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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201611153626.1有效
发明人：林加明;林俊泽;张简旭珂;林玮耿;罗光耀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括衬底、多个绝缘体、以及栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和多个沟槽之间的至少一个半导体鳍。绝缘体设置在沟槽中并且包括分布在其中的掺杂区域。栅极堆叠件部分覆盖至少一个半导体鳍和绝缘体。还讨论了用于制造前述FinFET的方法。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体元件与其制成方法-CN201710423492.9有效
发明人：吴政达;吴啟明;张简旭珂;林坤赐;张岚芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体元件的制成方法，包括使用含氧材料掺杂层间介电层(ILD)的第一部分，其中层间介电层是在基板上方。此方法进一步包括使用较大种类材料掺杂层间介电层的第二部分。第二部分包括在第一部分下方的层间介电层的区域，且第二部分与基板分离。此方法进一步包括退火层间介电层。
半导体元件与其制成方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法-CN201711137421.9有效
发明人：吴家扬;张简旭珂;张耿铨;苏丁香 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法，包括蚀刻层间介电(ILD)以形成暴露源极/漏极的一部分的接触开口。方法还包括将含钛材料沉积进接触开口中，其中沉积含钛材料的能量足以导致源极/漏极的材料沿ILD的侧壁再沉积以形成自源极/漏极的顶表面延伸的突出。方法还包括退火半导体装置以在源极/漏极中及在突出中形成硅化物层。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610053829.7有效
发明人：林加明;张简旭珂;林俊泽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、至少一个层、金属粘着层和金属结构。在衬底上设置层。层具有开口并且开口具有底面和至少一个侧壁。在暴露出开口的侧壁的至少部分的同时，在开口的底面上设置金属粘着层。在开口中和金属粘着层上设置金属结构。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810316185.5有效
发明人：陈维邦;郑志成;张简旭珂;郭廷晃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。一种具有不同栅极间距的半导体结构的非对称临界多间距布局，以减轻栅极间的寄生电容，从而改善截止频率。半导体结构可以包括鳍片于基板上。半导体结构还可以包括形成在鳍片上并被第一间隔分隔的第一栅极结构和第二栅极结构。半导体结构还可以包括在第一栅极结构与第二栅极结构之间的鳍片上形成的第三栅极结构。第三栅极结构可以与第一栅极结构分隔第二间隔并与第二栅极结构分隔大于第二间隔的第三间隔。半导体结构还包括形成在第一栅极结构与第三栅极结构之间的源极区域和形成在第三栅极结构与第二栅极结构之间的漏极区域。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法-CN201711217315.1有效
发明人：陈维邦;郭廷晃;张简旭珂;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。方法包含在基底上形成多个鳍式结构，且基底包含第一区和第二区。方法包含形成多个隔离结构环绕鳍式结构，且隔离结构中每一个的顶面低于鳍式结构中每一个的顶面，以及隔离结构包含在第一区上的第一隔离结构和在第二区上的第二隔离结构。方法包含在第一隔离结构上形成掩模层以暴露出第二隔离结构，以及移除第二隔离结构的一部分，使得第二隔离结构中每一个的顶面低于第一隔离结构中每一个的顶面。
鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法

[发明专利]于凹入结构内电镀金属的方法-CN201610712017.9有效
发明人：粘耀仁;吴钧儒;张简旭珂;彭郁仁;洪奇成;王喻生 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种于凹入结构内电镀金属的方法。于凹入结构内电镀金属的方法，包含使凹入结构的表面接触包含金属离子、加速剂、抑制剂与整平剂的电镀溶液，其中凹入结构具有至少二个伸长区域及一个交界区域侧向位于此二个伸长区域之间，且加速剂：抑制剂：整平剂的摩尔浓度比为(8‑15)：(1.5‑3)：(0.5‑2)；电镀金属，以形成电镀层于凹入结构内。
结构电镀金属方法

[发明专利]处理晶圆的装置及方法-CN201611001722.4有效
发明人：陈科维;蔡俊雄;杨怀德;张简旭珂;王英郎;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆处理装置，包含压盘、腔室、蚀刻气体供应器与倾斜机构。腔室具有至少一孔口至少部分面向压盘。蚀刻气体供应器流体连接腔室。倾斜机构耦合压盘，以容许压盘具有至少一第一自由度，从而相对腔室的孔口倾斜。
处理装置方法

