[发明专利]拼接产品的图形拼接方法在审
| 申请号： | 202111409200.9 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN116165839A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 朱晓斌;郑海昌;陈力钧;王晓龙;张煜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种拼接产品的图形拼接方法，包括：步骤一、提供拼接产品的芯片设计版图；步骤二、根据芯片设计版图设计光罩版图，包括：步骤21、设置单元光罩图形；步骤22、将单元区之间的相邻区域的逻辑图形或切割道图形合并在一起来设置对应的周边光罩图形；步骤23、将各相同的周边光罩图形合并为一个；步骤24、将单元光罩图形和各周边光罩图形组成光罩版图并形成在光罩上；步骤三、进行重复曝光形成拼接产品，包括：在单元区采用单元光罩图形进行重复曝光直至定义出单元区的所有单元电路图形；在周边区采用对应的周边光罩图形进行重复曝光在芯片上形成各逻辑图形和各切割道图形。本发明能减少光罩图形的数量、减少曝光次数和曝光时间。 | ||
| 搜索关键词： | 拼接 产品 图形 方法 | ||
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- 2021-12-15 - 2022-06-24 - G03F1/70
- 提供了管理临界尺寸误差的方法和制造光掩模的方法。管理临界尺寸误差的方法包括：(i)在光掩模中限定具有宽度的N个开口，其中，N是自然数；(ii)使用针对N个开口中的每个的曲线图，获得ILS
- 基于套刻标识掩模的优化方法、装置和设备-202210085552.1
- 兰涛明 - 东方晶源微电子科技(北京)有限公司
- 2022-01-25 - 2022-05-31 - G03F1/70
- 本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种基于套刻标识掩模的优化方法，获取待优化掩模版以及所述待优化掩模版的多组初始套刻标识的标识参数；基于预设的初步优化模板进行初步优化，使所述待优化掩模版上的所述初始套刻标识的聚焦深度提高到初步预设标准以得到初步优化掩模版；基于预设的筛选标准对所述初步优化掩模版进行筛选得到筛选后的掩模版；基于预设的二次优化模板进行二次优化，使所述二次优化模板上的套刻标识的聚焦深度提高到二次预设标准以得到二次优化掩模版。本发明还提供一种装置、计算机设备。本发明提供的一种基于套刻标识掩模的优化方法，解决了传统的掩模优化方法将需要大量的时间成本的技术问题。
- 在校正光刻掩模中使用掩模制造模型-202080072256.7
- L·S·梅尔文三世;K·J·胡克 - 美商新思科技有限公司
- 2020-11-02 - 2022-05-27 - G03F1/70
- 光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集/照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和/或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束(e‑beam)过程，该过程包括电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用图案化抗蚀剂蚀刻掩模坯。掩模制造模型通常与其他过程模型一起用于估计光刻过程的结果。然后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
