[发明专利]一种异质结硅磁敏三极管和制作工艺方法在审

专利信息
申请号: 201811594928.1 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109473541A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 赵晓锋;漆园园;刘红梅;温殿忠 申请(专利权)人: 黑龙江大学
主分类号: H01L43/00 分类号: H01L43/00;H01L43/02;H01L43/12
代理公司: 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 代理人: 刘冬梅;路永斌
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种异质结硅磁敏三极管及其制作工艺,所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)。本发明所述异质结硅磁敏三极管结构简单,实现了芯片的小型化和集成化;所述制作工艺简单,易于实现,适合规模化工业应用。
搜索关键词: 磁敏三极管 制作工艺 异质结 硅片 工业应用 规模化 集成化 器件层 传感器 衬底 芯片
【主权项】:
1.一种异质结硅磁敏三极管,其特征在于,所述异质结硅磁敏三极管包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2),其中,在所述第一硅片(1)上设置有用于检测磁场的硅磁敏三极管。
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