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[发明专利]一种自旋场效应晶体管的制备方法-CN202210388147.7在审
发明人：王重朴;孙连峰;靳吉友;任红轩;魏浩男;李勇军 -专利权人：国家纳米科学中心;广东粤港澳大湾区国家纳米科技创新研究院
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管材料技术领域，尤其涉及一种自旋场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括：在沉积有单壁碳纳米管薄膜的基体上形成金属电极，使得自旋注入电极与自旋探测电极相垂直；所述自旋探测电极的两个电极分布在所述自旋注入电极两侧，并且和所述自旋注入电极相距100～500nm。本发明制备特定结构的自旋场效应晶体管，其具备加工流程简单、可在室温下工作以及自旋流同时受电场和磁场调控的优势，同时器件构建工艺与现有微电子工艺相兼容，为大规模自旋集成电路的构建奠定了基础。
一种自旋场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种多量子点结构的制备方法-CN202210360115.6在审
发明人：田仲政;于达程;任中阳;田姣姣;任黎明;傅云义 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公布了一种多量子点结构的制备方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法通过对金属纳米带的几何形状进行设计，控制电迁移主要发生的位置，再利用电流焦耳热驱动的电迁移，调整电迁移过程中的电压、电流等电学参数，使发生迁移的一部分原子与既有结构断开连接，并且控制其平均原子量，从而制备出多量子点结构。本发明可以在一次制备过程中，形成彼此间距离仅数埃至数纳米的多量子点结构，量子点的直径从数埃至数纳米，因量子尺寸限域效应，量子点的能级会分裂而存在能隙。
一种多量结构制备方法

[发明专利]一种基于金属隧穿结的可栅控开关器件的实现方法-CN202210360109.0在审
发明人：田仲政;于达程;任中阳;田姣姣;任黎明;傅云义 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于金属隧穿结的可栅控开关器件的实现方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在隧穿结结构之外，引入一个开关控制电极，开关控制电极经由介质或空气与隧穿结隔开，实现电绝缘。在开关控制电极上施加电压，则开关控制电极与隧穿结之间也会形成电场。因开关控制电极电场的引入，改变了隧穿结表面的电场分布，产生了垂直于沟道方向的电场分量。垂直沟道方向的电场分量，对隧穿结表面的原子同样也有库仑力作用，可使原子沿垂直于沟道方向迁移，使得原本停留在隧穿电极对尖端的原子，将会向两侧移动，而离开尖端位置，从而实现了通过开关控制电极控制隧穿结电流大小的目的，实现了可栅控开关。
一种基于金属隧穿结可栅控开关器件实现方法

[发明专利]低粗糙度薄膜晶体管-CN202180081952.9在审
发明人：肖恩·威廉·缪尔 -专利权人：非结晶公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管包括形成在非导电衬底上的栅电极。栅电极的顶面具有小于2nm的RMS粗糙度。厚度小于25nm的栅极绝缘体形成在栅电极上。厚度小于50nm的半导体材料形成在栅极绝缘体上。栅极绝缘体的平滑顶面促进半导体材料的平滑表面。
粗糙薄膜晶体管

[发明专利]形成基于3C－SiC的电子器件以及3C－SiC电子器件-CN202310262903.6在审
发明人： S·拉斯库纳;F·罗卡福尔特;G·贝洛基;M·维沃纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开涉及形成基于3C－SiC的电子器件以及3C－SiC电子器件。用于制造电子器件，包括以下步骤：在具有第一导电性的4H－SiC的固态主体的前侧处形成具有与所述第一导电性相对的第二导电性的至少一个注入区域；在前侧上形成3C－SiC层；在3C－SiC层中形成欧姆接触区域，该欧姆接触区域延伸穿过3C－SiC层的整个厚度，直到到达注入区域。硅层可存在于3C－SiC层上；在这种情况下，欧姆接触也延伸穿过硅层。
形成基于 sic 电子器件以及

[发明专利]分布式RC端接-CN201880047819.X有效
发明人：尼古拉斯·诺尔芒;斯特凡·布维耶 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：公开了一种集成电阻器‑电容器(RC)结构(400)。该集成RC结构包括竖直电容器(302，402，306)以及设置在电容器上方的电阻元件(308，310)。该集成RC结构使用低欧姆衬底(302)以确保电容器的良好的接地返回路径。此外，衬底的电阻率被配置成使得电容器的顶板(306)提供在预限定频率以上的参考地。电阻元件(308，310)的阻抗相对于参考地被匹配至预定电阻。这样，能够控制电阻元件(308，310)的电阻以提供在工作频率范围内阻抗受控的RC结构。
分布式 rc 端接

[发明专利]混合半导体器件-CN202180087763.2在审
发明人：克里斯托弗·博古斯拉·科措恩;亨利·利茨曼·爱德华兹 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括开关元件(120)，该开关元件具有表面以及第一区和第二区(121，122)，并且包括具有带隙的第一半导体材料。开关元件(120)的第一区(121)耦合到源极触点(110)。浮置电极(130)具有第一端和第二端(131，132)。浮置电极(130)的第一端(131)耦合到开关元件(120)的第二区(122)。电压支持结构(140)包括具有比第一半导体材料的带隙大的带隙的第二半导体材料。电压支持结构与浮置电极(140)的第二端(132)相接触。漏极触点(150)耦合到电压支持结构(140)。
混合半导体器件

