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[发明专利]半导体结构及半导体制造方法-CN201710148905.7有效
发明人：刘承勋;古进誉;王荣德;谢维伦;王家桦;陈正泓;蔡佩杏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711090657.1有效
发明人： 古进誉;杨政龙;陈承先;黄宏麟;王肇仪;陈清晖;郭建鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一介电层、凸块、刻蚀终止层以及间隔壁。所述第一介电层设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构。所述凸块局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构。所述刻蚀终止层在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上。所述间隔壁环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210178755.5在审
发明人：杨挺立;吕文雄;王肇仪;刘富维;古进誉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置包括衬底、至少一个通孔、衬层和导电层。衬底包括电子电路。至少一个通孔穿过衬底。至少一个通孔在其侧壁上包括多个凹入部分。衬层填满至少一个通孔的多个凹入部分。导电层配置于至少一个通孔的侧壁上、覆盖衬层，并延伸至衬底表面上。至少一个通孔的侧壁上的导电层的厚度是变化的。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210059325.1在审
发明人：王肇仪;古进誉;吕文雄;毛隆凯;郑明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括将支撑衬底接合至晶圆的半导体衬底。接合层位于支撑衬底和半导体衬底之间，并且接合至支撑衬底和半导体衬底两者。执行第一蚀刻工艺以蚀刻支撑衬底且形成贯穿支撑衬底终且止于接合层的开口。开口具有基本上直的边缘。然后蚀刻接合层。执行第二蚀刻工艺以将开口向下延伸到半导体衬底中。开口的底部是弯曲的。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN201711278321.8有效
发明人：张碧兰;陈承先;古进誉;陈旭贤;黄威志;林峻莹;周立婕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种封装结构，所述封装结构包括线路衬底、半导体管芯、重布线层、及多个导电球。所述重布线层设置在所述半导体管芯上，且电连接到所述半导体管芯。所述多个导电球设置在所述重布线层与所述线路衬底之间。所述半导体管芯通过所述多个导电球电连接到所述线路衬底。所述多个导电球中的每一者具有：球脚部，具有第一宽度D1；球头部，具有第三宽度D3；以及球腰部，具有第二宽度D2且位于所述球脚部与所述球头部之间。所述球脚部连接到所述重布线层，所述球头部连接到所述线路衬底，且所述球腰部是所述多个导电球中的每一者的最窄部分。据此，来自线路衬底或管芯的应力可被传递到球腰部，从而缓解球头部或球脚部处的应力或应变。
封装结构及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201711289177.8有效
发明人：黄宏麟;陈承先;古进誉;黄冠智;黄伟立 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括导电层、第一介电层、磁性层、及蚀刻终止堆叠。所述第一介电层设置在所述导电层之上。所述磁性层设置在所述第一介电层之上。所述蚀刻终止堆叠设置在所述磁性层与所述第一介电层之间。所述蚀刻终止堆叠包括第二介电层及位于所述第二介电层与所述磁性层之间的多个单元层，且所述多个单元层中的每一者包括钽层及位于所述钽层上的氧化钽层。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610010220.1有效
发明人：亚历山大·卡尔尼茨基;雷弋昜;王玺清;郭震宇;黄宗隆;谢静华;刘重希;余振华;古进誉;廖德堆;刘国洲;吴凯第;张国彬;杨胜斌;黄以撒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：接收第一衬底，第一衬底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及设置在第一表面上方的多个导电凸块；接收第二衬底；在第一衬底或第二衬底上方设置粘合剂；在第一环境中加热粘合剂；通过在第一衬底或第二衬底上施加小于约10,000N的力以及在第二环境中加热粘合剂来将第一衬底与第二衬底接合；以及从第二表面减薄第一衬底的厚度。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]接合结构及其形成方法-CN201610643423.4有效
发明人：李明机;刘重希;古进誉;郭宏瑞;亚历山大·卡尔尼茨基;何明哲;吴逸文;陈清晖;刘国洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种方法包括在导电焊盘上方形成第一介电层，在第一介电层上方形成第二介电层并且蚀刻第二介电层以形成第一开口，第一介电层的顶面暴露于第一开口。形成模板层以填充第一开口。然后，在模板层和第一介电层中形成第二开口，导电焊盘的顶面暴露于第二开口。在第二开口中形成导电柱。本发明的实施例还涉及接合结构及其形成方法。
接合结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构的制造方法-CN201910743525.7在审
发明人：陈季丞;黄伟立;郭建志;黄宏麟;古进誉;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种半导体装置结构和制造方法。上述方法包括形成一粘着层于一半导体基底上，且形成一磁性元件于粘着层上。上述方法还包括形成一隔离元件而延伸跨越磁性元件。隔离元件局部覆盖磁性元件的上表面，且局部覆盖磁性元件的多个侧壁表面。上述方法还包括局部去除粘着层，使得粘着层的一边缘横向设置于磁性元件的一边缘与隔离元件的一边缘之间。另外，上述方法包括形成一导线于隔离元件上。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]形成半导体装置的结构的方法-CN201910795814.1在审
发明人：陈季丞;黄伟立;吴俊逸;巫洸毅;黄宏麟;苏智宏;古进誉;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开一些实施例提供了一种形成半导体装置的结构的方法。此方法包括于半导体基板的上方形成钝化层。此方法还包括于钝化层的上方形成磁性元件。此方法还包括于磁性元件以及钝化层的上方形成隔离层，其中隔离层包括一高分子材料。再者，此方法包括于隔离层的上方形成导线，且导线延伸跨过磁性元件。
形成半导体装置结构方法

