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[发明专利]硒化钨的减薄方法及硒化钨材料与场效应晶体管-CN202310285266.4在审
发明人：岳德武;陈洪宇;马兴毅;王新中;刘新科;宿世臣;钱永腾;刘晓迟 -专利权人：深圳信息职业技术学院;哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了硒化钨的减薄方法及硒化钨材料与场效应晶体管，硒化钨的减薄方法包括以下步骤：提供初阶产品，初阶产品包括衬底以及附着于衬底表面的硒化钨，对硒化钨的表面进行氧等离子体处理，生成WOx氧化层，得到表面具有WOx氧化层的第一阶产品；采用能够与WOx反应的碱溶液去除第一阶产品中的WOx氧化层，得到目标硒化钨材料。通过氧等离子体处理将待减薄的硒化钨的表面进行氧化，得到预设厚度的WOx氧化层，再用碱溶液与WOx氧化层反应，去除WOx氧化层，得到目标厚度的硒化钨，即硒化钨材料；在减薄过程中不会损伤硒化钨层，同时去除了WOx杂质，避免了在制备过程中硒化钨被氧化或晶体结构被损坏而产生的电学性能下降等问题，操作简单，可控性强。
硒化钨方法材料场效应晶体管

[发明专利]一种基于双栅调控的SnS2-CN202211232071.5在审
发明人：陈洪宇;柴泽宾;宿世臣 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种基于双栅调控的SnS2/MoSe2异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法和应用。本发明属于多功能光电晶体管技术领域。本发明的目的是为了解决现有隧穿场效应晶体管热激发载流子受环境影响较大，使用寿命较短的技术问题。本发明的隧穿场效应晶体管以石墨烯纳米片层/h‑BN纳米片层为顶栅，以SiO2/Si为底栅，SnS2/MoSe2为异质结。方法：先通过机械剥离法在底栅上获得SnS2、MoSe2、h‑BN、石墨烯纳米片；然后利用干法转移依次将MoSe2、h‑BN、石墨烯纳米片转移到SnS2纳米片上；再蒸镀金属粘结层/Au电极层获得栅极、漏极和源极，退火后得到隧穿场效应晶体管。它应用于逻辑回路元器件领域。
一种基于调控 sns base sub

[发明专利]卤素钙钛矿异质结光电探测器及其制备方法以及信息通信的装置-CN202211270233.4在审
发明人： 宿世臣;赵蕴鹏 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10K71/50 文献下载
摘要：本申请公开一种卤素钙钛矿异质结光电探测器及其制备方法以及信息通信的装置，制备方法包括步骤：步骤一，称取MABr与PbBr2，加入DMF并搅拌，直至呈澄清透明状，即获得钙钛矿(MAPbBr3)的前驱体溶液；步骤二，加热MAPbBr3的前驱体溶液，程序升温，直到120℃保持单晶生长出来，将生长的单晶放入新的前驱体溶液中，直至获得MAPbBr3钙钛矿块状单晶；步骤三，重复步骤一和步骤二，制备出MAPbCl3钙钛矿块状单晶；步骤四，制备异质结；步骤五，在制备好的钙钛矿异质结上制备电极，制成基于MAPbBr3/MAPbCl3钙钛矿异质结的光电探测器。本公开的方法制备出的探测器具备离子迁移小的特性，利用制备得到的钙钛矿光电探测器结合激光通信模块实现双通道光通信。
卤素钙钛矿异质结光电探测器及其制备方法以及信息通信装置

[发明专利]蓝紫色磷光碳量子点及其制备方法-CN202211051668.X在审
发明人： 宿世臣;梅若兰 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本申请公开一种蓝紫色磷光碳量子点的制备方法，其包括以下步骤：步骤一，尿素与间苯二胺混合均匀后，置于250～300℃的密闭环境中反应直至得到白色颗粒；步骤二，将步骤一中得到的白色颗粒研磨，即得到蓝紫色磷光碳量子点；其中，在步骤一中，所述尿素与间苯二胺的重量比为1：(1.6×10‑6～3.8×10‑5)。本申请还提供了一种蓝紫色磷光碳量子点，所述蓝紫色磷光碳量子点由前述的蓝紫色磷光碳量子点的制备方法制备得到。本公开的制备方法通过在尿素原位无溶剂碳化的基础上微掺杂间苯二胺，制备工艺简便快捷，无需溶剂后处理来提取碳量子点，避免了常规溶剂热法中的溶剂对碳量子点材料的性能的影响。
紫色磷光量子及其制备方法

[发明专利]一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法-CN201911397635.9有效
发明人：唐吉龙;张建;魏志鹏;宿世臣;范杰;张晶;房丹;方铉;林逢源;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法。本发明在半导体基底背面生长金刚石薄膜，在基底侧面进行划刻，在基底正面进行离子注入并对基底进行退火处理，最后通过剥离得到所需厚度的高效散热半导体衬底，剥离后剩余基底可再次进行本发明所提出的衬底的制备，实现基底的多次使用。本发明提供的方法通过离子注入生成物与原基底材料之间存在较大的应力完成剥离，可以将一片基底进行多次重复利用，避免了基底的浪费，降低了半导体器件的制备成本。
一种基底多次利用高效散热半导体衬底制备方法

