[发明专利]一种锗单晶退火过程电阻控制的方法在审
| 申请号： | 201810166049.2 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108277528A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙建坤;罗玉萍 | 申请（专利权）人： | 昆明凯航光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 650500 云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗单晶退火过程电阻控制的方法，制备过程如下：称取一定量锗锭和碲粉，其中碲粉的质量为锗锭的0.1‰‑2‰，将锗锭和碲粉装料、熔料，待炉温稳定后引晶、缩颈、放肩、转肩、等径，待单晶长至所需的尺寸时，升高炉温并增加拉速使单晶尾部迅速熔断，并对单晶实施阶梯度退火。用本方法制备的锗单晶电阻范围可宽可窄，满足红外级锗单晶电阻5‑40Ω的要求，也能制备极端电阻需求的锗单晶，比如0.2‑0.5Ω、1‑5Ω，10‑20Ω等。 | ||
| 搜索关键词： | 锗单晶 单晶 电阻 锗锭 碲粉 电阻控制 退火过程 炉温 制备 熔断 退火 装料 制备过程 阶梯度 称取 等径 放肩 拉速 熔料 缩颈 引晶 升高 | ||
【主权项】：
1.一种锗单晶退火过程电阻控制的方法，其特征在于，制备过程如下：称取一定量锗锭和碲粉，其中碲粉的质量为锗锭的0.1‰‑2‰，将锗锭和碲粉装料、熔料，待炉温稳定后引晶、缩颈、放肩、转肩、等径，待单晶长至所需的尺寸时，升高炉温并增加拉速使单晶尾部迅速熔断，并对单晶实施阶梯度退火。
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- 硅晶体的连续生长装置-201711358366.6
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- 2017-12-17 - 2018-07-17 - C30B29/02
- 本发明公开了一种硅晶体的连续生长装置，尤其适用于单晶硅，准单晶硅及多晶硅的制备。所述装置具有双熔区：主熔炼室可以用于晶体生长，一个辅助投料熔炼室可以作为连续高温熔体投料区。辅助投料熔炼室：配有两区的感应加热磁场，用于给多晶料加热。当上熔炼系统的料用尽以后在坩埚下料口的感应线圈断电后具有强制冷却的作用，使得多晶料凝固密封下料口。连续投料区有两组电磁约束磁场，控制熔体的上下运动。晶体生长区具有电磁约束磁场，使得熔体在无侧壁坩埚的条件下定向生长。通过投料区可以多次向晶体生长区投高温熔体料，实现晶体的稳定连续生长。
- 一种锗单晶退火过程电阻控制的方法-201810166049.2
- 孙建坤;罗玉萍 - 昆明凯航光电科技有限公司
- 2018-02-28 - 2018-07-13 - C30B29/02
- 本发明公开了一种锗单晶退火过程电阻控制的方法，制备过程如下：称取一定量锗锭和碲粉，其中碲粉的质量为锗锭的0.1‰‑2‰，将锗锭和碲粉装料、熔料，待炉温稳定后引晶、缩颈、放肩、转肩、等径，待单晶长至所需的尺寸时，升高炉温并增加拉速使单晶尾部迅速熔断，并对单晶实施阶梯度退火。用本方法制备的锗单晶电阻范围可宽可窄，满足红外级锗单晶电阻5‑40Ω的要求，也能制备极端电阻需求的锗单晶，比如0.2‑0.5Ω、1‑5Ω，10‑20Ω等。
- 一种静态结晶装置及超高纯镓的制备方法-201711391404.8
- 何志达;谭继军;朱刘 - 广东先导先进材料股份有限公司
- 2017-12-21 - 2018-06-05 - C30B29/02
- 本发明提供一种静态结晶装置，包括冷却循环水槽和安装在所述冷却循环水槽内的结晶槽；所述结晶槽包括槽体和槽盖；所述槽盖上设置有红外温控装置；所述槽体底部设置有空腔，空腔上方设置有籽晶座；所述空腔设置有进水口和出水口，分别与籽晶冷却循环进水管和籽晶冷却循环出水管连接，所述空腔内设置有籽晶控温热电偶；所述冷却循环水槽的底部设置有进水口，所述冷却循环水槽的槽壁顶端设置有回水口。本发明中静态结晶装置的结构和温控装置的设计能够保证结晶槽内镓熔体和籽晶温度的高度均匀性，保证结晶自下而上以近乎一个平面的方式生长，保证杂质的含量的均匀梯度分布，获得超高纯镓产品。本发明还提供了一种超高纯镓的制备方法。
- 一种石墨烯的外延生长设备-201711184193.0
- 关赫 - 西北工业大学
- 2017-11-23 - 2018-04-13 - C30B29/02
- 本发明公开了一种石墨烯的外延生长设备，由源气体供给与气体运输系统(1)、外延生长反应室系统(2)、尾气处理系统(3)、安全保障系统(4)、冷却系统(5)、自动控制系统(6)组成；所述源气体供给与气体运输系统(1)与外延生长反应室系统(2)通过管道连通。本发明提出将SiC衬底上石墨烯材料的形成过程分解为两步首先是通过氯化处理在SiC表面形成一定结构碳层，然后是通过退火使碳层在SiC衬底的诱导下重构成石墨烯晶体。减少了SiC分解过程和无定型碳层重构过程的互相干扰，反应过程清晰，机理明确，便于进行生长动力学理论研究和工艺控制；具有较强的创新性。
- 一种单晶铜还原炉-201710736992.8
- 张春新 - 武陟吉铨特种金属材料有限公司
- 2017-08-24 - 2018-02-13 - C30B29/02
- 本发明涉及一种单晶铜还原炉，它包括炉体，所述炉体的下端连接有管道A，所述炉体的下部设置有进料口，所述炉体的左端设置有炉体耳和管道B，所述炉体耳连接有支架和齿轮，所述齿轮连接有调节装置，所述支架上连接有支撑杆，所述炉体的上端设置有上盖，所述上盖的上端面设置有管道C、调节管道、支撑柱和管道D，所述支架连接有防护罩，所述炉体的后端面设置有出口，所述出口的下方设置有固定块；因此，本发明具有工业化生产、操作方便、安全性能好的优点。
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