专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成多层功函数金属栅极的方法-CN202310580444.6在审
  • 陈品翰;郑苗苗 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-08-15 - H01L21/8234
  • 本申请提供一种形成多层功函数金属栅极的方法,包括:步骤S1,形成第一功函数金属层;步骤S2,使用第一掩模通过光刻工艺形成第一图案化的光刻胶层;步骤S3,刻蚀第一功函数金属层后,去除第一图案化的光刻胶层;步骤S4,形成第二功函数金属层;步骤S5,使用第二掩模通过光刻工艺形成第二图案化的光刻胶层;步骤S6,刻蚀第二功函数金属层后,去除第二图案化的光刻胶层;步骤S7,形成第三功函数金属层;步骤S8,形成第四功函数金属层;步骤S9,形成金属栅极材料层后,实施研磨使其表面平整。相比现有技术,形成多层功函数金属层时只使用两张光罩,减少沉积、光刻和刻蚀各一次,从而简化工艺制程,缩短制造周期,降低工艺成本。
  • 形成多层函数金属栅极方法
  • [发明专利]一种环保垃圾处理装置-CN201810006133.8有效
  • 陈品翰;周临震 - 陈品翰
  • 2018-01-03 - 2023-08-11 - B65F1/14
  • 本发明提供了一种环保垃圾处理装置,属于垃圾处理设备领域,包括底箱及顶箱,底箱的容积至少为顶箱容积的五倍;底箱为立方体结构,底箱的顶部设置有可打开的盖板;顶箱的侧部靠近其顶部的位置设置有投放口;顶箱的底部设置有连通管,顶箱通过连通管与底箱连通;顶箱的横截面及连通管的横截面均为矩形,且顶箱的横截面大于连通管的横截面。其具有一大一小的两处容纳垃圾的部位,在使用时将较大的底箱埋设在地下,较小的顶箱位于地面以上,使得应用该垃圾装置的场所不仅美观,而且还能够容纳更多的垃圾,能够起到良好的环境保护作用。
  • 一种环保垃圾处理装置
  • [实用新型]具有支撑垫的折合椅-CN202320601311.8有效
  • 陈德隆;陈品颐;陈品翰 - 陈德隆
  • 2023-03-24 - 2023-06-30 - A47C7/00
  • 一种具有支撑垫的折合椅,包含椅架机构与靠垫机构。所述椅架机构可被驱动而在展开状态与收合状态间变换,并包括座椅单元、安装在所述座椅单元上侧的椅背单元,及安装于所述椅背单元的支撑单元。所述支撑单元具有上下延伸且位于所述椅背单元后侧的脊杆。所述靠垫机构安装于所述支撑单元,并包括可上下调移地套设于所述脊杆的活动座,与安装于所述活动座的支撑垫。所述支撑垫可于所述椅架机构位于所述展开状态时,往前顶靠所述椅背单元。通过所述靠垫机构的设置,使用者能自由地调移所述支撑垫的高度,让其头部、颈部或腰部得到支撑,大幅提升乘坐的舒适感。
  • 具有支撑折合
  • [发明专利]折合椅-CN202111423054.5在审
  • 陈德隆;陈品颐;陈品翰 - 陈德隆
  • 2021-11-26 - 2023-05-30 - A47C4/00
  • 一种折合椅,包含上下延伸并具有左右间隔的椅背杆的两根椅背单元、左右间隔并适用于与所述椅背杆相配合撑立在地面上的两个椅脚单元、穿套并张设在所述椅背杆与所述椅脚单元上的椅套单元、枢接于所述椅背杆间并能受驱动而连动所述椅背杆相互靠近或分开的连杆单元,以及至少一个枢杆单元。每一椅脚单元包括轴向左右地彼此交叉枢接而能前后相对枢摆开合的第一脚杆与第二脚杆。所述至少一个枢杆单元的其中一端枢接所述连杆单元,另外一端枢接所述椅背单元。通过所述连杆单元及所述至少一个枢杆单元,能提高所述折合椅展开及收折的操作流畅度。
  • 折合
  • [发明专利]折合桌-CN202111298463.7在审
  • 陈德隆;陈品颐;陈品翰 - 陈德隆
  • 2021-11-04 - 2023-05-05 - A47B3/091
