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[发明专利]图案化过程的配置-CN202280018003.0在审
发明人：徐祯焄;朴成云;雷馨;郑镇雄;赵荣阔;徐端孚;李小阳 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：描述了用于基于另一图案化过程的结果来配置图案化过程的方法。所述方法包括通过使用处于第一定向的设计布局模拟第一图案化过程来获得轮廓的第一集合。所述轮廓满足与所述设计布局相关联的设计规格，并且对应于过程窗口条件的第一集合。基于所述设计布局的第二定向、过程窗口条件的所述第一集合和轮廓的第一集合来配置第二图案化过程。所述第二图案化过程与影响轮廓的第二集合的一个或更多个设计变量(例如，源、掩模)相关联。所述配置包括调整一个或更多个设计变量直到轮廓的所述第二集合与轮廓的所述第一集合的匹配度位于期望的匹配阈值内。
图案过程配置

[发明专利]用于自由形状的光学邻近校正-CN202080107815.3在审
发明人： G·P·利平科特;V·卢比希;K·萨卡吉尔 -专利权人：西门子工业软件有限公司
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：所公开的技术的各方面涉及用于将光学邻近校正应用于自由形状的技术。每个光学邻近校正迭代包括：基于从紧接在多个光学邻近校正迭代中的每一者之前的光学邻近校正迭代得出的边缘放置误差来计算用于直线片段的边缘调整值，基于所确定的边缘调整值来调整直线片段的位置，基于经调整的位置上的直线片段来确定布局特征的平滑边界线，对具有平滑边界线的布局特征执行模拟处理以确定布局特征的模拟图像，以及基于将布局特征的模拟图像与布局特征的目标图像进行比较来得出直线片段的边缘调整误差。
用于自由形状光学邻近校正

[发明专利]掩膜结构及其形成方法-CN202310730122.5在审
发明人：陈坤;唐星 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种掩膜结构及其形成方法，该形成方法包括：形成依次层叠分布的待图案化膜层、第一掩膜层、遮光层以及第一光阻层；在第一光阻层内形成第一显影区；在第一显影区对遮光层进行蚀刻，以形成露出第一掩膜层的第一掩膜图案；对第一掩膜图案内暴露出的第一掩膜层进行蚀刻，以形成多个间隔分布的第二掩膜图案；以第二掩膜图案为掩膜对待图案化膜层进行蚀刻，以形成目标掩膜图案，第一掩膜层与待图案化膜层的蚀刻选择比大于遮光层与待图案化膜层的蚀刻选择比。本公开的形成方法可提高掩膜图案的分辨率。
膜结构及其形成方法

[发明专利]掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质-CN202310391524.7有效
发明人：李树平 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本公开是关于一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质，掩膜版数据生成方法包括：基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据；将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据；对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据；对第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据；基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据。该方法提取出的至少部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。
掩膜版数据生成方法装置设备介质

[发明专利]掩膜版设计方法及掩膜版-CN202310753931.8在审
发明人：张伟明;沈楠;聂航;章学春;李玉兴 -专利权人：上海盛剑微电子有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版设计方法及掩膜版，涉及掩膜版设计技术领域。方法包括：S1：获取掩膜版上设计的图形；S2：判断掩膜版上图形的各个区域的图形密度相对于所有区域中图形密度的最大值的差值是否在预设范围内；预设范围为0～30％；若判定各个区域的图形密度的差值在预设范围内，则无须调整掩膜版上设计的图形；若判定各个区域的图形密度的差值不在预设范围内，则执行S3：在掩膜版的图形中，确定低密度图形区域；S4：在低密度图形区域填充图案，提高掩膜版上图形的均匀性。该方法在根源上解决了因图形密度不同而导致的基板图形均匀性差的问题，提升了产品生产过程中的工艺稳定性，既可以提升产品良率。
掩膜版设计方法

