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[发明专利]太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统-CN201880087774.9有效
发明人：芝崎聪一郎;山崎六月;山本和重;保西祐弥 -专利权人：株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供廉价且转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有第一p电极(1a)与第二p电极(1b)层叠而成的p电极(1)、与第一p电极(1a)直接相接的p型光吸收层(2)、与p型光吸收层(2)直接相接的n型层(3)和n电极(4)。在p型光吸收层(2)与第二p电极(1b)之间配置第一p电极(1a)。在n型层(3)与第一p电极(1a)之间配置p型光吸收层(2)。在p型光吸收层(2)与n电极(4)之间配置n型层(3)。第一p电极(1a)由以Sn作为主要成分的金属的氧化物形成。
太阳能电池多结型模块太阳光发电系统

[发明专利]背接触太阳电池及生产方法、背接触电池组件-CN202010544465.9有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供了背接触太阳电池及生产方法、背接触电池组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳电池包括硅基底，硅基底的背光面分为第一区域和第二区域；第二区域经掺杂形成第二载流子收集端；金属氧族化合物层，沉积于整个硅基底的背光面上；金属氧族化合物层与第一区域对应的区域形成第一载流子收集端；金属氧族化合物层与第二区域对应的区域形成第二载流子传输区；第一电极，对应设置在第一载流子收集端上；第二电极，对应设置在第二载流子传输区上。金属氧族化合物层的不同区域分别实现了第一载流子和第二载流子的收集传输，不需要额外的对位和电学隔离，工艺简单，降低了复合，提升了光电转换效率，且不会产生反向pn结，工艺选择窗口宽。
接触太阳电池生产方法电池组件

[发明专利]具有恰好四个子电池的单片的多结太阳能电池-CN202011019140.5有效
发明人： M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：具有恰好四个子电池的单片的多结太阳能电池，其中，四个子电池中的每个都具有一个发射极和一个基极，并且最上方的第一子电池具有由具有元素AlInP的化合物制成的层，该层的晶格常数a1在0.572nm至0.577nm之间，并且铟含量处于64％和75％之间，并且Al含量处于18％和32％之间，并且第三子电池具有由至少具有元素GaInAs的化合物制成的层，并且该层的晶格常数处于0.572nm和0.577nm之间，并且该层的铟含量大于17％，第二子电池包括由至少具有元素GaInAsP的化合物制成的层，其中，该层具有22％至33％之间的砷含量和52％至65％之间的铟含量，并且晶格常数a2处于0.572nm和0.577nm之间。
具有恰好个子电池单片太阳能电池

[发明专利]一种砷化镓激光光伏电池及其制备方法-CN202011359049.8有效
发明人：朱明星;李华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本公开涉及一种砷化镓激光光伏电池，包括至少一个砷化镓子电池，每个所述砷化镓子电池包括由基区材料构成的基区和由发射区材料构成的发射区，其中，所述基区材料的禁带宽度适于吸收激光源发出的激光，所述发射区材料的禁带宽度大于1.54ev。根据本发明实施例的GaAs激光光伏电池及其制备方法，电池的发射区采用禁带宽度大于1.54eV的材料，不会吸收激光源发出的激光，只有基区作为激光吸收层，因而降低了电池吸收层厚度设计和优化难度，有利于减小吸收层厚度误差，提升电池性能。
一种砷化镓激光电池及其制备方法

[发明专利]用于制造太阳能电池的方法及由此制造的太阳能电池-CN202180087242.7在审
发明人：郑光浩 -专利权人：韩华思路信株式会社
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造太阳能电池的方法及由此制造的太阳能电池，所述方法包括用于制造其中第一电极层、空穴传输层(HTL)、光活性层、电子传输层和第二电极层依次层叠的叠层的步骤，其中，所述空穴传输层或所述电子传输层通过施加并干燥分散液而形成，所述分散液包括用羧酸(R‑COOH)进行表面改质的金属氧化物、分散溶剂以及氢氧化物。
用于制造太阳能电池方法由此

