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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于执行支付的电子装置和方法-CN201780007864.8有效
发明人：朴容晳;金仁浩;李济旼;李俊熙;崔源峻;崔勋;金钟澔;吴胜元;金叶娜;李镕完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06Q20/16 文献下载
摘要：本发明的各种实施例涉及一种电子装置，包括：MST模块；显示器；无线通信模块；和处理器，其中，处理器被配置为：识别电子装置的位置；识别支付请求；响应于所述支付请求，确定与所述位置相应的支付传输方案；并在根据所述支付传输方案改变支付信息的数据集或传输周期时，通过使用MST模块向外部电子装置发送与支付有关的支付信息。可以通过说明书识别的其他实施例也是可能的。
用于执行支付电子装置方法

[发明专利]车辆用用户终端位置测定装置-CN202011464299.8在审
发明人：李定石;文相喆;崔源峻;赵大炫 -专利权人：大陆汽车有限责任公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G01S11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆用用户终端位置测定装置。本发明的车辆用用户终端位置测定装置包括：多个传感器，设置在车辆而接收由用户终端传送的信号；信号强度计算部，按每个传感器分别计算通过所述传感器接收的信号的信号强度；以及位置测定部，根据所述信号强度计算部按每个传感器计算的信号强度，选定在车辆周边划分的多个格子中的任一个作为所述用户终端的位置。
车辆用用终端位置测定装置

[发明专利]具有带界面增强层的半导体存储器的电子设备-CN201710287376.9有效
发明人：金亮坤;金国天;郑求烈;林锺久;崔源峻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本技术提供一种电子设备。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括用于储存数据的半导体存储器，并且半导体存储器可以包括自由层，其具有可变磁化方向；钉扎层，其具有钉扎磁化方向；隧道阻挡层，其介于自由层和钉扎层之间；以及界面增强层，其介于隧道阻挡层和钉扎层之间，并包括导电的多层层叠结构，以增强半导体存储器的磁特性，其中界面增强层可以包括：富Fe的第一层；富Co的第二层，其形成在第一层之上；以及金属层，其形成在第二层之上。
具有界面增强半导体存储器电子设备

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201610517904.0有效
发明人：林钟久;金国天;金亮坤;郑求烈;崔源峻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：所公开技术的实施方式提供了包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：磁性隧道结MTJ结构，该结构包括具有可改变的磁化方向的自由层、具有钉扎的磁化方向的钉扎层以及夹在自由层与钉扎层之间的隧道阻挡层；以及下层，位于MTJ结构之下，其中，下层包括第一下层和第二下层，第一下层具有硅基合金，第二下层位于第一下层上，并且包含金属。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电子设备-CN201610410885.1有效
发明人：金亮坤;金国天;金正明;林钟久;郑求烈;崔源峻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电子设备。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括半导体存储器，半导体存储器可以包括：下层，包括具有不同的晶体结构的多个材料层；第一磁性层，形成在下层之上且具有可变的磁化方向；隧道阻挡层，形成在第一磁性层之上；以及第二磁性层，形成在隧道阻挡层之上且具有钉扎的磁化方向。
电子设备

[发明专利]磁阻元件-CN201480077068.8有效
发明人：渡边大辅;金亮坤;长岭真;李永珉;上田公二;永濑俊彦;泽田和也;金国天;李宝美;崔源峻 -专利权人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一个实施例，提供了磁阻元件，其包括第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，其中第一磁层和第二磁层之一包括Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。
磁阻元件

[发明专利]电子设备及其制造方法-CN201610390369.7有效
发明人：金国天;金亮坤;卢承模;崔源峻 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本技术提供一种用于制造电子设备的方法。一种用于制造包括可变电阻元件的电子设备的方法，所述可变电阻元件包括：自由层，具有可变磁化方向；钉扎层，具有第一不可变磁化方向，且包括第一铁磁材料层和介于第一铁磁材料层之中的两个相邻第一铁磁材料层之间的第一间隔件层；隧道阻障层，介于自由层与钉扎层之间；磁性校正层，具有与第一磁化方向反向平行的第二磁化方向；以及第三间隔件层，介于磁性校正层与钉扎层之间，且在磁性校正层与钉扎层之间提供反铁磁交换耦合。
电子设备及其制造方法

