[发明专利]用于物质波的非互易性滤波器在审
| 申请号： | 201980016445.X | 申请日： | 2019-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN111886710A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 约亨·曼哈特 | 申请（专利权）人： | 马克斯·普朗克科学促进学会 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;王芳 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非互易性量子装置(10；20；30；40；50；60；70)，包括第一端子(A)和第二端子(B)，连接在第一和第二端子之间的传输结构，且被配置为以至少部分相位相干的方式从第一端子向第二端子传输微观粒子并且可能从第二端子向第一端子传输微观粒子，其中，相对于所述传输结构的至少一部分，所述粒子的传输的时间反演对称性被破坏；其中时间反演对称性被破坏，使得传输结构对于从第一端子到第二端子的第一方向上移动的粒子比从第二端子到第一端子的第二方向上移动的粒子具有更高的传输概率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 物质 非互易性 滤波器 | ||
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- 用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构-201521137521.8
- 马可军;俞振中;郑律 - 江苏森尼克电子科技有限公司
- 2015-12-31 - 2016-07-13 - H01L43/00
- 本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过过渡层，屏蔽了掺杂效应，保证了薄膜层的电学性质；过渡层选用与薄膜层同类材料，二者热膨胀系数差异很小，降低了因热膨胀系数不同而对薄膜层的影响；当衬底层材料选用陶瓷时，由于过渡层设置，避免了陶瓷上孔洞对薄膜层的影响；而过渡层与薄膜层均为导电层，二者之间增加绝缘层起到了绝缘的作用。
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