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[发明专利]一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法-CN202210369502.6在审
发明人：刘韬;陈宜方;陆冰睿;仇旻;童徐杰;解钰莹 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的计算，基于实验光刻版图、初始电子束能量和电子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶材料、厚度和对比度实验数据的情况下，计算冰刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌，包括极低温度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺的光刻形貌预测提供参考，在实验制备层面为冰刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导，具有针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的优点。
一种电子束刻工光刻形貌计算方法

[发明专利]一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法-CN201710033236.9有效
发明人：万景;邵金海;邓嘉男;陆冰睿;陈宜方 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏区域为金属‑半导体的肖特基接触，无须任何掺杂；沟道为不掺杂或者低掺杂；正栅极覆盖沟道的部分区域且一般在沟道中间，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理基于绝缘层上硅的动态耦合效应，背栅施加电压后会在沟道的背面形成导电的高载流子层；此时，正栅极在瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应产生深度耗尽，夹断背部的导电层；而光产生的载流子在正栅极下的沟道处聚集，从而隔绝正栅极对于背部导电沟道的耗尽，使得器件能被光触发而导通。相较于普通的光电反偏二极管，此器件具有工作电流高和易于组成传感阵列等优点。
一种基于动态耦合效应半导体光电传感器及其制备方法

[发明专利]一种可见光与近红外光的双波段光电探测器及其制备方法-CN201910713693.1在审
发明人：陈宜方;邓嘉男;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，具有为一种可见光与近红外光的双波段光电探测器及其制备方法。本发明的可见光与近红外光的双波段光电探测器件，是基于二维过渡金属硫化物TMDCs/铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAlAs)异质结的，其中，二维TMDCs是可见光敏感层，InGaAs是沟道层，同时也是近红外光敏感层；TMDs与InGaAs为n型掺杂，InAlAs为本征掺杂，TMDCs与InGaAs/InAlAs接触时产生一个没有内建电场的n‑i‑n型异质结。本发明将可见光与近红外光的双波段探测集成于单个器件，与高度成熟的传统三五族半导体器件工艺相兼容，有助于实现高灵敏度，宽探测频谱的光电探测器。
可见光近红外光光电探测器双波段敏感层异质结二维探测半导体器件工艺过渡金属硫化物光电探测器件本征掺杂单个器件高灵敏度内建电场沟道层铟铝砷铟镓砷频谱制备兼容成熟

[发明专利]无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法-CN201811075983.X有效
发明人：陈宜方;李欣;徐晨;张思超;朱静远;谢珊珊;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域，具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括：在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层，然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板，并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金，最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构，从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定，并适用于大高宽比的金属结构的制备。
波带片透镜高宽比硅模板制备电感耦合等离子体刻蚀悬空衬底支撑光刻胶电镀厚金去除深反应离子刻蚀电子束光刻光刻胶掩膜刻蚀掩蔽层成像领域工艺稳定金属结构设计图形硬X射线残余的衬底硅硅结构结合金可控性波带衬底上旋应用

[发明专利]多通道全硅基红外光热电探测器及其制作方法-CN201910685026.7在审
发明人：陈宜方;冯波;陆冰睿;朱静远;刘飞飞;周磊 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体一种多通道全硅基红外光热电探测器及其制作方法。探测器结构包括：一顶层为n型掺杂的SOI衬底；一平行分布的硅纳米线阵列制备于SOI衬底的氧化硅层之上、顶层硅之中；一个二维超表面构筑并集成在硅纳米线阵列之中，该超表面由纳米尺度的金属天线组成；一对覆盖在硅纳米线列阵两端顶部对延伸电极。该探测器的探测波段不受传统探测器的半导体材料带间直接或间接跃迁的限制，能够覆盖整个1‑3μm波段。本发明解决了全硅材料不能工作在波长大于1.1μm红外波段的难题，实现与硅基CCD器件或CMOS读出电路完全兼容和集成，可以发展成多通道、高分辨、大面积焦平面像素列阵的红外光电芯片，具有广泛的应用前景。
硅纳米线阵列多通道衬底红外光半导体材料传统探测器热电探测器探测器结构读出电路光电探测硅纳米线红外波段红外光电金属天线纳米尺度平行分布全硅材料探测波段像素列阵延伸电极氧化硅层顶层硅高分辨焦平面波长波段顶层探测器二维覆盖硅基列阵全硅跃迁制备兼容芯片构筑制作应用

