[发明专利]具有介电层的集成电路器件和制造其的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201910121511.1 申请日: 2019-02-19
公开(公告)号: CN110504241A 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 朴瑛琳;文瑄敏;郑昌和;朴影根;徐钟汎;曹圭镐 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L21/67
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。
搜索关键词: 界面层 电极 介电层 集成电路 金属
【主权项】:
1.一种集成电路器件,包括:/n电极;/n介电层,面向所述电极;和/n多个界面层,介于所述电极和所述介电层之间并包括第一金属,/n其中,所述多个界面层包括第一界面层和第二界面层,并且所述第一界面层的氧含量不同于所述第二界面层的氧含量。/n
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