[发明专利]具有至少3层高-K介电层的模拟电容器和制造它的方法有效

专利信息
申请号: 200410082530.1 申请日: 2004-09-20
公开(公告)号: CN1598981A 公开(公告)日: 2005-03-23
发明(设计)人: 郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01G4/00 分类号: H01G4/00;H01G4/018;H01G13/00;H01L21/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元;赵仁临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种具有至少3层高-k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层。该至少3层高-k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且,各底介电层和顶介电层是,与中介电层相比,VCC的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层,中介电层是,与底介电层和顶介电层相比,漏电流相对低的高-k介电层。因此,由于使用至少3层高-k介电层,可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
搜索关键词: 具有 至少 层高 介电层 模拟 电容器 制造 方法
【主权项】:
1.一种模拟电容器,包含:a)下电极;b)面对下电极的上电极;和c)置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层,该至少3层高-k介电层包含:i)接触下电极的底介电层;ii)接触上电极的顶介电层;和iii)置于底介电层与顶介电层之间的中介电层,其中各底介电层和顶介电层是,与中介电层相比,电容电压系数(VCC)的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层,并且中介电层是,与底介电层和顶介电层相比,漏电流相对低的高-k介电层。
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  • 2022-07-20 - 2023-09-08 - H01G4/005
  • 本发明涉及电容器技术领域,尤其涉及一种玻璃芯片电容器及其制备方法。本发明提供了一种玻璃芯片电容器,包括第一电极、第二电极、阳模、阴模和玻璃介质层;所述阳模和阴模的一侧表面均为纳米阵列结构;所述阳模的纳米阵列结构和阴模的纳米阵列结构之间通过玻璃介质层隔开形成类叉指结构;所述阳模的另一侧与第一电极层叠设置;所述阴模的另一侧与第二电极层叠设置。所述玻璃芯片电容器具有较高的容量密度、耐电压和可靠性。
  • 一种散热性能强的金属化薄膜电容器-202320528593.3
  • 李新安;李骁 - 深圳市深峰电子有限公司
  • 2023-03-17 - 2023-09-08 - H01G4/002
  • 本实用新型涉及电容器技术领域,且公开了一种散热性能强的金属化薄膜电容器,包括电容外壳,所述电容外壳内部固定安装有引脚,所述引脚对称设置有两个,所述引脚底端穿过电容外壳底部并竖直向下延伸,所述引脚表面套设有绝缘套,所述引脚底端设置有稳定组件,所述稳定组件包括稳定板,所述稳定板顶部开设有内置槽,所述内置槽槽口处固定连接有封闭盖。本实用新型的使用者在对引脚进行安装时,先将引脚底端插入孔洞内,本设计解决了现有技术下的不足,与授权公告号CN210489448U的专利相比,使用者在将稳定板与引脚分离时,无需再用手依次拧下两个螺栓,只需用手按压限位块即可,极大的方便了使用者的操作,提升了工作效率。
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