[发明专利]具有NiO在审

专利信息
申请号: 201910745884.6 申请日: 2019-08-13
公开(公告)号: CN110571267A 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 王洪;高升;周泉斌;廖碧艳 申请(专利权)人: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778
代理公司: 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 代理人: 江裕强
地址: 528400 广东省中山*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种具有NiO
搜索关键词: 介质层 上表面 源漏电极 栅介质层 钝化层 连接源 漏电极 沉积 电子束蒸发设备 击穿电压性能 电流崩塌 叠层结构 漏电 保护层 表面态 连接栅 栅电极 电极 减小 薄膜 制备 损伤 生长 优化
【主权项】:
1.具有NiO
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学,未经中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910745884.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top