[发明专利]一种半导体场效应正反馈器件-CN201710064235.0有效
发明人：万景;邓嘉男;邵金海;陆冰睿;陈宜方 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明属于半导体场效应管技术领域，具体为一种的半导体场效应正反馈馈器件。本发明器件建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的阴极和阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。临近沟道的是被栅极侧墙所覆盖的低掺杂区域。与一般的场效应正反馈器件相比，如Z²‑FET，本发明提出的器件结构具有对称性，可使用完全自对准的工艺，与MOSFET的工艺完全兼容。此器件不但保留了场效应正反馈器件的低亚阈摆幅和栅控回滞输出特性，可广泛应用于开关，存储器和静电保护等，而且工艺成本更低，工艺难度更小。
一种半导体场效应正反馈器件

[发明专利]一种半导体光电传感器-CN201611212045.0有效
发明人：万景;邓嘉男;邵金海;陆冰睿;陈宜方 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-12-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。
绝缘层上硅载流子半导体光电传感器动态耦合注入势垒场效应正反馈衬底半导体器件技术发明传感器正反馈器件反型掺杂工作电流工作机理沟道区域器件结构瞬态电压背栅极低掺杂光触发结合场导通沟道偏置源漏掺杂响应调控覆盖

[发明专利]一种具有扩展电极的芯片级封装结构-CN201810007923.8在审
发明人： 陆冰睿;张思超;王善力 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有扩展电极的芯片级封装结构，包括底部设第一电极的芯片，芯片出光面上设荧光粉浓度记作w1的第一浓度荧光层，形成封装体A，且芯片出光面的侧面＜10%面积被第一浓度荧光层覆盖；封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明或透明状的荧光粉浓度记作w2的第二浓度荧光层，形成封装体B，且w1＞w2；封装体B的侧面和芯片底部还设与封装体B配合且包裹第一电极的不含荧光粉的无机绝缘反射层，无机绝缘反射层的底部设通孔，该通孔内连接有第二扩展电极，第二扩展电极的间距大于第一电极的间距，且其顶面与第一电极、芯片及无机绝缘反射层均接触。本发明的优点在于：扩展电极的设置，可降低后期电极对准等工艺流程的工艺精度要求。
扩展电极封装体第一电极荧光粉芯片无机绝缘反射层荧光层芯片级封装结构侧面顶面通孔工艺精度要求电极对准工艺流程半透明内连接透明状覆盖配合

[发明专利]发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法-CN201711464632.3在审
发明人：云峰;张思超;王善力;陆冰睿 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法，所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元，所述发光像素单元设置在衬底上；在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。本发明的优点在于：本发明发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件，将发光像素单元和控制单元设置在同一衬底上，与控制单元与发光单元通过bonding结合方式相比，大大降低了工艺精准要求；同时，该结构的设置也能适用于尺寸较小的二极管芯片，特别是微米量级的二极管芯片，从而可提高显示器件的分辨率，进而能够延长发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的使用寿命。
发光二极管LED 激光二极管LD 阵列器件发光像素单元衬底二极管芯片制备发光单元结合方式密集排布使用寿命微米量级显示器件分辨率发光