[发明专利]一种图形化隧穿层的叠层太阳能电池及制备方法-CN202310668248.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明提出了一种图形化隧穿层的叠层太阳能电池，包括底电池、图形化隧穿层以及顶电池，通过在晶硅钙钛矿叠层电池之间设置一层多个阵列分布的柱体组成的图形化隧穿层，增加了光透过率，减少器件的吸光损失，从而提高了光电转换效率以及器件的短路电流密度；同时，采用多个柱体组成的隧穿层还具有横向不导通性，减少了器件的非复合损失，光电转换效率更优。
一种图形化隧穿层太阳能电池制备方法

[发明专利]一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法-CN201710725701.5有效
发明人：张银桥;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、DBR1、中电池、第二隧穿结、DBR2、顶电池和N型接触层。本发明还公开了上述抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法。本发明中电池采用InxGa1‑xAs材料，禁带宽度1.1～1.4eV，顶电池采用GayIn1‑yP材料，禁带宽度为1.6～1.9eV，采用DBR1和DBR2的形式释放应力和过滤位错，有效解决外延片的翘曲状况和改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池的成品率及性能；另一方面，由于采用DBR1和DBR2的过渡形式，可以提高电池对太阳光的吸收，提高抗辐照性能。
一种具有辐照结构高效级联砷化镓太阳电池及其制造方法

[发明专利]一种晶格失配四结量子阱太阳电池-CN202310330265.7在审
发明人：张启明;万荣华;高伟;张宝;高慧;张文涛;马长金;刘长喜 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶格失配四结量子阱太阳电池，自下而上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P阻挡层、GaAs接触层、(AlhGa1‑h)0.5In0.5P电池、第一隧道结、AlyGa1‑yAs电池、第二隧道结、包含量子阱结构的GaAs电池、第三隧道结、晶格渐变缓冲层、Ga1‑xInxAs电池、布拉格反射器DBR和帽层；其中：所述GaAs电池包括n型掺杂的n‑GaAs发射区或n‑Ga0.5In0.5P发射区、GaAs1‑ePe/Ga1‑fInfAs量子阱和p型掺杂的p‑GaAs基区。GaAs电池包含量子阱结构，本发明可在不改变晶格常数的前提下，拓展GaAs电池的吸收光谱，提高量子效率；晶格渐变缓冲层采用和DBR相结合的方式，可在提高抗辐照能力和晶体质量的同时，减少了生长时间。
一种晶格失配量子太阳电池

[发明专利]一种锗基叠层太阳电池及制备方法-CN201911355509.7有效
发明人：张恒;刘如彬;张启明;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗基叠层太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域，其特征在于：包括基于GaAs衬底反向生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaxIn1‑xAs四结太阳电池；基于Ge衬底正向生长的晶格失配的GayIn1‑yAs/Ge双结太阳电池；所述四结太阳电池和双结太阳电池采用键合的方法集成为AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaxIn1‑xAs/GayIn1‑yAs/Ge六结太阳电池。在上述技术方案中，锗基叠层太阳电池的外延过程仅涉及两个晶格渐变缓冲层，且该六结太阳电池的部分器件制备工艺可以与目前技术应用成熟的Ge基三结太阳电池器件工艺相兼容，有助于降低电池的制备难度和成本。
一种锗基叠层太阳电池制备方法

[发明专利]单片的变质的多结太阳能电池-CN202110783595.2有效
发明人： M·莫伊泽尔;A·贝格;P·施罗特;S·施赖埃尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：一种单片的变质的多结太阳能电池，包括：第一III‑V族子电池，第二III‑V族子电池，第三III‑V族子电池，第四Ge子电池，其中，所述子电池以所说明的顺序彼此相继堆叠，所述第一子电池构造最上方的子电池，在所述第三子电池和所述第四子电池之间构造变质缓冲层，所有子电池分别具有n掺杂的发射极层和p掺杂的基极层，在所述第二子电池中，所述发射极层的厚度大于所述基极层的厚度。
单片变质太阳能电池

