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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子器件、半导体器件以及制造电子器件的方法-CN201910305463.1有效
发明人： 张凯峯;蔡连尧;牛宝华;邓伊筌;施启元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，提供了一种电子器件，其包括电容器和覆盖电容器的钝化层。电容器包括第一电极、设置在第一电极上方的介电层和设置在介电层上方的第二电极。第一电极的面积大于介电层的面积，并且介电层的面积大于第二电极的面积，使得电容器的侧具有多阶梯结构。根据本发明的实施例，还提供了半导体器件以及制造电子器件的方法。
电子器件半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201611195878.0有效
发明人： 张凯峯;吕联沂;蔡连尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种MEMS器件及其形成方法。图案化第一衬底的介电层以通过介电层暴露导电部件和底部层。将第二衬底的第一表面接合至介电层并且图案化介电层以形成膜和可移动元件。将覆盖晶圆接合至第二衬底，在将覆盖晶圆接合至第二衬底的位置形成包括可移动元件的第一密封腔并且第二密封腔以膜部分地为界。去除覆盖晶圆的部分以将第二密封腔暴露于环境压力。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法，更具体地涉及微机电器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]金属-绝缘体-金属器件及其形成方法-CN202010147423.1在审
发明人：施启元;张凯峯;黄士芬;廖彦杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)器件。金属‑绝缘体‑金属器件包含衬底，以及堆叠在衬底上方的第一电极和第二电极。介电层布置于第一电极与第二电极之间。此外，金属‑绝缘体‑金属器件包含安置于衬底上方且通过第一电极与介电层分离的钛吸气层。钛吸气层具有比介电层更高的吸氢能力。
金属绝缘体器件及其形成方法

[发明专利]微机电系统装置结构及其形成方法-CN201810697127.1有效
发明人： 张凯峯;蔡连尧;吕联沂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：提供微机电系统(MEMS)装置结构的形成方法，微机电系统装置结构包含微机电系统(MEMS)基底以及基底形成于微机电系统基底上方，基底包含半导体导通孔通过基底。微机电系统装置结构包含介电层形成于基底上方以及聚合物层形成于介电层上。微机电系统装置结构也包含导电层形成于介电层和聚合物层中，导电层电性连接至半导体导通孔，且聚合物层位于导电层与介电层之间。
微机系统装置结构及其形成方法

[发明专利]压电器件、恢复压电器件的劣化器件性能的方法及系统-CN201910789075.5在审
发明人：亚历山大卡尔尼斯基;郑创仁;施启元;张凯峯;黄士芬;邓伊筌;蔡易恒;林佑儒;廖彦杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：在一些实施例中提供一种压电器件。所述压电器件包括半导体衬底。在半导体衬底之上设置有第一电极。在第一电极上设置有压电结构。在压电结构上设置有第二电极。在半导体衬底之上设置有加热元件。加热元件被配置成将压电结构加热到恢复温度达一时间段，其中将压电结构加热到恢复温度达所述时间段会改善压电器件的劣化的电特性。
压电器件恢复性能方法系统

[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器-CN201910573332.1在审
发明人：施启元;张凯峯;黄士芬;戴文川;邓伊筌;蔡易恒;林佑儒;陈彦文;林柏燊;黄富骏;郑创仁;吴华书;胡凡;林璟晖;廖彦杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开涉及一种金属‑绝缘体‑金属电容器，其具有上覆在衬底上的顶部电极。钝化层上覆在顶部电极上。钝化层具有台阶区，所述台阶区从顶部电极的顶表面连续地延伸到顶部电极的侧壁并连续地接触顶部电极的顶表面及侧壁。金属框架上覆在钝化层上。金属框架从钝化层的顶表面连续地延伸到台阶区中钝化层的上侧壁并连续地接触钝化层的顶表面及所述上侧壁。金属框架具有突起部，所述突起部延伸穿过钝化层并接触顶部电极的顶表面。
钝化层顶部电极顶表面金属框架台阶区上侧壁突起部侧壁绝缘体金属电容器延伸穿过延伸衬底金属

[发明专利]用于背照式（BSI）图像传感器的焊盘结构-CN201710233628.X有效
发明人：郑庆鸿;张凯峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于高接合结构的具有接触通孔阵列的焊盘结构。在一些实施例中，半导体衬底包括焊盘开口。互连结构位于半导体衬底下方，并且包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列。布线层和接触通孔阵列位于ILD层中。此外，接触通孔阵列邻接布线层并且位于布线层和半导体衬底之间。焊盘开口中的焊盘覆盖接触通孔阵列，并且突出至ILD层以接触位于接触通孔阵列的相对侧上的布线层。本发明也提供了用于制造焊盘结构的方法以及具有焊盘结构的图像传感器。本发明实施例涉及用于背照式(BSI)图像传感器的焊盘结构。
用于背照式 bsi 图像传感器盘结

[发明专利]图像传感器-CN201811325849.0在审
发明人：郑庆鸿;张凯峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括感光元件、存储元件及驱动电路。存储元件相邻于感光元件且包括存储节点、栅极介电层、存储栅极电极、刻蚀终止层、屏蔽层、以及保护层。栅极介电层位于存储节点上。存储栅极电极位于栅极介电层上。刻蚀终止层覆盖栅极介电层及存储栅极电极。屏蔽层位于存储栅极电极上。保护层夹置在刻蚀终止层与屏蔽层之间。驱动电路与存储元件相邻。
栅极介电层存储栅极电极刻蚀终止层存储元件屏蔽层图像传感器存储节点感光元件驱动电路保护层夹置覆盖

[发明专利]具有多重压力的MEMS盖帽-CN201611106763.X在审
发明人： 张凯峯;吕联沂;蔡连尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种微机电(MEMS)器件及形成方法。除气层沉积在盖帽晶圆的表面上。以形成包括第一可移动元件的第一密封腔和包括第二可移动元件的第二密封腔的方式将盖帽晶圆接合至衬底。退火除气层以从除气层释放气体至第二密封腔内并且增加第二密封腔的压力，从而使得在退火之后，第二密封腔具有比第一密封腔更高的压力。本发明实施例涉及具有多重压力的MEMS盖帽。
具有多重压力 mems 盖帽

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