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[发明专利]垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法-CN202010387480.7有效
发明人：周闯杰;何泽召;郭建超;蔚翠;张雄文;高学栋;刘庆彬;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在重掺杂P型金刚石衬底的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层；在缓冲层的上表面生长重掺杂p型金刚石外延层；光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和垂直沟道；光刻出源区图形窗口，淀积源极金属，形成源电极；在重掺杂P型金刚石衬底的背面淀积漏极金属，形成漏电极；沉积栅极钝化层；光刻出栅形貌，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积器件钝化层；光刻制作电极图形。本发明采用P+/P‑/P+结构形成开关器件，在高掺杂p型金刚石衬底的背面形成漏极欧姆接触；中间缓冲层采用低掺杂p型金刚石，栅极采用肖特基接触，提高了开关频率。
垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管制备方法

[发明专利]钼托结构和金刚石制备方法-CN202310637288.2在审
发明人：马孟宇;蔚翠;郭建超;刘庆彬;周闯杰;何泽召;高学栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本申请适用于金刚石技术领域，提供了尤其涉及钼托结构和金刚石制备方法。该钼托结构包括钼托本体，所述钼托本体呈圆柱体结构，在所述钼托本体的上表面上开设有多个圆环状凹槽，所述多个圆环状凹槽依次嵌套；由所述钼托本体的上表面的中部到边缘的方向上，相邻的两个圆环状凹槽之间的距离变大。本申请通过对钼托结构的凹槽形状进行设计，优化单晶金刚石衬底温度均匀性，最终有效抑制单晶衬底边缘的温度过高现象，从而获得高外延质量的单晶金刚石外延片。
结构金刚石制备方法

[发明专利]一种金刚石色心微波激射器及其制备方法-CN202310549280.0在审
发明人： 高学栋;冯志红;蔚翠;周幸叶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石色心微波激射器及其制备方法。本发明通过设置阵列式的金刚石色心柱、激光二极管、蓝宝石谐振腔、铜谐振腔和微波天线，构成阵列式的金刚石色心微波激射器。各阵列单元的金刚石色心柱可在外部磁场作用下实现能级偏转，在激光激化下产生粒子数反转，在微波天线接收的外部微波粒子作用下产生受激辐射，并经蓝宝石谐振腔、铜谐振腔谐振后实现雪崩式的微波粒子放大。各阵列单元的出射功率累加，增大了金刚石色心微波激射器的微波出射功率。
一种金刚石色心微波激射器及其制备方法

[发明专利]金刚石NV色心磁探测装置-CN202310407426.8有效
发明人： 高学栋;孙方稳;陈向东;张少春;董杨;林豪彬 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石NV色心磁探测装置，包括：金刚石NV色心；至少一对磁通量汇集器，至少一对磁通量汇集器的顶点临近设置以将待测磁场汇聚至顶点，金刚石NV色心设置在至少一对磁通量汇集器的顶点之间；光源模块适用于产生激光；透射反射器适用于将来自于光源模块的一部分激光朝向金刚石NV色心反射，使得金刚石NV色心激发荧光；荧光接收模块包括荧光探测器，荧光探测器适用于基于荧光产生荧光信号；微波调制模块适用于通过改变参考信号朝向金刚石NV色心发射调制微波，使得金刚石NV色心激发出调制荧光，使得荧光接收模块得到调制荧光信号；锁相处理模块，适用于基于参考信号和调制荧光信号得到待测磁场的强度。
金刚石 nv 色心探测装置

[发明专利]金刚石NV色心磁力探测装置及系统-CN202310315128.6在审
发明人： 高学栋;冯志红;蔚翠;郭建超;刘庆彬;马孟宇;何泽召;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁力探测装置及系统，该装置包括：三个两两互相垂直的探测模块、光纤、微波模块和荧光传输模块，每个探测模块包括两个磁通量聚集器、金刚石样品、第一聚焦镜、第二聚焦镜、滤光片和光电探测器，金刚石样品为NV色心系综，两个磁通量聚集器分别与金刚石样品的上表面和下表面接触放置，第一聚焦镜和第二聚焦镜分别设于金刚石样品的两侧，金刚石样品与微波模块相连，光纤中的激光通过第一聚焦镜聚焦在金刚石样品上，金刚石样品在激光和微波模块提供的微波的作用下产生的荧光被第二聚焦镜收集后经过滤光片，并通过光电探测器导入荧光传输模块。本申请能够实现矢量磁场的实时探测。
金刚石 nv 色心磁力探测装置系统

