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[发明专利]一种黑磷单晶和高度取向块状多晶的制备方法-CN202311127706.X在审
发明人：焦志伟;吴宇昊;覃光灿 -专利权人：北方工业大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷单晶和高度取向块状多晶的制备方法，选用设定比例的矿化剂与磷单质作为制备原料；将选定的原料放置于设计的反应容器中；其中，所述反应容器呈圆柱形管状，分为区域Ⅰ与区域Ⅱ，区域Ⅰ和区域Ⅱ联通，区域Ⅰ为晶体生长区域，区域Ⅱ为反应物料区域，且区域Ⅰ的管内径小于区域Ⅱ；在一定的温度与时间条件下，运用化学气相输运法在反应容器的区域Ⅰ得到具有高度取向生长的块体黑磷多晶，在区域Ⅰ和区域Ⅱ的连接处得到黑磷单晶。该方法可以解决黑磷等二维材料在z轴方向上无法大尺寸生长的问题，方便地获得黑磷单晶和多晶块材。
一种黑磷高度取向块状多晶制备方法

[发明专利]一种多晶铜纳米材料及其制备方法和应用-CN202111186086.8有效
发明人：张梦露;郑婷婷;鲍骏;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶铜纳米材料，所述多晶铜纳米材料的表面及内部存在晶界。在晶界的作用下，所述多晶铜纳米材料在电催化一氧化碳还原过程中具有更低的CO*质子化能垒，且生成乙酸的反应中间体CHCHO*具有更低的形成能，从而实现了一氧化碳到乙酸的高选择性电催化还原。实验结果表明，以本发明提供的多晶铜纳米材料为催化剂，在传统气体扩散电极流动池中，乙酸的法拉第效率达52％，乙酸的偏电流密度最高达321mA cm‑。采用本发明提供的膜电极固态电解质电池，在250mA电流下，催化剂在连续140小时内性能稳定，所制备的乙酸溶液的相对纯度达98％，可直接用于商业化应用。
一种多晶纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法-CN202210129361.0有效
发明人：张学富;赵一沣;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层30度扭角石墨烯单晶晶圆的制备方法，其包括提供300‑800nm厚的铜镍单晶衬底，该铜镍单晶衬底中镍原子占原子总数的15‑22％；放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气比为(100‑300sccm):(5‑15sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下退火；然后在氩气、氢气和甲烷比为(100‑300sccm):(5‑15sccm):(0.025‑0.5sccm)的气体氛围和1050℃‑1100℃的温度下进行生长得到双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。根据本发明的制备方法，采用铜镍单晶薄膜作为衬底，结合退火阶段和生长阶段可以得到大尺寸晶圆级的双层30度扭角石墨烯单晶晶圆。
一种双层 30 度扭角石墨烯单晶晶圆制备方法

[发明专利]高电导钌金属薄膜及其制备方法-CN202210250648.9在审
发明人：陈允忠;胡凤霞;沈保根 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及高电导钌金属薄膜及其制备方法。根据一实施例，一种形成钌金属薄膜的方法可包括使用金属钌或者钌氧化物作为生长源或靶材，在具有钙钛矿晶体结构的衬底上外延或取向生长钌金属层。所述衬底的表面可以是(110)晶面，所形成的钌金属层是单晶钌金属层，并且其表面是(002)晶面。所述衬底可包括LaAlO3。
电导金属薄膜及其制备方法

[发明专利]基于异质外延生长单晶金刚石的方法-CN202310724872.1在审
发明人：付鹏 -专利权人：付鹏
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，包括选取单晶金刚石衬底，并在异质外延衬底上生长第一铱金属层；利用外延生长工艺在处理后的衬底上外延生长单晶籽晶层作为缓冲层在所述单晶金刚石衬底的上表面生成石墨烯层；在所述石墨烯层的上表面生长AlN成核层，并在所述AlN成核层的上表面生长低温GaN过渡层；将其分离即可得到单晶金刚石。
基于外延生长金刚石方法

[发明专利]一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途-CN202310815204.X在审
发明人：李寒莹;赵裕杰;彭博宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，特别是涉及一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法和用途。一种利用气液固三相界面制备富勒烯单晶薄膜的方法，包括如下步骤：1)富勒烯和溶剂混合，形成混合液；2)采用溶液剪切法使所述混合液中的富勒烯在基底表面结晶生长，获得所述的富勒烯单晶薄膜。本发明通过直接调控三相线处富勒烯的成核密度，并利用三相线的连续移动制备大面积的富勒烯单晶薄膜，其具有取向均一、均匀度高、覆盖率高的优点，此外，具有优异的电子传输性能，能满足光电领域的应用需求。
一种富勒烯单晶薄膜及其制备方法用途

[发明专利]一种大畴区石墨烯单晶的制备方法-CN202110138724.2有效
发明人：阎睿;唐际琳;杜音;王雅妮;曹轶森;彭海琳;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
一种大畴区石墨烯单晶制备方法

