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[发明专利]一种具有载流子存储区的沟槽栅器件及其制造方法-CN201810463012.6有效
发明人：饶祖刚;王民安;项建辉;郑科峰 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有载流子存储区的沟槽栅器件及其制造方法，该沟槽栅器件，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层表面向下延伸设置有一组沟槽栅，所述沟槽栅的外侧设置有第一掺杂区域，第一掺杂区域内掺杂形成与半导体衬底或外延层具有相同导电类型且呈横向与纵向梯度分布、具有载流子存储作用的第一类掺杂半导体，该结构有利于更多载流子在此处存储，从而可以降低导通电阻与饱和压降。还公开了该沟槽栅器件的制造方法，该方法能够改善现有方法加工难度大及造价高的问题。可广泛应用于功率器件的生产加工领域。
一种具有载流子存储沟槽器件及其制造方法

[实用新型]一种镀膜后的石英晶片频率自动测试机-CN202223435290.1有效
发明人：李正善;项建辉;宿华伟;王雨豪;陈仲方;支方东;赵麒麟;宋卫华;沈亮 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R31/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种镀膜后的石英晶片频率自动测试机，包括工作台，工作台上端中部安装有定位平台，定位平台上端的前侧以及右侧均安装有一挡条，工作台上端位于定位平台的左侧以及后方均安装有一支座，支座上端安装有定位气缸，定位气缸的活塞杆连接有推板，推板的两端各安装有一定位柱，工作台上端位于定位平台的左右两侧分别安装有纵向滑台和纵向导轨，纵向滑台的上端和纵向导轨的上端安装有滑座，滑座上端安装有横向滑台，横向滑台上端安装有基座，基座前端安装有CCD相机和上下驱动机构，上下驱动机构前端安装有吸取机构和测试机构。本实用新型搭载了CCD相机，实时记录石英晶片，大大提升了产品的测量精度。
一种镀膜石英晶片频率自动测试

[发明专利]一种用于镀膜后的石英芯片的频率自动测量设备-CN201911012313.8有效
发明人：李正善;李宝太;林科荣;吴明;项建辉;宋卫华;林啸;张代红 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于镀膜后的石英芯片的频率自动测量设备，包括Y方向滑台、X方向滑台和X、Y方向手动滑台；所述的Y方向滑台用于镀膜后的产品在Y方向移动供给；所述的X方向滑台位于Y方向滑台的上方，该X方向滑台上安装有上下传动机构，所述的上下传动机构的下部安装有校正测量机构和吸嘴机构；所述的Y方向滑台一侧安装有X、Y方向手动滑台。本发明克服了镀膜后石英芯片自身振动频率易受干扰的特性，以及产品小且薄且易碎而不易准确放置的特性。通过此设备能完成产品频率的测量，而且能实现自动化，大批量生产。
一种用于镀膜石英芯片频率自动测量设备

[实用新型]一种功率器件元胞结构的接触孔结构-CN202223384096.5有效
发明人：王民安;饶祖刚;项建辉;沈永红;汪璐;倪斌;郑科峰 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件元胞结构的接触孔结构，接触孔由介质层向下延伸至少部分进入外延层，且在接触孔的顶端向两侧横向延伸，使得源极N+部分的上端面容置于接触孔内。本实用新型主要是增加表面金属与硅的横向接触面从而增加金属与源极N+部分的接触面积，从而降低器件的导通电阻RDSON。
一种功率器件结构接触

[发明专利]一种功率器件元胞结构的接触孔结构及其制造方法-CN202211623874.3在审
发明人：王民安;饶祖刚;项建辉;沈永红;汪璐;倪斌;郑科峰 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件元胞结构的接触孔结构，接触孔由介质层向下延伸至少部分进入外延层，且在接触孔的顶端向两侧横向延伸，使得源极N+部分的上端面容置于接触孔内。本发明主要是增加表面金属与硅的横向接触面从而增加金属与源极N+部分的接触面积，从而降低器件的导通电阻RDSON。
一种功率器件结构接触及其制造方法

