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- [发明专利]基于种子层结构控制的超疏水自清洁玻璃的制备方法-CN201610341382.3有效
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刘志锋;刘军启
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天津城建大学
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2016-05-23
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2019-05-28
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C03C17/34
- 本发明公开了一种基于种子层结构控制的超疏水自清洁玻璃的制备方法,步骤如下:(1)配制ZnO种子层溶胶,在溶胶中分别加入表面活性剂PEG和CTAB,分别和ZnO种子层溶胶掺杂均匀,得到PEG/ZnO种子层溶胶和CTAB/ZnO种子层溶胶;(2)采用浸渍提拉法在ITO玻璃上分别镀掺杂了PEG和CTAB的ZnO种子层,得到PEG/ZnO种子层和CTAB/ZnO种子层,并在马弗炉中以一定温度处理;(3)将制备好的PEG/ZnO种子层材料在配置好的ZnO生长溶液中水热处理,得到ZnO纳米束阵列,将制备好的CTAB/ZnO种子层材料在配置好的ZnO生长溶液中水热处理,得到ZnO纳米带阵列;(4)分别将制备好的ZnO纳米束阵列和ZnO纳米带阵列用硬脂酸(SA)的乙醇溶液进行化学处理一段时间,并在空气中热处理一段时间,得到SA/ZnO纳米束阵列和SA/ZnO纳米带阵列。
- 基于种子结构控制疏水清洁玻璃制备方法
- [发明专利]一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法-CN201210160698.4有效
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刘斌;沈鸿烈;王威;岳之浩
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南京航空航天大学
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2012-05-22
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2012-09-26
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C23C14/08
- 本发明公开了一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法,属于半导体材料与器件技术领域。ZnO薄膜通过射频磁控共溅射法制备,所用的靶材为Sn靶、本征ZnO靶和AZO靶(Al掺杂的ZnO靶),制备Sn掺杂的ZnO薄膜和Al-Sn共掺杂的ZnO薄膜。本征ZnO薄膜掺入Sn之后,其耐腐蚀性得到改善;对Al掺杂的ZnO薄膜掺入Sn之后(Al-Sn共掺的ZnO薄膜)其耐腐蚀性能也得到改善,而且Al-Sn共掺的ZnO薄膜相对于Sn单独掺杂的ZnO薄膜其耐腐蚀性能更好本方法制作工艺简单,沉积温度低,所用材料和工艺对环境无污染,制得的ZnO薄膜具备耐腐蚀和透明导电功能,可以提高ZnO薄膜材料和器件在恶劣环境下工作的稳定性。
- 一种腐蚀zno薄膜及其制备方法
- [发明专利]ZnO基发光器件的制备方法-CN201110101601.8有效
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丁萍;潘新花;黄靖云;叶志镇;吕斌
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浙江大学
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2011-04-22
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2011-09-14
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H01L33/00
- 本发明公开了ZnO基发光器件的制备方法,该发光器件自下而上依次有衬底、n型ZnO层、ZnO基发光层和p型ZnO层,其中n型ZnO层和ZnO基发光层采用等离子增强分子束外延方法制备,p型ZnO层采用激光增强分子束外延方法制备整个ZnO基发光器件材料在同一设备中原位生长,减少可能的沾污。除p型ZnO层外的各层结构采用等离子增强分子束外延方法制备,有效保证了晶体质量和界面平整性,降低缺陷密度,有利于提高ZnO基发光器件的发光效率。p型ZnO层采用激光增强分子束外延方法制备,这一非平衡过程将有效提高p型掺杂效率,有利于获得高空穴浓度的稳定可靠p型ZnO层。
- zno发光器件制备方法
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