[发明专利]一种多种光强分布的多点大倾角斜激光冲击强化的数值模拟方法-CN202210420626.2在审
发明人： 宿世臣;刘粤;王琛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种多种光强分布的多点大倾角斜激光冲击强化的数值模拟方法，其根据激光诱导等离子体的迎光生长特性，将激光诱导冲击波产生的作用力分为垂直于靶材表面的压力载荷和平行于靶材表面的水平载荷，将光强分布类型和入射角度的影响引入激光冲击强化有限元模拟中，通过推导和解析式选择，计算了变形后不同光强分布的激光诱导冲击波压力分布，实现斜激光冲击强化压力的转化与加载。对于多点冲击，本发明无需多次显隐式转换，提高了计算效率，减少了模型建立成本。
一种多种分布多点倾角激光冲击强化数值模拟方法

[发明专利]一种碳/氧化锌/贵金属复合材料、光催化剂及其制备方法和应用-CN202210355828.3在审
发明人： 宿世臣;王雪琴 -专利权人：华南师大（清远）科技创新研究院有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B01J23/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳/氧化锌/贵金属复合材料、光催化剂及其制备方法和应用，该方法包括将锌源和沉淀剂加入溶剂A中混合均匀获得锌源溶液；搅拌条件下将贵金属M纳米粒子溶液加入锌源溶液中，加热一段时间后，加入碱性溶液调节溶液PH至碱性，获得包含包覆有氧化锌层的纳米贵金属小球M@ZnO的溶液A；离心溶液A，经洗涤、烘干和研磨后获得M@ZnO小球粉末，将M@ZnO小球粉末分散至溶剂B中，获得M@ZnO小球溶液B；将一定量的碳量子点溶液加入M@ZnO小球溶液B中，混合均匀后烘干，获得碳/氧化锌/贵金属复合材料。其获得的材料尺寸均一、分散性好，该复合材料用于光催化剂，其光催化性能明显提升。
一种氧化锌贵金属复合材料光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种探测器材料及其制备方法-CN202111658225.2在审
发明人：魏志鹏;唐吉龙;贾慧民;李科学;林逢源;陈锐;宿世臣;马晓辉;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域。本发明提供了一种探测器材料的制备方法，本发明通过在砷化镓衬底表面外延缓冲层，并在缓冲层上沉积二氧化硅层，利用光刻、刻蚀的工艺对缓冲层上条形生长区域内的二氧化硅层刻蚀掉，且条形生长区域的宽度连续变化，最后利用分子束外延技术在设置的外延生长条件参数下进行探测器材料的外延生长。由于到达衬底表面的原子的迁移率相同，条形生长区域的宽度不同导致迁移到条形生长区域的原子数目不同，从而使得材料的组分随着条形生长区域宽度的变化而发生改变或层厚随着条形生长区域宽度的变化而发生改变。本发明所提出的这种半导体材料制备方法可提供高质量材料，推动多色、宽光谱探测器的发展和应用。
一种探测器材料及其制备方法

[实用新型]一种输出可变矩形匀化光斑的系统-CN202122607075.4有效
发明人： 宿世臣;王琛;赵延民 -专利权人：华清创智光电科技（清远）有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种输出可变矩形匀化光斑的系统，该系统通过光束准直部结合包含第一至第四一维单面柱面透镜阵列的光斑匀化部以及积分透镜部，该光斑匀化部通过固定第二和第三一维单面柱面透镜阵列保持不动，移动第一或第四一维单面柱面透镜阵列，实现了矩形光斑面积在大范围内自由变化，且光斑面积均匀性好。另外，该光斑匀化部的第二和第三一维单面柱面透镜阵列贴合在一起保持不动，第一和第四一维单面柱面透镜阵列可移动，在实际使用中操作更加方便快捷，根据所选的透镜参数，放置第一或第四一维单面柱面透镜阵列至目标位置，即可获得目标光斑。且该系统使用的透镜均可以是标准透镜，方便系统的日常维护，通用性强。
一种输出可变矩形光斑系统

[发明专利]平面校准装置及其激光打标机-CN202010804830.5有效
发明人： 宿世臣;向一凡;梅若兰 -专利权人：华清创智光电科技(清远)有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01B11/27 文献下载
摘要：本发明涉及平面校准装置及其激光打标机，其包括可固定于待校准平面的固定端，与固定端连接的检测部，其具有一检测平面，该检测平面上设置有预定图案排布的光波探测器阵列，以及一字型激光设置在检测平面或与检测平面平行的平面上，并结合反射光路将出射激光反射至检测平面，进而获取反射至检测平面的激光与预定图案形成的图像，并在显示屏上显示。该校准光路的设置避免了激光束直射人眼造成的损伤，且通过该光路能够使待检测平面的偏转角度放大，大大提升了两端面平行的校准精度和校准效率。具有该校准装置的激光打标机其结构简单、安装方便、操作性、普适性强，解决了打印图案畸变的问题，确保了打标效率和良率，具有较强的工业应用优势。
平面校准装置及其激光打标机