[发明专利]电池更换装置-CN201610341923.2在审
发明人： 崔源峻;金逈啜 -专利权人：柳道机器人技术有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： B60S5/06 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例涉及电池更换装置，更详细地，包括形成有可独立性地驱动的第1驱动部和第2驱动部的升降驱动组件、配置于升降驱动组件的下部的电池夹持组件、连接升降驱动组件与电池夹持组件，并通过升降驱动组件被卷绕或放松的牵引钢丝。并且，根据本发明的一实施例的电池更换装置还包括用于调节牵引钢丝的张力的至少一个张力调节部。
电池更换装置

[发明专利]具有多电平的磁阻存储装置及其驱动方法-CN201110431996.8有效
发明人： 崔源峻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现多种电平的磁阻存储装置及其驱动方法。所述磁阻存储装置包括第一磁器件，所述第一磁器件包括具有固定磁化方向的固定层、设置在固定层上的隧道层、以及设置在隧道层上的具有可变磁化方向的第一自由层；以及第二磁器件，所述第二磁器件设置在第一磁器件上，包括多个自由层，所述多个自由层之间用间隔层隔离。
具有电平磁阻存储装置及其驱动方法

[发明专利]具有提高的磁性层厚度余量的磁存储器件-CN201110432000.5无效
发明人： 崔源峻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁存储器件，所述磁存储器件即使在构成磁隧道结的磁性层的厚度余量小时也能够保证恒定的隧道磁阻差。所述磁存储器件包括：第一磁性层，所述第一磁性层具有固定的磁化方向；磁化固定层，所述磁化固定层形成在第一磁性层上；隧道势垒层，所述隧道势垒层形成在磁化固定层上；以及第二磁性层，所述第二磁性层形成在隧道势垒层上并具有可变的磁化方向。
具有提高磁性厚度余量磁存储器

[发明专利]垂直沟道型非易失性存储器件及其制造方法-CN201210079761.1有效
发明人：赵兴在;金龙水;金范庸;崔源峻;安正烈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种垂直沟道型非易失性存储器件，包括：从半导体衬底突出的多个沟道；和包括沿着所述沟道堆叠的多个存储单元的多个串，其中所述串中的至少两个共享一个沟道。
垂直沟道非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201010164498.7无效
发明人：林世润;崔殷硕;李永昱;崔源峻;李起洪;李相范 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了非易失性存储器件及其制造方法。一种非易失性存储器件的制造方法包括：在衬底上交替堆叠多个层间电介质层和多个导电层；蚀刻层间电介质层和导电层以形成暴露衬底表面的沟槽；在所得到的形成有沟槽的结构上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；去除第二材料层和第一材料层形成在沟槽的底部上的部分以暴露衬底的表面；去除第二材料层；以及将沟道层埋入在已去除第二材料层的沟槽内。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]垂直沟道型非易失性存储器件及其制造方法-CN200910165421.9有效
发明人：赵兴在;金龙水;金范庸;崔源峻;安正烈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种垂直沟道型非易失性存储器件及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上交替形成多个牺牲层和多个层间介电层；蚀刻牺牲层和层间介电层，以形成用于沟道的多个第一开口，每个第一开口均暴露所述衬底；填充第一开口以形成从半导体衬底突出的多个沟道；蚀刻牺牲层和层间介电层，以形成用于除去沟道之间的牺牲层的第二开口；通过除去由第二开口暴露出的牺牲层来暴露沟道的侧壁；和在沟道的暴露出的侧壁上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、电荷阻挡层和用于栅电极的导电层。
垂直沟道非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910008580.8无效
发明人：金龙水;周文植;赵兴在;崔源峻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上形成栅极结构，所述栅极结构包括硅层和金属层的堆叠层；选择性地蚀刻所述栅极结构以形成栅极图案；形成包围所述栅极图案的覆盖层；等离子体处理所述覆盖层；和实施栅极再氧化工艺。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]空调器的室外机-CN200810053103.9无效
发明人： 崔源峻 -专利权人：乐金电子（天津）电器有限公司
申请日： 2008-05-13 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： F24F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种空调器的室外机。本发明的空调器的室外机在箱体内的多个位置设有多个截止阀门，并且，由于可选择性的使用多个截止阀门中的一部分，因此，可将由于室外机的安装位置而导致安装不便的制约作用降到最低，具有安装更为方便的效果。
空调器室外

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