[实用新型]一种具有波长选择性输出的发光装置-CN201720390632.2有效
发明人：吴自力;陈宜方;陆冰睿;梁宗文;孙智江 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有波长选择性输出的发光装置，包括自下而上依次设置的发光光源和介质层或发光光源、荧光层和介质层，且在介质层上制备有单模或多模光纤结构，所述光纤直径为1～50000nm，单根光纤长度为0.01～5000µm。本实用新型的优点在于：本实用新型具有波长选择性输出的发光装置，采用在发光源的出光面上制作单模或多模光纤，通过调制光纤的直径，占空比和高度，能够实现波长的选择性输出，使得输出光的半高宽减小，单色性更好，可以精确定义发光的中心波长。
本实用新型波长选择性发光装置介质层多模光纤发光光源单模输出光纤选择性输出单根光纤依次设置中心波长半高宽单色性发光源输出光荧光层占空比波长减小调制制备发光制作

[实用新型]一种基于芯片级封装的发光二极管-CN201720197040.9有效
发明人：梁宗文;陈宜方;陆冰睿;吴自力;孙智江 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于芯片级封装的发光二极管，包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构；所述周期性纳米图形结构的周期为10～2000 nm，高度为10～2000 nm。本实用新型的优点在于本实用新型基于芯片级封装的发光二极管，采用在发光源的出光面上制作周期性纳米图形结构，通过调整纳米图形的周期和高度，能够增加LED芯片出射光的透过率，从而能够有效地提高LED的发光效率和亮度。
一种基于芯片级封装发光二极管

[发明专利]一种电子束曝光制备10纳米T型栅的方法-CN201510322328.X有效
发明人：陈宜方;邵金海;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-06-13 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于微电子元器件技术领域，具体为一种电子束曝光制备10 纳米T型栅的方法。本发明采用电子束套刻曝光和反应离子刻蚀相结合的工艺，其步骤包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光设计版图，蒸发金属剥离后反应离子刻蚀形成台面，在刻蚀好台面的样品上再次旋涂电子束光刻胶，利用电子束精密套刻技术形成T型形貌，再蒸发金属后剥离形成T型金属电极，从而利用电子束套刻在器件源漏之间制备10纳米T型栅。本发明方法不仅能够显著降低T型栅的脚部尺寸，还能制备头部很宽的T型栅，降低器件的栅电阻和提高器件的截止频率，在制作镓氮基和铟磷基高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。
一种电子束曝光制备 10 纳米方法

[发明专利]一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法-CN201510327352.2有效
发明人：陈宜方;张思超;邵金海;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法。本发明首先在硅基底上采用旋涂法依次交替旋涂两种不同灵敏度的光刻胶若干层，然后利用电子束光刻对光刻胶进行曝光，再利用两种显影液对曝光后的样品进行交替显影，最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构，如仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明结合多层胶技术与电子束光刻技术，制备过程中不需要生物模板，并且能够控制每层胶的旋涂厚度，实现对纵向树枝状周期和占空比的精确控制，制备工艺简单，能得到不同结构参数的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。
一种制备蝴蝶翅膀仿生结构方法

[发明专利]一种具有波长选择性输出的发光装置-CN201710243610.8在审
发明人：吴自力;陈宜方;陆冰睿;梁宗文;孙智江 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有波长选择性输出的发光装置，包括自下而上依次设置的发光光源和介质层或发光光源、荧光层和介质层，且在介质层上制备有单模或多模光纤结构，所述光纤直径为1～50000nm，单根光纤长度为0.01～5000 µm。本发明的优点在于本发明具有波长选择性输出的发光装置，采用在发光源的出光面上制作单模或多模光纤，通过调制光纤的直径，占空比和高度，能够实现波长的选择性输出，使得输出光的半高宽减小，单色性更好，可以精确定义发光的中心波长。
一种具有波长选择性输出发光装置

[发明专利]自对准双层X射线波带片的制备方法-CN201510325463.X有效
发明人：陈宜方;刘建朋;陆冰睿;李欣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-06-13 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳米电镀的工艺,得到双层的X射线波带片结构；利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，最后通过离子反应刻蚀将表面的种子层刻蚀，得到具有双层结构的X射线的波带片。本发明工艺条件稳定、可控制，图形的一致性好，且成本低；制备出的X射线波带片具有超高高宽比，衍射效率高，空间分辨率高。
对准双层射线波带片制备方法

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