[发明专利]一种MOS结构工艺功率器件的制造方法-CN202211624114.4在审
发明人：王民安;饶祖刚;陈万军;项建辉;沈永红;汪璐;倪斌;郑科峰 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS结构工艺功率器件的制造方法，包括如下步骤：利用第一层光刻版进行光刻工艺，再刻蚀去胶制作出有源区和终端图形；生长栅氧化层及淀积多晶硅，利用第二次光刻版进行光刻工艺，再进行多晶刻蚀制作出有源区的多晶图形，再对终端及元胞区同时进行硼注入，推进，形成元胞区的Pbody和终端的场限环，再进行N+磷离子注入；淀积介质层并回流，再利用第三层光刻版进行光刻工艺，制作出接触孔图形，然后进行P+硼离子注入，退火，利用第四层光刻版进行光刻工艺，制作出金属互联图形。本发明主要将环层、多晶层、源层光刻合并为多晶层一次光刻，缩减光刻次数，并采用结终端和Pbody区一起制作的方法，具有工艺制程短，生产成本低，产能高的优点。
一种 mos 结构工艺功率器件制造方法

[发明专利]一种绝缘栅器件的Bus结构-CN202211491716.7在审
发明人：王民安;饶祖刚;陈万军;项建辉;沈永红;汪璐;倪斌;郑科峰 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：发明公开了一种绝缘栅器件的Bus结构，包括多条多晶硅栅，相互间隔排布在多晶以及源区上，用于连接所有的栅极；相邻的多晶硅栅之间，通过间隔的多晶块连接。本发明主要是针对Bus设计成分离结构，这样有利于电场向终端区扩展，最后在终端的外围击穿，有利于提升期间的耐压。
一种绝缘器件 bus 结构

[实用新型]一种绝缘栅器件的Bus结构-CN202223151619.1有效
发明人：王民安;饶祖刚;陈万军;项建辉;沈永红;汪璐;倪斌;郑科峰 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅器件的Bus结构，包括多条多晶硅栅，相互间隔排布在多晶以及源区上，用于连接所有的栅极；相邻的多晶硅栅之间，通过间隔的多晶块连接。本实用新型主要是针对Bus设计成分离结构，这样有利于电场向终端区扩展，最后在终端的外围击穿，有利于提升期间的耐压。
一种绝缘器件 bus 结构

[发明专利]智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路-CN202110346390.8有效
发明人：陈珍海;王民安;何宁业;宁仁霞;许媛;项建辉;郑科峰;汪礼;鲍婕;吕海江 -专利权人：黄山学院;黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路。该电路首先采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度保护电路，以避免高压开关器件脱离其安全工作区，提高可靠性；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路

[发明专利]高压半桥栅驱动电路-CN202010315906.8有效
发明人：陈珍海;王民安;宁仁霞;何宁业;许媛;项建辉;郑科峰;汪礼;鲍婕;吕海江;郑春鸣;王志亮 -专利权人：黄山学院;黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于电力电子系统中功率器件栅驱动所需要的高压半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区信号产生电路、低压产生电路、低侧信号延时电路、低侧高效率输出驱动电路、低延时高压电平移位电路和高侧高效率输出驱动电路。本发明所提供高压半桥栅驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，从而提高整体驱动电路速度；可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；可以广泛应用于各类高功率密度电力电子系统中，特别是频率要求更高的宽禁带功率器件的栅驱动应用。
高压半桥栅驱动电路

[发明专利]一种具有恢复特性的复合二极管结构及其制造方法-CN201910725843.0有效
发明人：饶祖刚;王民安;项建辉;郑科峰 -专利权人：黄山芯微电子股份有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超快恢复特性的复合二极管结构及其制造方法，该二极管包括N+衬底，位于N+衬底背面的金属化阴极和位于N+衬底正面的N型外延层；所述N型外延层上设置有一组向N型外延层内延伸的P区，所述P区在硅片有源区的N型外延层上均匀分布；相邻P区之间的N型外延层表面设置有一层采用等离子体轰击方式形成的缺陷层，所述P区和缺陷层上设置有一层肖特基势垒金属，肖特基势垒金属上设置有金属化阳极。该器件结构及其制造方法简单且易于实现，能够获得更快的恢复时间，降低器件的开关功耗，可以用于制造具有超快恢复特性的复合二极管(MPS)领域。
一种具有恢复特性复合二极管结构及其制造方法