  • 本发明提供一种折合桌,包含沿长向方向延伸的桌板、二个分别具有安装于桌板的桌脚的桌脚单元,及伸缩支撑单元。该伸缩支撑单元包括二个分别设置于该些桌脚单元的支撑件、连接于该些支撑件且包括界定出安装通道的内管及套设于内管的外管的第一伸缩组,及位于安装通道且能弹性内缩地突伸出外管的按压定位组。按压定位组能在锁定状态与解锁状态间转换。在锁定状态时,按压定位组突伸出外管,使外管与内管无法相对移动。在解锁状态时,按压定位组未突伸出外管,使外管与内管能相向移动而收合折合桌。利用伸缩支撑单元的设计,能快速展开与收合折合桌。
  • 折合
  • [发明专利]一种具有避障功能的无人机系统-CN202211255907.3有效
  • 陈品翰;廖永波 - 电子科技大学
  • 2022-10-13 - 2022-12-30 - B64C39/02
  • 本发明属于无人机领域,提供一种具有避障功能的无人机系统,具有结构简洁、障碍物探测精度高、探测距离远、抗光干扰性强、重量轻、运行可靠性高、制造和维护保养成本低等优点;本发明包括:飞控件与扫描成像避障件,扫描成像避障件中设置了水平扫描件、顶部扫描件和底部扫描件,水平扫描件对水平飞行周向进行障碍物探测,顶部扫描件将水平扫描件的部分探测光束转向至无人机上方进行顶部障碍物探测,底部扫描件将水平扫描件的部分探测光束转向至无人机下方进行底部障碍物探测,通过所述结构设计,本发明仅使用一套激光避障探测系统即可实现无人机系统水平飞行周向、顶部与底部的障碍物探测,有效降低了整机重量、制造和维护保养成本。
  • 一种具有功能无人机系统
  • [发明专利]多晶硅栅切割方法-CN202210395911.3在审
  • 陈品翰;吴华峰 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-04-14 - 2022-08-12 - H01L21/8234
  • 本发明公开了一种多晶硅栅切割方法,包括:在有源区中形成STI,并淀积多晶硅;在多晶硅上淀积第一硬掩膜层;在第一硬掩膜层上旋涂光刻胶;打开多晶硅栅切割光刻窗口;执行光刻后去除光刻胶;淀积第一氧化层;执行第一研磨平坦化去除第一硬掩膜层上的第一氧化层;去除第一硬掩膜层,保留剩余第一氧化层;修整剩余第一氧化层形貌,其覆盖位置是最终多晶硅去除的位置;淀积第二硬掩膜层;执行第二研磨平坦化去除剩余第一氧化层上的第二硬掩膜层;刻蚀去除剩余第一氧化层;刻蚀形成多晶硅栅;去除第二硬掩膜层。本发明通过光刻使用图案转移方式,搭配HM SINOX,加上工艺制程光刻/刻蚀/薄膜/研磨能获得更小的多晶硅栅切割尺寸。
  • 多晶切割方法
  • [发明专利]HKMG器件及其制造方法-CN202210185193.7在审
  • 陈品翰;陶业卿 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-28 - 2022-07-01 - H01L29/78
  • 本发明提供一种HKMG器件及其制造方法,衬底上形成有侧墙,侧墙内形成有自下而上叠加的氧化层、高K介质层、第一底部隔离层,侧墙外形成有层间介质层;第一底部隔离层一侧上表面形成有依次叠加U形的第二底部隔离层、第一功函数金属层、第一顶部隔离层,第一顶部隔离层内形成有第一金属栅层;第一底部隔离层另一侧上表面形成有依次叠加U形的第三底部隔离层、第二功函数金属层、第二顶部隔离层,第二顶部隔离层内形成有第二金属栅层;其中第二底部隔离层与第三底部隔离层的侧壁间相贴合。发明利用底部隔离层阻挡N功函数金属层扩散往P型组件,阻挡P功函数金属层扩散往N型组件,有效改善降低金属栅极边界影响。
  • hkmg器件及其制造方法
  • [发明专利]双端口SRAM-CN202010104184.1有效
  • 陈品翰;吴栋诚;贾经尧 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-02-20 - 2022-05-27 - G11C5/02
  • 本发明公开了一种双端口SRAM,将SRAM单元结构的两个端口对应的四个选择管在版图进行对称型设置,和相同的存储节点对应的两个属于不同端口的选择管设置在相同的有源区中,这样能使得不同存储节点对应的读取路径都对称且相同且不包括多晶硅线路。本发明能使各端口对两个存储节点的读取路径为对称结构,从而使得各端口对两个存储节点的读取电流对称且一致以及读取速度对称且一致,提高双端口SRAM的读取对称性。
