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[发明专利]低寄生电容射频晶体管-CN201980061754.9在审
发明人： 阿比吉特·保罗;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱;罗纳德·尤金·里迪 -专利权人：派赛公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：用于具有低寄生电容的晶体管的结构和制造方法，所述晶体管包括绝缘低介电常数第一处理晶片或第二处理晶片。在一个实施方式中，替代常规设计的硅衬底，使用单层转移技术来靠近SOI晶体管的金属互连层/金属层堆叠定位绝缘LDC处理晶片。在另一实施方式中，使用双层转移技术来利用绝缘LDC衬底替代现有技术结构的硅衬底。在一些实施方式中，绝缘LDC处理晶片包括至少一个空气腔，所述至少一个空气腔降低了围绕RF FET的材料的有效介电常数。绝缘LDC处理晶片减少了插入损耗和非线性度，增加了隔离度，提供了堆叠晶体管的更理想的分电压，由于较低的耦合损耗而实现了更高的Q因子，并且另外减轻了各种寄生效应。
寄生电容射频晶体管

[发明专利]低泄漏场效应晶体管-CN201880037789.4在审
发明人： 阿比吉特·保罗;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱 -专利权人：派赛公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在存在边缘晶体管现象的情况下呈现低泄漏的FET设计。实施方式包括nFET设计，其中通过在栅极结构的至少一部分内形成额外P+注入区来增加nFET的覆盖在边缘晶体管上的栅极结构的功函数MF，从而使边缘晶体管的Vt增加至可以超过nFET的中央传导沟道的Vt的水平。在一些实施方式中，修改nFET的栅极结构以使边缘晶体管的有效沟道长度相对于FET的中央传导沟道的长度增加或“扩展”。还公开了改变覆盖在边缘晶体管上的栅极结构的功函数MF的其他方法。该方法可以适于通过反转或替代材料类型来制造pFET。
边缘晶体管栅极结构功函数沟道传导有效沟道长度长度增加替代材料低泄漏注入区反转覆盖制造