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310559678.2在审
发明人：于业笑 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成栅极结构，形成第一侧墙材料层，第一侧墙材料层至少覆盖栅极结构的侧壁及位于栅极结构之间的衬底的表面。执行第一掺杂工艺，以在位于栅极结构的两侧的衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区。形成第二侧墙材料层，第二侧墙材料层覆盖第一侧墙材料层，执行刻蚀工艺，去除第一侧墙材料层及第二侧墙材料层覆盖衬底表面的部分，剩余的第一侧墙材料层及第二侧墙材料层分别构成第一侧墙层和第二侧墙层。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法-CN201610907225.4有效
发明人：方靖岳;李永强;李欣幸;秦华;常胜利;秦石乔 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法，主要组成部分是单电子晶体管，单电子晶体管具有库仑岛、源极、漏极和栅极，量子点作为单电子晶体管的库仑岛，库仑岛与源极和漏极以隧穿势垒连接，库仑岛与栅极以电容形式耦合；单电子晶体管置于垂直磁场中，单电子晶体管的漏极输出端连接自旋电子读出电路，自旋电子读出电路置于水平非均匀磁场中。本发明采用外部调控的方法，使自旋非极化的电子经过单电子晶体管后，变为自旋极化的电子，而且能对电子的自旋方向进行判定和计数，有利于数据处理快、功耗低、稳定性好的自旋电子器件的设计应用。
基于量子电子自旋过滤器过滤方法

[发明专利]具有导电部件以控制电气特性的化合物半导体器件-CN202180080932.X在审
发明人： J·G·费奥雷恩扎;D·皮埃德拉;J·A·佩罗泽克 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：集成电路可以包括具有控制化合物半导体器件的电特性的导电部件的化合物半导体器件。在一个或多个示例中，一个或多个导电部件可定位以相对于源极电接触或漏极电接触增加电子浓度。在一个或多个附加示例中，可定位导电部件以降低相对于栅极电接触的电子浓度。化合物半导体器件可以包括多个化合物半导体层，这些化合物半导体层包括具有至少一种13族元素和至少一种15族元素的一种或多种材料。
具有导电部件控制电气特性化合物半导体器件

[发明专利]一种铁电晶体管、存储阵列、存储器及制备方法-CN202180085762.4在审
发明人：黄凯亮;景蔚亮;冯君校;王正波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种铁电晶体管、存储阵列、存储器及制备方法，用以降低铁电晶体管的占用面积。铁电晶体管包括依次层叠的栅极金属层、铁电介质层和沟道层，以及分别接触沟道层的漏极金属层和源极金属层，其中，栅极金属层、漏极金属层和源极金属层呈上下重叠排布且互不接触。通过部分重叠或全部重叠铁电晶体管中的各电极区域，能有效降低单个铁电晶体管的占用面积，有助于在固定面积的存储阵列中布局更多的铁电晶体管，有效提高存储阵列的存储密度。
一种晶体管存储阵列存储器制备方法

[发明专利]一种晶体管装置-CN202180083276.9在审
发明人：大卫·萨默兰;罗杰·莱特;卢克·奈特 -专利权人：寻找未来有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种晶体管装置，其为具有半导体结构的双极晶体管，所述结构包括与集极区及射极区相同的半导体类型的通道。所述通道比与之相交界的基极区更为浅薄。本发明结构能够改善电流增益，其亦能使晶体管装置在开启时，有选择地通过控制贯穿射极端子与集极端子间的电压，来实现单极传导或实现双极传导的工作模式。
一种晶体管装置

[发明专利]具有偶极衬里的弱垂直传输场效应晶体管-CN202180086125.9在审
发明人： A·雷兹尼彻;苗欣;李忠贤;张婧芸 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体结构可以包括底部源漏、顶部源漏、栅极堆叠。顶部源漏在栅极堆叠上方，而底部源漏在栅极堆叠下方。半导体结构还可以包括底部隔离物和顶部隔离物。栅极堆叠在底部隔离物和顶部隔离物之间。底部隔离物和顶部隔离物各自包括偶极衬里。偶极衬里包括第一层和第二层。第二层可以与第一层直接接触。第二层可以由与第一层不同的材料制成。第一层可以由氧化硅制成。第二层可以由氮化硅或氧化铝制成。第一层可以与栅极堆叠、顶部源漏和底部源漏直接接触。
具有衬里垂直传输场效应晶体管

[发明专利]层、多级元件、多级元件制造方法和驱动多级元件的方法-CN201880032980.X有效
发明人：成明模;金洪范;朴真善;郑进元 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：根据本发明一实施例的层可以在导带的低级电子能量范围内呈现第一电子态数，并且在该导带的高于低级电子能量范围的高级电子能量范围内呈现第二电子态数，其中局域态可以存在于该低级电子能量范围内和该高级电子能量范围之间。
多级元件制造方法驱动

[发明专利]空穴型半导体电控量子点器件，其制备及使用方法-CN201710498737.4有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了空穴型半导体电控量子点器件、其制备和使用方法。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；至少两个量子点小电极(402)，位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间，处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103)；绝缘层(500)，覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分；和栅极纳米条带(602)，设置在绝缘层(500)上，并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(204)以及量子点小电极(402)均有交叠。还公开了一种量子点装置。
空穴半导体量子器件制备使用方法

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