[发明专利]电化学镀系统和工艺执行方法、形成半导体结构的方法-CN201911207478.0有效
发明人：粘耀仁;张简旭珂;王廷君;李盈儒;彭郁仁;梁耀祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：提供了电化学镀(ECP)系统。该ECP系统包括：ECP单元，该ECP单元包括用于ECP工艺的镀液；传感器，配置为随着ECP工艺的进行而原位测量镀液中的镀金属与电解质之间的界面电阻；镀液供应系统，与ECP单元流体连通，并且配置为向ECP单元供应镀液；以及控制系统，可操作地耦合到ECP单元、传感器和镀液供应系统。控制系统配置为将界面电阻与阈值电阻进行比较，并且响应于界面电阻低于阈值电阻而调节镀液的组分。本发明的实施例还涉及执行电化学镀工艺的方法、形成半导体结构的方法。
电化学系统工艺执行方法形成半导体结构

[发明专利]半导体装置结构的制造方法-CN201711024611.X有效
发明人：吴中文;邱建文;陈建全;张简旭珂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置结构的制造方法，包括在第一导电结构以及第二导电结构上形成介电层。此方法亦包括沉积共形层于介电层中的第一通孔及第二通孔中。此方法还包括去除第二通孔中的共形层。此介电层仍被第一通孔中的共形层覆盖。此外，此方法包括蚀刻第一通孔中的共形层与介电层直到第一通孔及第二通孔中分别露出第一导电结构与第二导电结构。此方法亦包括形成第三导电结构于第一通孔中且形成第四导电结构于第二通孔中。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510790930.6有效
发明人：周振成;张简旭珂;吴政达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法。多个沟槽形成在衬底中。沟槽限定位于其之间的至少一个鳍。鳍被氢退火。介电材料形成在沟槽中。沟槽中的介电材料被凹入。本发明还提供了一种半导体结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN201711037113.9有效
发明人：陈维邦;郭廷晃;张简旭珂;郑志成;罗光耀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：在制作半导体元件的方法中，提供基材。形成硬罩幕与罩幕层于基材的第一区与第二区上。利用硬罩幕与罩幕层凹入基材，以形成鳍状结构于第一区中、以及凸起结构于第二区中。形成第一隔离结构与第二隔离结构于鳍状结构的相对侧壁的下部与凸起结构的相对侧壁上。形成第一栅极结构在部分的鳍状结构上、以及第二栅极结构在部分的凸起结构上。形成第一源极以及第一漏极于第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极于第二栅极结构的相对二侧上。利用此方法，鳍式场效晶体管结构与平面场效晶体管结构可在相同基材上同时制作，可简化半导体元件的制程，并微型化半导体元件。
制造半导体元件方法

[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法-CN201710119801.3有效
发明人： 张简旭珂;余人皓;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构是结合氟，且包含设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含钛铝(TiAl)合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。半导体装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构是结合氟，且包含设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛(TiN)，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]用于FINFET器件中的栅极氧化物的均匀性的平坦STI表面-CN201610657160.2有效
发明人：吴政达;张简旭珂;陈政纬;王廷君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在制造FinFET中的操作包括提供具有鳍结构的衬底，其中，鳍结构的上部具有第一鳍表面轮廓。在衬底上形成与鳍结构接触的隔离区域。通过蚀刻工艺凹进隔离区域的部分以形成凹进部分和暴露鳍结构的上部，该凹进部分具有第一隔离表面轮廓。对鳍结构和凹进部分应用热氢处理。通过热氢处理，在鳍结构上方形成具有基本上均匀厚度的栅极介电层，其中，将凹进部分从第一隔离表面轮廓调节至第二隔离表面轮廓且将鳍结构从第一鳍表面轮廓调节至第二鳍表面轮廓。本发明实施例涉及用于FINFET器件中的栅极氧化物的均匀性的平坦STI表面。
用于 finfet 器件中的栅极氧化物均匀平坦 sti 表面

[发明专利]电化学镀系统和工艺执行方法、形成半导体结构的方法-CN201911215056.8在审
发明人：粘耀仁;张简旭珂;彭郁仁;梁耀祥;王廷君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于执行电化学镀(ECP)工艺的方法包括使衬底的表面与包含要沉积的金属离子的镀液接触，将金属电镀在衬底的表面上，随着ECP工艺的进行而原位监测流过浸入镀液中的阳极和衬底之间的镀液的镀电流，以及响应于所述镀电流低于临界镀电流而调节所述镀液的组分，从而防止在衬底上方的所述金属化层的多条导线中具有最高线端密度的导线的子集中形成空隙。本发明的实施例还提供了电化学镀系统和形成半导体结构的方法。
电化学系统工艺执行方法形成半导体结构

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