[发明专利]一种下向分层胶结充填采矿法分层联络道的施工方法-CN202110588370.1有效
发明人：张利;张亮琦;陈茜;张建发;高学栋;马柯;李继昀;杨志祥;苟文敬;王鑫;康伟 -专利权人：金川镍钴研究设计院有限责任公司;金川集团股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： E21F15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种下向分层胶结充填采矿法分层联络道的施工方法，通过在上一分层的分层联络道以及上一分层矿体上进行步骤a至步骤e的作业，可将上一分层的分层联络道被下一分层的分层联络道充分利用，无需重新掘进新的分层联络道，能够大幅减少了新掘进的分层联络道，掘进工程量大幅减少，解决了分层联络道布置困难复杂，分层联络道开口位置选择困难的问题；通过步骤a至步骤e的作业使得，形成的下一分层的分层联络道顶板为钢筋网、充填料浆以及吊钢筋形成充填体，安全性和稳定性好，不需要再进行支护；将上一分层的分层联络道被下一分层的分层联络道充分利用可以减少掘进工程量，减少掘进支护费用。
一种分层胶结充填采矿联络施工方法

[发明专利]一种金刚石NV色心磁强测量系统-CN202310077203.X在审
发明人： 高学栋;冯志红;蔚翠;郭建超;刘庆彬;马孟宇;何泽召;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石NV色心磁强测量系统。该系统包括：金刚石NV色心系综薄片、磁通量聚集器、脉冲模块、微波模块、激光模块和第一光电探测器。脉冲模块分别向微波模块和激光模块发送脉冲信号，以控制微波模块发出微波和激光模块发出激光。微波模块发出的微波和激光模块发出的激光入射至金刚石NV色心系综薄片。金刚石NV色心系综薄片在微波和激光的激发下产生的荧光入射至第一光电探测器。本发明能够通过脉冲信号控制微波模块和激光模块的开关，减少微波模块和激光模块的开启时间，减少微波和激光对磁通量聚集器的作用时间，减少引起磁通量聚集器本身的低频涡旋噪声和热噪声，减少磁通量聚集器对磁信号的干扰，提升低频磁测量灵敏度。
一种金刚石 nv 色心测量系统

[发明专利]一种下向水平分层充填采矿法进路回填废石的方法-CN202111183429.5有效
发明人：张利;张亮琦;田良善;冯艳;王登玉;康伟;高学栋;张建发;马柯;郭建宏;李继昀;苟文敬;王鑫;苏晓萍;王燕 -专利权人：金川镍钴研究设计院有限责任公司;金川集团股份有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： E21F15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种下向水平分层充填采矿法进路回填废石的方法，通过步骤a选择采场边界位置的进路作为废石回填进路，且废石回填进路两侧相邻进路已回采且充填接顶、步骤b下部预处理、步骤d打底填充、以及步骤c上部预处理，在废石回填进路的顶板两侧且沿其长度方向等间距均预埋多个吊筋挂钩，顶板吊筋挂在吊筋挂钩上；且顶板吊筋的下端与进路两帮底板上的钢筋网结点相连接固定，能够在废石回填和接顶充填后保证废石回填进路两侧充填体稳固且均匀受力，避免出现废石回填进路两侧充填体受损，将废石回填能够解决废石运输和提升成本大，以及废石堆积地表占用大量地表空间，又污染地表环境的问题。
一种水平分层充填采矿进路回填方法

[发明专利]金刚石单个NV色心规则阵列的制作方法及结构-CN202310128648.6在审
发明人：江旺;董杨;高学栋;孙方稳 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本公开提出了一种金刚石单个NV色心规则阵列结构的制作方法，包括：对金刚石表面进行预处理，得到预处理后的金刚石表面。在预处理后的金刚石表面进行匀胶处理，均匀涂抹聚甲基丙烯酸甲酯混合胶形成聚甲基丙烯酸甲酯膜，烘烤加固后，在所述聚甲基丙烯酸甲酯膜上镀膜形成导电膜，然后进行电子束曝光处理，对曝光后的样品进行显影处理，得到具有规则阵列的金刚石样品。对具有规则阵列的金刚石样品进行14N离子注入，清洗去除样品表面的聚甲基丙烯酸甲酯混合胶，然后进行退火，清洗处理后得到金刚石单个NV色心规则阵列结构。
金刚石单个 nv 色心规则阵列制作方法结构

