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[发明专利]复杂结构对象转换成平面化数据的方法、设备和存储介质-CN201510642171.9有效
发明人：吴绽青;丁晶;王友荣;解玉洁;郑颖妍;毛智东 -专利权人：伊姆西IP控股有限责任公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06F16/25 文献下载
摘要：本发明的各实施方式总体上涉及将复杂结构对象转换成平面化数据。具体地，各示例涉及将复杂结构属性转换成平面化数据。配置捕获组件分析与复杂结构属性集相关联的对象集。配置捕获组件执行散列类型转换以将嵌套对象属性转换成平面化数据。配置捕获组件执行数组类型转换以将嵌套数组属性转换成平面化数据。平面化数据被存储或导入在平面化数据文件集中。展开组件将平面化数据文件转换回复杂结构属性，而不丢失或损坏复杂结构数据。
复杂结构对象转换平面化数据方法设备存储介质

[发明专利]半导体器件的金属化-CN98105194.4无效
发明人：德克·托本;布鲁诺·施普勒;马丁·古奇;彼得·韦甘德 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-03-31 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种用于在一个基片上形成多条导线的方法，包括步骤：在基片的表面形成一个相对非平面的金属层；在该金属层的表面上沉积自平面化材料，以形成与相对非平面的金属层相比具有相对平面的表面的平面化层；在平面化层的表面沉积一个光致抗蚀层；对光致抗蚀层构图，使其形成掩模，以便选择性地暴露平面化层；在平面化层的暴露部分和平面化层暴露部分之下的非平面的金属层上蚀刻出沟槽，以形成导线，其中这些导线被沟槽隔离开。
半导体器件金属化

[发明专利]柔性有机发光二极管显示器及其制作方法-CN201810816005.X在审
发明人：邬可荣;崔昇圭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述制作方法包括：在一柔性衬底上形成一主动阵列层；在所述主动阵列层上形成一平面化层；对所述平面化层进行光蚀刻，使得所述平面化层的一上表面的至少一部份形成一不平整的表面；在所述平面化层的不平整的表面上成一阳极层；在所述阳极上形成一有机发光显示层；在所述有机发光显示层上形成一阴极层；在所述阴极层与所述平面化层上形成一保护层，以覆盖所述阴极层与所述平面化层。
平面化层阴极层柔性有机发光二极管有机发光显示主动阵列显示器平整制作阳极保护层光蚀刻上表面阳极层衬底覆盖

[发明专利]三层抗蚀剂有机层蚀刻-CN200710142651.4有效
发明人： S·S·康;S·J·曹;T·蔡;T·韩 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在所述多孔低－k介电层上形成一有机平面化层，其中，所述有机层填充所述通孔。在所述有机平面化层上形成一光致抗蚀剂掩模，在所述有机平面化层中蚀刻出特征，其包括提供含有CO₂的蚀刻气体并将含有CO₂的蚀刻气体形成等离子体，用它来蚀刻所述有机平面化层使用所述有机平面化层作为掩模，在所述多孔低－k介电层中蚀刻出沟槽。剥离所述有机平面化层。
三层抗蚀剂有机蚀刻

[发明专利]用于高级微电子应用的平面化薄膜及其生产装置和方法-CN200380110394.6无效
发明人： W·黄;J·肯尼迪;R·卡特萨尼斯 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G03C1/00 文献下载
摘要：本文中披露了一种平面化组合物，其包括：a)结构组分；和b)溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。另外，本文中披露了另一种平面化组合物，其包括：a)基于甲酚的聚合物化合物；和b)包含至少一种醇和至少一种基于醚乙酸酯的溶剂的溶剂体系。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。本文中还披露了一种层状元件，其包括：a)具有表面形貌的基质；和b)例如本文中所述的那些的平面化组合物或薄膜，其中该组合物被偶合到基质上。本文中还披露了形成平面化组合物的方法，其包括：a)提供一种结构组分；b)提供一种溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量；和c)将结构组分和溶剂体系共混以形成平面化组合物还披露了形成薄膜的方法，其包括：a)提供一种例如本文中所披露的那些的平面化组合物；和b)将至少部分溶剂体系蒸发以形成薄膜。
用于高级微电子应用平面化薄膜及其生产装置方法

[发明专利]形成电极或像素电极的方法和一种液晶显示设备-CN01804122.1无效
发明人： H·塔纳卡;Y·哈塔 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2001-09-26 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：依照本发明，使用光掩模(20)将平面化膜(9)曝光，然后进行显影，以给平面化膜(9)提供凹槽(9b)。最后，在包含那些凹槽(9b)的平面化膜(9)上形成像素电极(10)。
形成电极像素方法一种液晶显示设备

[发明专利]适用于使用在光电装置中的层系统以及用于以连续卷绕式工艺制造层系统的方法-CN201780082571.6在审
发明人：尼尔·莫里森;乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波;海克·兰特格雷夫;斯蒂芬·海因;托比亚斯·斯托利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：该层系统包含柔性基板(101)、设置在柔性基板(101)上的平面化层(110)和设置在平面化层(110)上的透明导电氧化物层(120)，其中平面化层(110)构造成包覆柔性基板(101)上的多个缺陷，且其中平面化层构造成共价结合到柔性基板的表面
平面化层柔性基板光电装置透明导电氧化物层连续卷绕式工艺制造共价结合包覆

