZnO层、ZnO基发光层和p型ZnO层,其中n型ZnO层和ZnO基发光层采用等离子增强分子束外延方法制备,p型ZnO层采用激光增强分子束外延方法制备整个ZnO基发光器件材料在同一设备中原位生长,减少可能的沾污。除p型ZnO层外的各层结构采用等离子增强分子束外延方法制备,有效保证了晶体质量和界面平整性,降低缺陷密度,有利于提高ZnO基发光器件的发光效率。p型ZnO层采用激光增强分子束外延方法制备,这一非平衡过程将有效提高p型掺杂效率,有利于获得高空穴浓度的稳定可靠p型ZnO层。
  • zno发光器件制备方法
  • [发明专利]一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法-CN201110101585.2有效
  • 潘新花;黄靖云;叶志镇;丁萍;吕斌 - 浙江大学
  • 2011-04-22 - 2011-09-14 - H01L33/28
  • 本发明公开的非极性ZnO基发光器件自下而上依次有衬底、ZnO低温缓冲层、n型ZnO层、ZnO/ZnMgO多量子阱层和p型ZnO层。其制备方法如下:将清洗处理的衬底放入分子束外延设备中,以纯O2为O源,金属Zn源和金属Mg源为反应源,金属Al源或金属Ga源为n型掺杂源,在衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、n型ZnO层和ZnO/ZnMgO多量子阱层;然后采用激光轰击掺Na的ZnO陶瓷靶,生长Na掺杂p型ZnO层。本发明通过采用合适的衬底,结合分子束外延技术,生长高质量的非极性ZnO薄膜,在此基础上制备非极性ZnO基发光器件,可去除极化电场对器件性能的影响,提高器件发光效率。
  • 一种极性zno发光器件及其制备方法

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