[发明专利]版图拆分方法、版图拆分系统及存储介质-CN202310613382.4在审
发明人：阮文胜;丁明;王焕明 -专利权人：深圳晶源信息技术有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种版图拆分方法、版图拆分系统及存储介质，本发明的版图拆分方法包括以下步骤：提供包括多组图形的初始版图，及获取初始版图中图形间的位置关系；获取任意一组图形的位置关系，作为优化依据；基于获取的图形间位置关系及优化依据用预设方式拆分初始版图中的图形，获取至少两种拆分结果，分别作为迭代初始值；运用离散粒子群优化算法对迭代初始值进行迭代，获取最符合预设适应度值的迭代结果作为最终拆分版图。采用离散粒子群优化算法对版图进行局部最优解的运算，降低了运算时间，节省了内存占用，同时保证版图的拆分效果。
版图拆分方法系统存储介质

[发明专利]一种集成电路物理版图双重曝光中的奇数几何内环检查方法-CN202310562250.3在审
发明人：张超;于士涛;马海南;吴登辉;刘伟平 -专利权人：成都华大九天科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路物理版图双重曝光中的奇数几何内环检查方法，包括以下步骤：确定待二分着色的图形层以及对该图形层进行间距检查的结果层；根据间距检查结果，建立图形之间的拓扑连接关系，并根据所述拓扑连接关系进行极大连通子图的划分；对所述极大连通子图进行二分着色并标记着色冲突的极大连通子图；寻找并删除所述标记着色冲突的极大连通子图中的所有的割点和桥，得到双连通分量；确定所述双连通分量包含的所有几何内环；判断所述几何内环的奇偶性，输出所有奇数环。本发明可以帮助设计人员快速定位出版图中引起着色冲突的最小区域，加快设计流程。
一种集成电路物理版图双重曝光中的奇数几何内环检查方法

[发明专利]掩膜版图的拆分方法-CN202210086427.2在审
发明人：张戈;严中稳;王晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：一种掩膜版图的拆分方法，包括：提供初始版图，初始版图上具有若干必拆分图形和若干自由图形；对初始版图进行第一拆分处理，使得若干必拆分图形形成在不同的初始掩膜版图上；将若干自由图形进行分类处理，以形成若干图形组；基于第一拆分处理，对初始版图进行第二拆分处理，将若干自由图形形成在不同的初始掩膜版图上，得到掩膜版图，不同掩膜版图中目标图形的总面积之差和/或不同掩膜版图中的图形密度之差满足预设条件。通过先将若干必拆分图形进行拆分处理，再将若干自由图形进行分类并单独拆分，根据对必拆分图形的拆分结果进行微调整，保证各掩膜版图中的图形面积、数量以及分布具有很好的平衡，进而提升曝光后的图形轮廓的效果。
版图拆分方法

[发明专利]版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法-CN202310416480.9有效
发明人：闫波 -专利权人：魅杰光电科技（上海）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本申请提供一种版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法，其中版图包括六种版图图案，每种版图图案包括不同线条及图形的排列图案，每种版图图案中的多个排列图案根据尺寸的不同依次排列；相邻版图图案中的排列图案交错布局设置于非图形区域。本说明书实施例设计一版图，其包含多种版图图案，在掩膜版上增设包含版图图案的版图并通过该掩膜版进行曝光，对按照版图曝光的光刻图形进行线宽及胶条形貌的验证；根据版图图案中不同验证功能的版图图案尺寸进行光刻图形的验证，避免了测量验证过程中重复性的分析与定位过程，可快速、准确实现线宽和胶条形貌等验证，进而提升生产产能和产品良率等。
版图掩膜版光刻曝光验证方法

[发明专利]光罩、光罩组、及图形化方法-CN202210017523.1在审
发明人：于业笑;刘忠明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本公开提供了一种光罩、光罩组、及图形化方法。所述光罩，包括：多个沿第一方向延伸排布的第一条状图形和多个沿所述第一方向间隔排布的第一辅助图形；所述第一条状图形与所述第一辅助图形沿所述第一方向交叠排布，所述第一辅助图形与所述第一条状图形具有重叠区域，在所述重叠区域的边缘，所述第一辅助图形具有未被所述第一条状图形覆盖的突出部。上述技术方案，通过设置第一辅助图形，在第一条状图形的边缘形成第一突出部。通过改变第一突出部的大小及形状，从而改变所述光罩的形状，得到在横向与纵向上具有理想长度比例的光罩。
光罩组图形方法

