[发明专利]一种具有П型栅的GaN基射频器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910746051.1 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110600542A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王洪;刘晓艺;周泉斌 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有П型栅的GaN基射频器件及制备方法，所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层，AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构，凸台上部为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，AlGaN/GaN异质结外延层上表面连接有源区以外的区域等有一层栅介质层，栅介质层的上表面连接П型栅电极，П型栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明提出的П型栅的两个与AlGaN/GaN异质结外延层直接接触的具有一定间隔的栅脚，在保证栅阻近乎不变的情况下，有效地缩小了栅电极的长度，提高了截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结外延 上表面 栅电极 源区 栅介质层 漏电极 截止频率 射频器件 凸台结构 连接源 有效地 源电极 电极 栅脚 制备 保证 | ||
【主权项】：
1.一种具有П型栅的GaN基射频器件，其特征在于，包括AlGaN/GaN异质结外延层，AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构，凸台上部为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，AlGaN/GaN异质结外延层上表面连接有源区以外的区域、有源区的侧壁、有源区上表面连接源电极和漏电极以外的区域、源电极和漏电极上覆盖有一层栅介质层，所述栅介质层在源电极和漏电极的上表面均设有一开口，暴露源电极和漏电极部分上表面，栅介质层的上表面连接П型栅电极，П型栅电极位于源电极和漏电极之间，П型栅电极包括栅帽和栅脚，栅脚的一端连接栅介质层的上表面，另一端连接栅帽的下表面，以支撑栅帽，所述栅脚包括第一栅脚和第二栅脚，第一栅脚和第二栅脚之间具有间距。/n
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