[发明专利]石墨烯胶囊封装晶体管制备方法-CN201910837111.0有效
发明人： 高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明适用于石墨烯晶体管制备技术领域，提供了一种石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，包括：在第一预设衬底上生长h‑BN薄膜并利用第一光刻胶制备h‑BN台面样品；将h‑BN台面样品去除第一预设衬底后通过热释放胶带转移到石墨烯上，并去除热释放胶带以及第一光刻胶，获得石墨烯样品；其中石墨烯样品包括h‑BN台面；对石墨烯样品进行第一次刻蚀，获得较h‑BN台面大的石墨烯台面；在石墨烯台面以及h‑BN台面上分别制备源极、漏极以及栅极，获得石墨烯胶囊封装晶体管。本发明的石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，可以使源极和漏极与石墨烯台面形成水平面内电极接触，从而降低接触电阻，降低石墨烯胶囊封装晶体管的制备难度，提高成品率。
石墨胶囊封装晶体管制备方法

[实用新型]一种环保节约型棒棒糖-CN202122948639.0有效
发明人： 高学栋 -专利权人： 高学栋
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B65D75/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环保节约型棒棒糖，涉及棒棒糖领域，包括糖果及糖果底部连接的手持棒，所述糖果的外侧依次包裹有透明包装膜与包装纸，所述包装纸的底端拧绕在手持棒上且相粘连，所述包装纸的顶端呈开口结构并且通过旋拧的方式闭合。本实用新型通过将棒棒糖包装纸的顶端设置为可打开结构，包装纸的底部粘在手持棒上，包装纸的顶端通过旋拧的方式闭合，在食用糖果时，将包装纸的顶端逆旋拧打开并展开，然后将糖果外层的透明包装膜撕掉，使糖果露出进行食用，食用到一半时，可继续将包装纸向上翻折包裹住糖果并旋拧闭合，方便打开和再次包裹，满足多次食用，实用、卫生、不浪费。
一种环保节约棒棒糖

[发明专利]双面金刚石的制备方法及双面金刚石-CN202211246733.4在审
发明人：刘庆彬;蔚翠;郭建超;马孟宇;何泽召;周闯杰;高学栋;余浩;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种双面金刚石的制备方法及双面金刚石。该方法包括：在衬底的上表面和下表面均制备金刚砂种子，得到第一复合衬底；将散热工装放置在金刚石生长炉内的钼托上，散热工装为环形中空结构，在散热工装的侧壁设有穿透侧壁的孔；将第一复合衬底放在所述散热工装上，关闭金刚石生长炉的舱门，在第一复合衬底的双面生长金刚石，得到双面金刚石。本发明能够制备表面均匀平坦的外延金刚石材料。
双面金刚石制备方法

[发明专利]一种二维材料场效应晶体管的制备方法-CN202011032709.1有效
发明人： 高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶体管技术领域，具体公开一种二维材料场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层；旋涂台面胶，光刻显影，腐蚀台面外金属；去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，蒸镀源漏电极并剥离；旋涂电子束光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀第二金属层得栅槽，并清洗；使栅槽处第一金属层自氧化得到栅介质，蒸发栅金属并剥离。本发明提供的制备方法只腐蚀沟道处的第二金属层，使第一金属层自氧化形成栅介质，沟道处的二维材料不接触任何溶液避免污染问题出现，得到超洁净的二维材料场效应晶体管。
一种二维材料场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法-CN202210051168.X有效
发明人：刘庆彬;郭建超;蔚翠;马孟宇;高学栋;王亚伟;何泽召;周闯杰;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，属于异质外延金刚石制备技术领域，包括以下步骤：以MgO衬底为基础衬底，通过光刻和刻蚀制备金字塔形状的MgO衬底，并通过高温溅射将金属Ir结合，形成Ir/MgO复合衬底，通过在Ir/MgO复合衬底上完成异质外延金刚石的生长，最后，Ir/MgO复合衬底连同外延金刚石一并从高温状态快速降温，利用Ir/MgO复合衬底和外延金刚石热膨胀系数的不同，使二者脱离，以完成异质外延金刚石的制备，并达到Ir/MgO复合衬底可重复利用的目的。本发明提供的一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，有助于制备人为可控厚度，表面均匀平坦，可重复利用衬底异质外延金刚石材料。
一种重复利用衬底外延金刚石材料方法

[发明专利]一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法-CN202211213382.7在审
发明人：刘庆彬;蔚翠;郭建超;马孟宇;何泽召;周闯杰;高学栋;余浩;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法。该方法包括：在GaN衬底上表面生长外延层；在外延层的上表面生长外延金刚石；在外延金刚石上表面距离外延金刚石边缘的预设位置处进行激光切割，采用激光切割产生的热量将外延金刚石与外延层进行边缘分离，得到第一样品；将第一样品放入腐蚀溶液中进行腐蚀，将外延层腐蚀掉后，得到分离的外延金刚石与GaN衬底。本发明能够在不损伤GaN材料功能层的前提下，实现外延金刚石与GaN材料的彻底分离。
一种剥离外延金刚石 gan 材料方法

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