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[发明专利]在芯轴上具有包括二维材料的沟道区的场效应晶体管-CN202011060512.9有效
发明人：朱利安·弗罗吉尔 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及在芯轴上具有包括二维材料的沟道区的场效应晶体管，其揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。栅极电极具有包覆由介电材料组成的芯轴的第一侧表面及第二侧表面的部分。沟道层具有部分位于该芯轴的该第一侧表面与该栅极电极的该部分之间的沟道区。该沟道层由二维材料组成。
芯轴上具有包括二维材料沟道场效应晶体管

[发明专利]栅控横向双极结/异质结晶体管-CN202011072209.0有效
发明人： M·杨;J·辛格;A·马丁;J·J·埃利斯-莫纳甘 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及栅控横向双极结/异质结晶体管。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及栅控晶体管及制造方法。该结构包括：发射极区；集电极区；基极区，其位于发射极区和集电极区的相对侧；以及栅极结构，其由主体区和支脚区组成，主体区位于发射极区和集电极区的相对侧上的基极区之间，并且支脚区将基极区与发射极区和集电极区两者隔离。
横向双极结结晶体

[发明专利]多级铁电存储单元-CN202010086592.9有效
发明人： J·弗鲁吉尔;谢瑞龙 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及多级铁电存储单元。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及多级铁电存储单元及制造方法。该结构包括：第一金属化特征；锥形铁电电容器，其包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的铁电材料，第一电极接触第一金属化特征；以及第二金属化特征，其接触第二电极。
多级存储单元

[发明专利]公共升压辅助-CN201910078311.2有效
发明人： D·R·斯里尼瓦苏拉雷迪;V·巴特苏里 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：本发明涉及公共升压辅助。本公开涉及一种包括辅助电路的结构，该辅助电路被配置为使用公共升压逻辑器件为辅助电路的读取逻辑电路和写入逻辑电路两者添加升压电压。
公共升压辅助

[发明专利]用于光电子芯片的沟基光学组件-CN202010939531.2有效
发明人： C·米格尔;K·努米;卞宇生;阿乔伊·布凡努姆帝·雅各布 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及用于光电子芯片的沟基光学组件，其包括波导芯的结构和制造包括波导芯的结构的方法。介电层包括具有第一侧壁和第二侧壁的沟槽，且波导芯位于该沟槽的该第一侧壁和第二侧壁之间的该沟槽内。该波导芯具有第一宽度，该沟槽具有位于该第一侧壁和该第二侧壁之间的大于该第一宽度的第二宽度。
用于光电子芯片光学组件

[发明专利]感测放大器锁存电路和感测放大器多路复用锁存电路-CN201910032455.4有效
发明人： V·布林格维加拉加万 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及感测放大器锁存电路和感测放大器多路复用锁存电路。本公开实施例提供了一种电路结构，其包括：由第一和第二感测放大器(SA)输出驱动的电路；第一驱动器，其具有耦合到节点且耦合到串联耦合的NMOS的对的第一PMOS，其中第一SA输出耦合到第一驱动器的第一PMOS和第一NMOS；第二驱动器，其具有耦合到节点且耦合到耦合的NMOS的对的第二PMOS，其中第二SA输出耦合到第二驱动器的第二PMOS和第二NMOS；第一和第二电源PMOS，其中第一电源PMOS耦合到第一驱动器的节点其耦合到第二电源PMOS和第二驱动器的第一NMOS，以及其中第二电源PMOS耦合到第二驱动器的节点且耦合到第一电源PMOS和第一驱动器的第二NMOS。
放大器电路多路复用

[发明专利]互连结构-CN201711257865.6有效
发明人： L·英格兰德;M·W·屈默勒 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及在不同的封装配置之间连接的互连结构以及制造方法。该结构包括互连，该互连包括被配置成位于绝缘体材料内的网格图案的多个导电层级和列，该多个导电层级和列被对准以连接到不同的封装配置；以及控制电路，其向互连提供信号以连接到不同的封装配置的组合。
互连结构

[发明专利]注入锁定振荡器系统和方法-CN201810311075.X有效
发明人： S·阿洛特;J·詹金斯 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03L7/10 文献下载
摘要：本发明涉及注入锁定振荡器系统和方法，更特别地，涉及用于使用利用背栅工艺注入锁定和直方图校准来生成无电感器倍频器的结构和方法。该结构包括注入锁定振荡器(ILO)系统，该系统被构造为提供本地振荡器(LO)和与输出频率不整数倍调和相关的数控振荡器(DCO)或压控振荡器(VCO)频率。
注入锁定振荡器系统方法

[发明专利]形成用于接合晶圆的集成电路结构的方法及所产生的结构-CN201810083233.0有效
发明人：马克塔·G·法罗;坦雅·A·安塔哪莎瓦 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及形成用于接合晶圆的集成电路结构的方法及所产生的结构，其针对用于接合晶圆的集成电路结构及其形成方法。该IC结构可包括：位于衬底上方的金属柱，该金属柱包括上表面；位于该金属柱的该上表面的周缘周遭的湿化抑制剂层；以及位于该金属柱的该上表面上方的焊接材料，该焊接材料位于该湿化抑制剂层内并且受其限制。该金属柱的侧壁可无该焊接材料。该方法可包括：形成位于衬底上方的金属柱，该金属柱具有上表面；形成位于该金属柱的该上表面的周缘周遭的湿化抑制剂层；以及形成位于该湿化抑制剂层内并且受其限制的该金属柱的该上表面上方的焊接材料。
形成用于接合集成电路结构方法产生