[发明专利]一种三结叠层太阳能电池及其制备方法-CN202310434268.5在审
发明人：杨莹;丁蕾;何永才;张富;徐希翔;何博;刘童;张华 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本申请公开了一种三结叠层太阳能电池，包括：依次层叠设置的第一太阳能电池、第二太阳能电池以及第三太阳能电池，将所述第一太阳能电池的带隙视为a、第二太阳能电池的带隙视为b、第三太阳能电池的带隙视为c，abc，a的取值范围为2.0ev‑2.5ev，b的取值范围为1.4ev‑1.7ev，c的取值范围为1.1ev‑1.5ev。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法。本申请提供的三结叠层太阳能电池，采用三层叠层结构，三层叠层结构的电池带隙从上到下依次减小，使得所述太阳能电池不仅可以保证全光谱吸收，带隙可调性大，提高电池性能，而且还可以降低成本、简化制备工艺。
一种三结叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池-CN201911281644.1有效
发明人： D·富尔曼;R·范莱斯特;M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池，其具有：至少一个第一子电池，第一子电池具有第一带隙、第一晶格常数，并且超过50％由锗组成；布置在第一子电池上方的第二子电池，第二子电池具有第二带隙和第二晶格常数；布置在第一子电池和第二子电池之间的变质缓冲部，变质缓冲部包括至少三个层的序列，三个层具有在第二子电池的方向上逐层增大的晶格常数；布置在变质缓冲部和第二子单元之间的第一隧道二极管，第一隧道二极管具有n+层和p+层，其中，第二带隙大于第一带隙，第一隧道二极管的n+层包括InAlP，第一隧道二极管的p+层包括含As的III‑V族材料，在n+层和p+层之间布置有中间层，中间层分别比n+层更薄且比p+层更薄。
堆叠单片变质太阳能电池

[发明专利]一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池-CN202310330266.1在审
发明人：万荣华;张启明;高伟;张宝;高慧;张文涛;马长金;刘长喜 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池，包括锗衬底，所述锗衬底的顶部从下至上依次为GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一遂穿结、(AlcGa1‑c)1‑bInbAs/(AldGa1‑d)1‑bInbAs DBR、Ga1‑xInxAs电池、第二遂穿结、(AlcGa1‑c)1‑bInbAs/(AldGa1‑d)1‑bInbAs DBR、Ga1‑eIneAs1‑mP1‑m电池、第三遂穿结、(AlfGa1‑f)1‑yInyP电池和帽层；其中，(AlcGa1‑c)1‑bInbAs/(AldGa1‑d)1‑bInbAs DBR为非线性渐变失配层，初始层至目标渐变层In的组分b从下至上从0.01非线性渐变到x，非线性渐变失配层中每层In按照比例i过冲回调。可实现每层均调整或减缓失配应力，另外设计以DBR结构的过冲层时，可以减小该层材料设计中In的过冲范围，以较小过充量释放薄膜材料中应力缺陷，从而生长出高晶体质量的失配层材料。
一种基于冲回调非线性渐变失配正向太阳电池

[发明专利]叠层太阳能电池-CN202111578182.7在审
发明人：崔巍;姚铮 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层太阳能电池，包括背面电极、底层电池、顶层电池、正面电极、位于所述底层电池和所述顶层电池中间的结间导电层，所述结间导电层包括至少两层透明导电薄膜，不同的所述透明导电薄膜的功函数不同。相较于现有技术，本发明通过改善叠层电池结间导电层的性质，能够很好地匹配两侧的电池能级，且使得能带从底层电池到所述顶层电池的过渡更加连续，从而降低其与两侧电池的接触电阻，有助于改善载流子传输，提升电池FF，有效提高电池转化效率，对叠层电池及光伏行业的发展都有重要的意义。
太阳能电池

[发明专利]一种锗基晶格失配四结太阳电池-CN202011517196.3有效
发明人：张恒;孙强;刘如彬;张启明 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗基晶格失配四结太阳电池，属于太阳电池技术领域，其特征在于，自下而上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、(AlGa)1‑bInbAs第一晶格渐变缓冲层、(AlGa)1‑xInxAs/(AlGa)1‑xInxAs第一布拉格反射镜、Ga1‑xInxAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)1‑cIncP第二晶格渐变缓冲层、AlGaAs/AlGaAs第二DBR，Al1‑zGazAs子电池、第三隧穿结、(AlGa)1‑vInvP子电池、GaInAs帽层；通过采用上述技术方案，本发明中的锗基晶格失配四结太阳电池具有光电转换效率高、抗辐照性能好的优点。
一种晶格失配太阳电池

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