[实用新型]一种用于磁石单颗或多颗的卸载设备-CN201922431760.9有效
发明人：支方东;项建辉;刘武松;张凯 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于磁石单颗或多颗的卸载设备，包括底板，所述的底板上端中部安装有磁石排列平台，该底板上端位于磁石排列平台的前方安装有磁板收纳平台，所述的底板上端位于磁石排列平台的后方安装有横向传动平台，该横向传动平台上安装有可上下移动以及旋转的机械手平台，所述的上端位于磁石排列平台的左侧安装有磁石分离装置。本实用新型方便了小颗磁石在磁石排列平台上的分离，同时通过自动化设备将分离后颗粒磁石移动至磁石分离结构处卸载到磁石放置盒中，实现自动化后减少的人工操作，提高了工作效率。
一种用于磁石卸载设备

[实用新型]一种用于镀膜后的石英芯片的频率自动测量设备-CN201921788014.9有效
发明人：李正善;李宝太;林科荣;吴明;项建辉;宋卫华;林啸;张代红 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于镀膜后的石英芯片的频率自动测量设备，包括Y方向滑台、X方向滑台和X、Y方向手动滑台；所述的Y方向滑台用于镀膜后的产品在Y方向移动供给；所述的X方向滑台位于Y方向滑台的上方，该X方向滑台上安装有上下传动机构，所述的上下传动机构的下部安装有校正测量机构和吸嘴机构；所述的Y方向滑台一侧安装有X、Y方向手动滑台。本实用新型克服了镀膜后石英芯片自身振动频率易受干扰的特性，以及产品小且薄且易碎而不易准确放置的特性。通过此设备能完成产品频率的测量，而且能实现自动化，大批量生产。
一种用于镀膜石英芯片频率自动测量设备

[实用新型]一种用于搭载薄型的柔性掩模板的装置-CN201921728783.X有效
发明人：李正善;吴明;張盼;项建辉;支方东;宋卫华;武艳雷 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于搭载薄型的柔性掩模板的装置，包括支架和底板，所述的底板上端安装有磁性治具，该底板上端位于磁性治具的前后两侧对称安装有定位装置，所述的底板上端位于磁性治具的左侧安装有定位块，所述的底板上端位于磁性治具的后方设置有支架，该支架上部前端的两侧对称布置有两个固定座，两个固定座之间安装有两个横向布置的导杆，两个导杆上套有移动气缸，该移动气缸的活塞杆与其中一个固定座相连，所述的移动气缸的前端竖直安装有升降气缸，该升降气缸下端的活塞杆连接有倾斜布置的夹爪装置。本实用新型能使掩模板能自动组装到带磁性治具上，实现了自动化，缩减了人工成本。
一种用于搭载柔性模板装置

[发明专利]一种用于磁石单颗或多颗的卸载设备-CN201911393219.1在审
发明人：支方东;项建辉;刘武松;张凯 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于磁石单颗或多颗的卸载设备，包括底板，所述的底板上端中部安装有磁石排列平台，该底板上端位于磁石排列平台的前方安装有磁板收纳平台，所述的底板上端位于磁石排列平台的后方安装有横向传动平台，该横向传动平台上安装有可上下移动以及旋转的机械手平台，所述的上端位于磁石排列平台的左侧安装有磁石分离装置。本发明方便了小颗磁石在磁石排列平台上的分离，同时通过自动化设备将分离后颗粒磁石移动至磁石分离结构处卸载到磁石放置盒中，实现自动化后减少的人工操作，提高了工作效率。
一种用于磁石卸载设备

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