[发明专利]一种用于集成电路板去除焊锡的激光头装置及系统-CN202111262195.3在审
发明人： 宿世臣;王琛;冯广智;李军;刘粤 -专利权人：华南师范大学;华清创智光电科技（清远）有限公司;华南师大（清远）科技创新研究院有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于集成电路板去除焊锡的激光头装置及系统，包括控制部，用于发射入射激光光束的激光器，内部设置有匀化光斑光路的导光部，分别连接至控制部的同轴视觉监控部和同轴温度测量部，用于对目标焊锡进行监控和测量目标焊锡的温度；匀化光斑光路包括沿光束传输路径依次分布的光束准直部、光斑匀化部和积分透镜部，光斑匀化部包括连接至控制部的位移部，位移部用于相对于第二一维单面柱面透镜阵列水平移动第一一维单面柱面透镜阵列，以及用于相对于第三一维单面柱面透镜阵列水平移动第四一维单面柱面透镜阵列。该装置能够输出能量分布均匀、大小可调的矩形匀化光斑，根据目标焊锡的温度调整光斑的强度，保障了除焊锡的强度和可靠性。
一种用于集成电路板去除焊锡激光头装置系统

[实用新型]一种双头激光光路系统-CN202023082584.1有效
发明人： 宿世臣 -专利权人：华清创智光电科技(清远)有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B23K26/386 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双头激光光路系统，该系统包括有UV激光器和CO2激光器，在UV激光器的输出端设有UV扩束镜、在UV扩束镜的输出端依次设有第一振镜扫描系统和第一聚焦透镜；在CO2激光器的输出端设置CO2扩束镜、在CO2扩束镜的输出端设有光束整形系统，在光束整形系统的输出端依次设有第二振镜扫描系统和第二聚焦透镜，第一聚焦透镜和第二聚焦透镜的透射输出端正对于高速精确运动平台。该双头激光光路系统用UV激光器和CO2激光器对PCB板先后两次打孔，形成所需的盲孔，因为不再需用化学药剂对表层铜进行棕化处理，节省了工序，提高了加工效率，也有利于环保。
一种激光系统

[实用新型]一种激光打孔机-CN202022846202.1有效
发明人： 宿世臣;李镜锋 -专利权人：华清创智光电科技(清远)有限公司;华南师大(清远)科技创新研究院有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B23K26/382 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光加工技术领域，公开了一种激光打孔机，包括打孔机主体、水冷机、吸尘器和显示器，所述水冷机设置在所述打孔机主体的外侧，用于为所述打孔机激光器降温，所述吸尘器的吸尘管与所述打孔机主体的内部相连通；所述打孔机主体包括箱体和设于所述箱体内部的激光器、振镜、工作台及工控机，所述激光发射器为355nm激光器，所述振镜设置在所述激光发生器的激光出射口，所述工作台可升降地设置在所述激光发射器的下方，所述激光发生器及所述显示器均与所述工控机电连接。本实用新型通过采用355nm激光器，能在很大程度上降低材料的机械变形且受加工热影响小，同时其光转换效率提高十倍以上，提高了打孔效率。
一种激光打孔机

[发明专利]TADF材料敏化的多层结构量子点发光二极管及其制法-CN201710861996.9有效
发明人：章勇;张颖楠;刘昱晟;宿世臣;凌志聪 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了TADF材料敏化的多层结构量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管（QD‑LEDs）由阳极至阴极依次包括透明衬底、透明导电薄膜阳极、空穴注入/阳极修饰层、TADF掺杂空穴传输层、量子点活性层、电子传输层和金属阴极。本发明通过在空穴注入/阳极修饰层与量子点活性层之间插入TADF材料掺杂PVK作为空穴传输与TADF敏化层，形成激子捕获层，实现空穴传输与TADF材料激子收集及其向量子点活性层之间的界面能量转移，改善空穴注入，提高量子点发光二极管的效率；同时，全溶液法加工制备TADF敏化多层结构QD‑LEDs，有利于大面积的QD‑LEDs的制备，与热蒸镀方式相比，具有制备简单、成本低的优势。
tadf 材料多层结构量子发光二极管及其制法

[发明专利]一种多色发光碳量子点及其制备方法与应用-CN201811306627.4有效
发明人： 宿世臣;李东颖;凌志聪 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明属于纳米发光材料技术领域，公开了一种多色发光碳量子点及其制备方法与应用。所述方法包括步骤：将柠檬酸、草酸和尿素溶于水并与聚乙二醇混合后置于水热反应釜中，将水热反应釜置于烘箱中加热至120℃‑200℃之间任一温度，恒温反应4h‑12h后静置冷却至室温，将所得溶液离心分离后得到离心沉淀物，再将得到的离心沉淀物加入乙醇混合均匀后再次离心，得到的上层清液在真空烘箱中烘干得到发黄绿光的碳量子点，得到的沉淀物在自然条件下风干，得到发蓝光的碳量子点。本发明的制备方法工艺简单、反应时间短、产率相对较高，且粒径较小，对环境友好，获得的碳量子点具有发光稳定、低毒性等优点。
一种多色发光量子及其制备方法应用

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