专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光波导、单光子源及光波导的制作方法-CN201780078477.3有效
  • 魏宇佳;张臣雄 - 华为技术有限公司
  • 2017-11-07 - 2021-01-15 - H01L29/225
  • 一种光波导(10)、单光子源(30)及光波导(10)的制作方法,光波导(10)包括:调控电极(103)、无源波导(101)和位于无源波导(101)之上的有源波导(102);有源波导(102)包括:位于无源波导(101)之上的第一掺杂层(102a)、位于第一掺杂层(102a)之上的中性有源层(102b)、以及位于中性有源层(102b)之上的第二掺杂层(102c),第一掺杂层(102a)和第二掺杂层(102c)电性相反,中性有源层(102b)含有量子点;调控电极(103)包括第一电极(103a)和第二电极(103b);第一掺杂层(102a)上形成有第一电极部(104),第一电极部(104)上形成有第一电极(103a);第二掺杂层(102c)上形成有第二电极部(105),第二电极部(105)上形成有第二电极(103b)。由于第一掺杂层(102a)和第二掺杂层(102c)上分别形成有第一电极(103a)和第二电极(103b),通过对第一电极(103a)和第二电极(103b)施加电压,在第一掺杂层(102a)和第二掺杂层(102c)之间形成一电场,调控电场能够对发光波长进行调节。
  • 波导光子制作方法
  • [发明专利]一种单层MoS2-CN201911084034.2在审
  • 张永哲;李毓佛;陈永锋;王佳蕊;安博星;马洋;严辉 - 北京工业大学
  • 2019-11-07 - 2020-02-18 - H01L29/225
  • 一种单层MoS2‑WS2横向异质结的制备方法,属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理,实现对应钼、钨两种金属的前驱体源在不同温度挥发,通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质结。本发明生长横向异质结的方法是,在可精确控温的管式炉中,使用惰性气体作为反应源(钼源、钨源和硫源)的输运气体,控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质结。本发明制备的单层MoS2‑WS2横向异质结,具有微米级清晰的异质结分界线,横向尺寸可达到一百微米以上。该方法生长过程可控性高,能够有效的扩宽生长温度窗口,降低生长温度,实现尺寸、界面可控生长。
  • 一种单层mosbasesub

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