[发明专利]半导体结构和方法-CN201711083383.3有效
发明人：黄伟立;陈季丞;黄宏麟;周建志;古进誉;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，其中，在半导体衬底上方形成具有钴‑锆‑钽的多个层，图案化多个层，并且在CZT材料上方沉积多个介电层和导电材料。另一CZT材料层包封导电材料。本发明实施例涉及半导体结构和方法。
半导体结构半导体器件导电材料材料层介电层图案化包封衬底沉积半导体制造

[发明专利]导电外部连接器结构、半导体器件及形成方法-CN201611001301.1有效
发明人：施孟甫;罗俊彦;黄震麟;陈文明;黄建铭;刘原甫;郑咏全;黄威志;刘承勋;詹前彬;徐玉女;林奇鸿;庞德勋;古进誉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：讨论了外部电连接件和形成这种外部电连接件的方法，一种方法包括在衬底上形成外部电连接结构。形成外部电连接结构包括在第一溶液中的衬底处产生的第一搅拌等级的情况下在衬底上电镀柱。该方法还包括在第二溶液中的衬底处产生的第二搅拌等级的情况下，在外部电连接结构上电镀焊料。在衬底处产生的第二搅拌等级大于在衬底处产生的第一搅拌等级。电镀焊料还包括在外部电连接结构的侧壁上形成外壳。本发明还提供了半导体器件及形成方法。
导电外部连接器结构半导体器件形成方法

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201910276631.9在审
发明人： 古进誉;陈季丞;黄宏麟;黄伟立;吴俊逸;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供半导体装置结构的形成方法。方法包括形成蚀刻停止层于半导体基板上，并形成磁性元件于蚀刻停止层上。方法亦包括形成隔离元件，其延伸越过磁性元件。隔离元件部分地覆盖磁性元件的上表面并部分地覆盖磁性元件的侧壁表面。方法还包括形成导电线路于隔离元件上。此外，方法包括形成介电层于导电线路、隔离元件、与磁性元件上。
磁性元件隔离元件蚀刻停止层导电线路半导体装置结构半导体基板侧壁表面介电层上表面覆盖延伸

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201910005239.0在审
发明人：杨挺立;黄伟立;杨胜斌;陈季丞;黄宏麟;古进誉;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种半导体装置结构的形成方法。此方法包含形成第一导线于基板之上。此方法包含形成第一保护盖于第一导线的第一部份之上。第一保护盖和第一导线由不同导电材料形成。此方法包含形成第一感光介电层于基板、第一导线、和第一保护盖之上。此方法包含形成第一开口于第一感光介电层中且于第一保护盖之上。此方法包含形成导通孔结构和第二导线于第一导线之上。导通孔结构位于第一开口中且于第一保护盖之上，并且第二导线位于导通孔结构和第一感光介电层之上。
保护盖感光介电层导通孔基板开口半导体装置结构导电材料

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811208034.4在审
发明人： 古进誉;黄宏麟;王肇仪;陈承先;郭建鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法。提供第一衬底，第一衬底具有在其中的导电特征、导电特征上方的金属凸块以及金属凸块旁的钝化堆叠。于金属凸块和钝化堆叠上方形成第一绝缘层。执行第一图案化工艺和第二图案化工艺以在第一绝缘层中形成第一开口图案和第二开口图案。第二图案化工艺裸露出金属凸块。提供第二衬底，第二衬底具有在其上的第二绝缘层。在第二绝缘层和第一绝缘层面对彼此的情况下将第二衬底结合到第一衬底，以使得第二绝缘层填充第一绝缘层的第一开口图案和第二开口图案。移除第一绝缘层和部分钝化堆叠。
绝缘层衬底金属凸块开口图案图案化工艺堆叠钝化半导体器件导电特征填充移除

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