[发明专利]背侧金属-氧化物-金属/金属-绝缘体-金属器件有效
| 申请号： | 201310096995.1 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103367244A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | J·B·谭;Y·K·林;S·N·袁;S·Y·西娅 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供一种背侧金属-氧化物-金属/金属-绝缘体-金属器件，其中，背侧金属-氧化物-金属/金属-绝缘体-金属结构整合在具有前侧电路系统的器件上。实施例包含形成衬底，其具有前侧与相对该前侧的背侧，该衬底在该衬底的前侧上包含电路系统；以及于该衬底的背侧上形成金属-氧化物-金属电容器、金属-绝缘体-金属电容器、或其结合。其它实施例包含于该衬底中形成硅通孔，其将该金属-氧化物-金属电容器、该金属-绝缘体-金属电容器、或其结合连接至该衬底的前侧上的电路系统。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 绝缘体 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：形成衬底，其具有前侧与相对该前侧的背侧，该衬底在该衬底的前侧上包含电路系统；以及于该衬底的背侧上形成金属‑氧化物‑金属MOM电容器、金属‑绝缘体‑金属MIM电容器、或其结合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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