[发明专利]边界间隔物结构以及集成-CN201711281409.5有效
发明人： J·R·霍尔特;亓屹;罗先庆;彭建伟 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及与鳍FET器件一起使用的N‑P边界间隔物结构及其制造方法。该方法包括：形成多个第一鳍结构；在多个鳍结构中的第一鳍结构和多个鳍结构中的第二鳍结构之间形成阻挡层；以及在第一鳍结构上形成外延材料，而至少通过形成在第一鳍结构和第二鳍结构之间的阻挡层来阻挡外延材料延伸到第二鳍结构上。
边界间隔结构以及集成

[发明专利]具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法-CN201810862653.9有效
发明人：王海艇;赵薇;宇宏;吴旭升;臧辉;胡振宇 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法，揭示一种包括至少一个鳍式场效应晶体管及至少一个单扩散中断(SDB)型隔离区的半导体结构，以及形成该半导体结构的方法。在该方法中，在半导体鳍片内的隔离区上方形成隔离凸块并在该凸块上形成侧间隙壁。在用以降低该凸块的高度并自该鳍片的侧壁移除隔离材料的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁防止横向蚀刻该凸块。在用以在该鳍片中形成源/漏凹槽的蚀刻工艺期间，该侧间隙壁保护邻近该隔离区的该半导体材料。因此，各凹槽的侧及底部包括半导体表面并最大限度地降低其中所形成的外延源/漏区的顶部表面的角度，从而最大限度地降低未着陆源/漏接触的风险。
具有扩散中断场效应晶体管方法

[发明专利]用于随机码生成的结构及方法-CN202011072140.1在审
发明人： J·R·霍尔特;朱利安·弗罗吉尔;莱恩·W·史波尔;乔治·R·姆芬格;丹尼尔·杰格 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于随机码生成的结构及方法，揭示一种用于实施基于物理不可克隆函数(PUF)的随机数生成器的结构以及形成该结构的方法。该结构包括位于半导体层中的相同类型、相同设计的装置。尽管由一些装置(即第一装置)呈现的性能参数的值在基于该设计所建立的范围内，但由其它装置(即第二装置)呈现的相同性能参数的值在该范围之外。该第一及第二装置的随机分布通过在该半导体层中包括随机图案化掺杂物注入区来实现。各第一装置与该掺杂物注入区隔开，以使其性能参数值在该范围内，而各第二装置与掺杂物注入区有连接，以使其性能参数值在该范围之外，反之亦然。随机数生成器可与该装置可操作地连接，以生成基于PUF的随机数。
用于随机生成结构方法

[发明专利]半导体基板中的高电阻率的多深度区域-CN202010946437.X在审
发明人：史蒂芬·M·宣克;安东尼·K·史塔佩尔;西瓦·P·阿度苏米利;I·麦卡勒姆-库克;米歇尔·J·阿布-卡里尔 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基板中的高电阻率的多深度区域，其包括电性隔离的半导体结构和形成包括电性隔离的半导体结构的方法。浅沟槽隔离区从半导体基板的顶面延伸至半导体基板中。半导体基板包括单晶半导体材料，浅沟槽隔离区围绕半导体基板的有源设备区。多晶层形成在半导体基板中。多晶层具有有源设备区下方的第一区段和多个浅沟槽隔离区下方的第二区段。多晶层的第一区段相对于半导体基板的顶面位于与多晶层的第二区段不同的深度。
半导体中的电阻率深度区域

[发明专利]具有用于参考电压调谐的电阻式数模转换器的模数转换器-CN202010730589.6在审
发明人： S·加文;J·兰金;J·布尔扎凯利 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：本发明涉及具有用于参考电压调谐的电阻式数模转换器的模数转换器，其揭示模数转换器电路以及操作模数转换器的方法。一种电阻式数模转换器(RDAC)具有与第一电流源耦接的第一参考节点，与第二电流源耦接的第二参考节点，经配置以接收第一电压的输入端口，以及与缓冲器耦接的输出端口。该RDAC经配置以自该第一电压生成包括第一电压偏移的第二电压，并将该第二电压自该RDAC的该输出端口供应给该缓冲器。
具有用于参考电压调谐电阻数模转换器转换器

[发明专利]控制鳍片尖端放置的方法-CN201810034936.4有效
发明人：庄磊;拉尔斯·赖柏曼;S·A·西格;F·L·列;马翰德·库玛;布瑞斯·纳拉辛哈;A·哈山;古拉梅·伯奇;戴鑫托 -专利权人： 格芯公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及控制鳍片尖端放置的方法，其中，一种方法包括提供具有衬底的半导体结构，衬底包括形成于其上的纵向延展多个鳍片。判定目标布局图型，其将布置于鳍片上的主动区装置套迭。目标布局图型包括将所具鳍片比相邻装置更多的装置套迭区段的第一群组、及将所具鳍片比相邻装置更少的装置套迭区段的第二群组。将第一延展暴露图型图型化成结构，且第一延展暴露图型包括将第一群组朝第一群组的相邻区段的区段延展的延展部。将第二延展暴露图型图型化成结构，且第二延展暴露图型包括将第二群组朝第二群组的相邻区段的区段延展的延展部。将第一与第二延展暴露图型的诸部分组合以形成将相同主动区套迭的最终图型当作目标图型。
控制尖端放置方法

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