[发明专利]平面化腐蚀半导体器件的方法-CN98103051.3有效
发明人：朴桂仙;金贤洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-07-21 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面化腐蚀半导体器件以使微痕发生频率最小化的方法，其中制备老化至少两小时的悬浮液以平面化腐蚀形成在半导体衬底上的层。在老化期间较重的悬浮颗粒聚集在容器的下部。除了重颗粒之外，容器上部的悬浮液可用于平面化腐蚀层。根据制造半导体器件的这种方法，至少老化悬浮液两个小时，由此在平面化腐蚀工艺期间使较重悬浮颗粒的微痕发生频率最小化，并且悬浮液的质量几乎不影响平面化腐蚀工艺。
平面化腐蚀半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01124865.3有效
发明人：山崎舜平;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-06-28 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件包括衬底;为了与衬底接触形成的遮蔽膜;为了覆盖遮蔽膜形成在衬底上的平面化绝缘膜;为了与平面化绝缘膜接触形成的半导体层。半导体器件的特征在于遮蔽膜与半导体层叠加、并且平面化绝缘膜夹在它们之间,并且在半导体层形成之前通过CMP对平面化绝缘膜抛光。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]投射阴影的自动陷印-CN200780043908.9有效
发明人： S·R·亚汉恩;R·史蒂文森;D·R·贝克尔 -专利权人：奥多比公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G06T15/50 文献下载
摘要：对于毗邻包括投射阴影的原子区域的至少一个分段，以及对于分段的每一侧，确定该侧毗邻的原子区域的第一平面化颜色，以及如果该原子区域包括投射阴影，则另外确定忽略投射阴影颜色的第二平面化颜色。确定来自该侧第一平面化颜色的有效中性密度，如果该侧具有第二平面化颜色，则确定该侧的第二平面化颜色。基于针对各侧的有效中性密度来陷印毗邻于分段的两个原子区域。
投射阴影自动

[发明专利]边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法-CN201510509173.0有效
发明人： A.莱尔;C.内尔茨;C.鲁姆博尔茨;S.哈陶尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：所述边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层嵌入到π形截面波导中，使得π形截面波导的表面（21）和平面化层的表面（22）构成平坦的主面（4）。在平面化层和半导体层堆叠（2）之间至少局部地布置蚀刻停止层（6），其中所述平面化层（3）具有至少两个相叠布置的区域（3a、3b），并且所述平面化层（3）的与所述半导体层堆叠邻接的区域（3b）包含至少一种掺杂物质
平面化层半导体激光二极管半导体层堆叠边缘发射截面波导面化外延半导体层电磁辐射蚀刻停止层掺杂物质邻接活性层堆叠相叠主面嵌入制造平坦

[发明专利]一种基于贪心的城市交通图平面化方法-CN201911307915.6在审
发明人：孙鹏;黄志豪;刘伟;吴苏平 -专利权人：南京富士通南大软件技术有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G06T11/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于贪心的城市交通图平面化方法，提取出交通拓扑图中的所有强连通分量，根据图论基础理论，将各强连通分量平面化并进行拼接，从而实现对整个交通拓扑图的平面化。该方法在求最大可平面子图的同时，完成最大可平面子图的平面化。本发明在大部分情况下都能取得不错的结果，优点是易于实现、效率高，并且很容易根据具体应用场景调整实现细节。
一种基于贪心城市交通图平面化方法

[发明专利]像素阵列基底结构、其制造方法、显示设备和电子装置-CN201110428133.5有效
发明人：永泽耕一;玉置昌哉;林宗治;加边正章;福永容子 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素阵列基底结构，包括：顺序堆叠在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成电路单元；以及在第一和第二平面化膜之间形成的中继配线，其中中继配线将第一接触部分电连接到第二接触部分，第一接触部分形成在第一平面化膜上并且连接到电路单元，第二接触部分形成在第二平面化膜上、当从上面观看时不同于第一接触部分的位置。
像素阵列基底结构制造方法显示设备电子装置

[发明专利]缺陷平面化-CN201680017309.9有效
发明人： P·J·赖利;D·A·贝思克;K·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的多个方面涉及在图案化的基板上形成平面非晶碳层的方法。根据本文所概述的实施例形成的层可通过以下方式来提高制造良率：无论下层拓扑或化学计量变化如何都使非晶碳层的顶表面更平面。本文中所述的方法可以包括：以相对于烃的相对高的比率将含氢前体引入基板处理区域中，并且同时将局部等离子体功率电容性地施加至基板处理区域以形成平面层。
缺陷平面化

[发明专利]发光显示设备-CN201510779389.9有效
发明人：金律局;金圣雄 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：发光显示设备包括衬底、平面化图案、第一电极、像素限定层、有机层以及第二电极，其中衬底包括设置在第一方向和与第一方向相交的第二方向的多个像素，该多个像素包括第一主像素块和第二主像素块；平面化图案设置在衬底上；对于多个像素的每个像素，第一电极位于平面化图案上；像素限定层在衬底上划分各像素并且具有用于暴露第一电极的开口；有机层位于第一电极上；以及第二电极位于有机层上，其中第二主像素块中的像素的平面化图案的厚度大于第一主像素块中的像素的平面化图案的厚度
发光显示设备

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