[发明专利]具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构及磁随机存储器有效
申请号: | 201910389296.3 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN110098318B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 聂天晓;李晓辉;查丹 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L43/02;H01L43/12 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王庆龙;苗晓静 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构及磁随机存储器,整个多膜层结构在生长完成后经历500℃以上的温度退火,确保了良好的热稳定性。在退火过程中缓冲层的金属铬结晶促进了整体结构的晶向形成。同时由于退火,在铁磁层和第一氧化物势垒层之间形成了电荷俘获,增强了两层之间由于层间耦合而形成的界面垂直磁各向异性。由于各膜层均在纳米量级,得到的多膜层结构还具有尺寸小的优点。本发明实施例提供的磁随机存储器中的磁隧道结为具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构,可以使磁随机存储器的存储密度变高。 | ||
搜索关键词: | 具有 界面 垂直 各向异性 多膜层 结构 随机 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种具有界面垂直磁各向异性的多膜层结构,其特征在于,包括:保护层、第一氧化物势垒层、铁磁层、第一缓冲层、覆盖层和基底;所述覆盖层、第一缓冲层、所述铁磁层、所述第一氧化物势垒层以及所述保护层由下至上依次生长在所述基底上;所述第一缓冲层的材料为金属铬;所述多膜层结构经500℃以上的温度退火得到。
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- 本发明公开了自旋晶体管以及相关的存储器、存储器系统和方法。自旋晶体管由具有共享多铁层的至少两个磁性隧道结(MTJ)提供。所述多铁层由具有金属电极(金属)的铁磁薄膜(FM通道)之上的压电(PE)薄膜形成。铁磁层用作自旋通道,并且压电层用于转移压电应力,以控制所述通道的自旋状态。共享层的一侧上的MTJ形成自旋晶体管的源极,并且共享层的另一侧上的MTJ形成自旋晶体管的漏极。
- 用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构-201521137521.8
- 马可军;俞振中;郑律 - 江苏森尼克电子科技有限公司
- 2015-12-31 - 2016-07-13 - H01L43/00
- 本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构,通过过渡层,屏蔽了掺杂效应,保证了薄膜层的电学性质;过渡层选用与薄膜层同类材料,二者热膨胀系数差异很小,降低了因热膨胀系数不同而对薄膜层的影响;当衬底层材料选用陶瓷时,由于过渡层设置,避免了陶瓷上孔洞对薄膜层的影响;而过渡层与薄膜层均为导电层,二者之间增加绝缘层起到了绝缘的作用。
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