  • 端口sram
  • [发明专利]MOS晶体管的制造方法-CN201811267610.2有效
  • 陈品翰 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-10-29 - 2022-05-27 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种MOS晶体管的制造方法,包括步骤:步骤一、在半导体衬底表面的第二导电类型阱的表面形成栅极结构;步骤二、进行轻掺杂漏站点工艺,包括如下分步骤:步骤21、进行非结晶离子注入;步骤22、进行两次以上的碳离子注入,调节各次碳离子注入的注入角度和注入深度,从而保证各深度处的碳阻挡区的第一侧都位于后续形成的口袋注入区的第一侧的内侧,减少或防止口袋注入区的杂质向沟道侧的第二导电类型阱中扩散。步骤23、进行口袋离子注入形成口袋注入区。步骤24、进行轻掺杂漏注入。本发明能减少或防止口袋注入区的杂质向沟道侧的阱中扩散从而减少或防止对沟道产生不利影响,抑制沟道中的掺杂的随机波动,提高器件的稳定性。
  • mos晶体管制造方法
  • [发明专利]一种金属栅极结构及其形成方法-CN202111053102.6在审
  • 陈品翰;孙晓 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-09-08 - 2022-01-14 - H01L21/28
  • 本发明提供一种金属栅极结构及其形成方法,方法包括:提供一衬底,在衬底上自下而上依次形成栅介质层、功函数层;在功函数层上沉积一层或多层顶部阻挡层,该顶部阻挡层包括自下而上堆叠的氮化钛层与氮化钽层;在顶部阻挡层上形成金属栅。本发明利用多层顶层阻挡层结构的金属栅极结构有效阻挡了金属穿透,解决了由金属穿透造成的器件电学性能不稳定、器件失效的问题,并且不需要增加光罩,降低了成本,也不需要增加制程步骤,工艺简单,提高了工艺价值。
  • 一种金属栅极结构及其形成方法
  • [发明专利]用于集成电路的动态设计流程的生成-CN202080032569.X在审
  • 陈品翰 - 斯法夫股份有限公司
  • 2020-05-01 - 2021-12-14 - G06F30/398
  • 公开了用于生成用于集成电路的动态设计流程的系统和方法。例如,该方法可以包括:访问设计流程配置数据结构,其中,设计流程配置数据结构以工具控制语言编码;基于设计流程配置数据结构,从一组流程模块中选择多个流程模块,其中,每个流程模块以工具控制语言向相应的电子设计自动化工具提供应用编程接口;基于设计流程配置数据结构,将设计流程生成为包括所选流程模块作为顶点的有向无环图;以及基于一个或多个输入的集成电路设计数据结构,使用设计流程控制所选流程模块的相应电子设计自动化工具,生成输出的集成电路设计数据结构。
  • 用于集成电路动态设计流程生成
  • [发明专利]能收折及展开的椅架-CN202110955325.5在审
  • 陈德隆;陈品颐;陈品翰 - 陈德隆
  • 2021-08-19 - 2021-11-09 - A47C7/00
  • 一种能收折及展开的椅架,包含一椅座单元、一椅背单元、两椅脚单元、两扶手单元、一第一连杆单元,以及两枢杆单元。该椅背单元包括两根左右间隔且上下延伸并枢接该椅座单元的背杆。每一椅脚单元包括一根枢接该椅座单元其中一侧的前脚杆,以及一根枢接该前脚杆并通过一穿套件枢接该椅座单元同一侧的后脚杆。每一扶手单元设置在其中的一个所述椅脚单元上,并枢接其中一根背杆。该第一连杆单元枢接于所述两根背杆间。每一枢杆单元的其中一端枢接该第一连杆单元,另外一端枢接其中的一个扶手单元。本发明具有可从正面操作以展开或收合的特点。
  • 能收折展开

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