[发明专利]减小关键尺寸漂移的方法-CN201911360926.0有效
发明人：倪念慈;朱忠华;姜立维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小关键尺寸漂移的方法，其特征在于，包括：设计多个测试光罩，每个所述测试光罩包含多个图形，多个所述测试光罩包含不同的多个图形；根据测试光罩图形上各组测试图形的周长和密度的关系，建立刻蚀预测模型；使用刻蚀预测模型上线生产，预测产品刻蚀的关键尺寸漂移；根据预测的关键尺寸漂移修正测试光罩的图形的周长和线宽。在掩膜板出版前，通过刻蚀预测模型与冗余图形填充相结合的方法，修正测试光罩的图形的周长和线宽，最后以修正后的测试光罩的图形出版掩膜板，快速解决刻蚀关键尺寸漂移的问题，避免了晶圆的返工率和废弃率，有利于刻蚀关键尺寸的稳定，改善刻蚀晶圆的均匀性。
减小关键尺寸漂移方法

[发明专利]校正图案布图错误的方法、制造光掩模和形成图案的方法-CN202211615540.1在审
发明人：权美珍;梁承薰;李荣烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：一种校正图案布图错误的方法，包括：设计目标图案的布图；检查目标图案的布图与基于目标图案的布图制造的光掩模中的真实图案的布图之间的错误；生成分别在目标图案的布图的轮廓中的多个点处的EPE向量；计算每个生成的EPE向量分别在水平和垂直方向上的水平和垂直元素；基于所计算的EPE向量的水平和垂直元素，计算目标图案的布图在每个方向的偏移代表值；以及基于偏移代表值校正目标图案的布图。
校正图案错误方法制造光掩模形成

[发明专利]用于掩模综合的随机感知光刻模型-CN202180068699.3在审
发明人： K·D·卢卡斯;Y·P·坎德尔;U·威林;U·K·科洛斯特曼;Z·A·莱文森 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：在一些方面中，掩模图案被访问。掩模图案被用于在晶片上印刷图案的光刻工艺中。将掩模图案作为输入应用于光刻工艺的确定性模型以预测印刷图案的特性。确定性模型是确定性的，但是它考虑了印刷图案中特性的局部随机变化。
用于综合随机感知光刻模型

[发明专利]一种基于掩膜光刻技术制备的多孔薄膜、制备方法及应用-CN202310180711.0在审
发明人：马原;汪家道;陈逸卿 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明属于微纳米材料制备技术领域，具体涉及一种基于掩膜光刻技术制备多孔薄膜的方法，更具体涉及一种基于掩膜光刻形成的多孔薄膜及其应用。本发明提供一种基于掩膜光刻技术制备多孔薄膜的方法，包括如下步骤：(1)根据所需多孔薄膜的微结构图案定制掩膜版，备用；(2)在选定的基底表面涂布光刻胶，备用；(3)将所述掩膜版与所述基底对准后进行曝光处理，备用；(4)将曝光后的所述基底进行显影处理，并将所得光刻胶薄膜从所述基底表面进行剥离，即得。通过本发明提供的基于掩膜光刻技术制备多孔薄膜的方法即可获得兼顾成本较低、孔质量优异、且制备工艺高效、简单的多孔薄膜。
一种基于光刻技术制备多孔薄膜方法应用

[发明专利]一种掩模板的制备方法、存储介质以及设备-CN202110326741.9有效
发明人：李福;蔡丰年;谢翔宇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板的制备方法、存储介质以及设备，通过提供沿第一方向延伸且在第二方向间隔设置的第一图案、第二图案和第三图案；提供与第一图案中平行于第二方向的一侧边框连接的第四图案，与第三图案中平行于第二方向的一侧边框连接的第五图案，其中，第四图案和第五图案的轮廓均包括一斜线线段和一直线线段，斜线线段的一端与直线线段连接，斜线线段的另一端与第一图案或第三图案连接，设置斜线线段与直线线段的交点距离第二图案的距离大于1.5倍的第二图案和与直线线段连接的相应图案之间的间隔，从而得到掩模板，该方法避免在了两条斜线线段和第二图案之间的位置处出现桥接缺陷，有利于提高基于掩模板在基底上形成电路布局图案的精确度。
一种模板制备方法存储介质以及设备

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