[发明专利]一种低氧致密超高纯砷棒的制备方法-CN202211007240.5有效
发明人：陈方平;张吉林;刘允华;吴才顺;邹同贵 -专利权人：峨眉山嘉美高纯材料有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及了一种低氧致密超高纯砷棒的制备方法，按照下以步骤进行：S1、准备升华管和成型模具；S2、超高纯砷块状料在升华管内于高温、氢气气氛下进行升华脱氧提纯处理；S3、经破碎后，装入成型模具；于高温、真空环境下的脱氧处理；S4、于高压、高温、惰性气体气氛下液化；S5、于高压、惰性气体气氛下，从下至上定向凝固结晶，完全凝固后，降至室温，泄压，在惰性气体气氛环境中，取出成型模具后，进行脱模，即可获得超高纯砷棒。本发明的一种低氧致密超高纯砷棒的制备方法，可有效降低成型的超高纯砷棒的氧含量；整个制备方法，工艺完整，流程简单，操作容易，保证成型的砷棒的纯度能够满足半导体材料行业发展的需求。
一种低氧致密高纯制备方法

[发明专利]一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法-CN202210837058.6有效
发明人：刘苗;孙本双;丁振卿;何季麟;朱锦鹏 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法，属于单晶金属制备技术领域。本发明将金属置于底部带有微孔的熔炼模具中进行挤压熔炼，得到金属熔体；所述金属熔体通过所述熔炼模具底部的微孔进入铸型模具，在金属单晶薄膜的诱导下进行金属单晶逐层凝固生长，得到特定取向的大规格金属单晶。该制备方法制备得到的金属单晶的直径可达150～300mm，且制备流程短，操作简单，成本低，成材率高，能实现多规格任意特定取向的单晶金属制备。
一种特定取向规格金属及其制备方法

[发明专利]黑磷薄膜的制备方法-CN202310484993.3有效
发明人：张凯;陈程;汪永杰;俞强 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷薄膜的制备方法，包括：提供一化学气相输运装置，其反应腔室包括相连通的第一区域和第二区域；将磷源、锡源和碘源放置于反应腔室的第一区域，将生长衬底和催化源放置于反应腔室的第二区域；使得反应腔室升温，磷源、锡源和碘源气化后进入第二区域，气化的催化源在生长衬底的表面催化生长出黑磷薄膜，其中，所述催化源与所述生长衬底叠加设置，催化源表面与相邻生长衬底之间的间隔距离为30μm‑50μm；或所述催化源与所述生长衬底在水平方向相邻设置，催化源和生长衬底之间的水平间隔距离为0mm‑3mm。通过该方法得到的黑磷薄膜形状规则，呈现高结晶质量的单晶性质，并且具有较高的纯度。
黑磷薄膜制备方法

[发明专利]一种碘晶型及其制备方法和应用-CN202211719716.8在审
发明人：杨阳;姚永毅;唐宁;彭一丁;邢捷;张艺;张豫红 -专利权人：四川科宏达集团有限责任公司;成都科宏达科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碘晶型及其制备方法和应用，属于碘制剂技术领域。碘晶型的制备方法，包括以下步骤：(1)将95％以上的精制碘置于密闭第一反应釜中，升温使碘升华完全；(2)通过砂芯过滤加压压入第二反应釜中，保持温度不变，之后缓慢降温至开始结晶，并加入单晶籽晶作为晶核，引发碘在单晶方向生长，得到碘晶型。本发明通过特定的制备方法，改变了现有碘多晶和无定形状态的晶体结构，使碘的晶型成为单晶特定形态，从而提高碘的纯度，碘制剂的效果和性能更加优越。
一种碘晶型及其制备方法应用

[发明专利]单晶石墨烯薄膜及其制备方法和应用-CN202211724878.0在审
发明人：张宝勋;李炯利;王旭东;王刚;罗圭纳 -专利权人：北京石墨烯技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种单晶石墨烯薄膜及其制备方法和应用，属于石墨烯材料制备技术领域。本申请提供的单晶石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将铜箔与基体金属箔进行贴合，基体金属箔的熔点高于铜箔的熔点；将互相贴合的铜箔与基体金属箔在保护性气氛中加热至铜箔的熔融温度；在熔融温度条件下通过化学气相沉积在熔融的铜箔的表面进行卷对卷单晶石墨烯薄膜生长；或者将互相贴合的铜箔与基体金属箔在熔融温度条件下退火后，通过化学气相沉积在退火后的铜箔的表面进行卷对卷单晶石墨烯薄膜生长。该制备方法能够提高单晶石墨烯薄膜的制备效率，并实现单晶石墨烯薄膜的大批量制备。
晶石薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种粗碘低温制备碘单晶的方法及碘单晶-CN202310240119.5有效
发明人：杨阳;姚永毅;彭一丁;吕俊华;唐宁;张豫红 -专利权人：四川科宏达集团有限责任公司;成都科宏达科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种粗碘低温制备碘单晶的方法及碘单晶，属于碘提纯技术领域。包括以下步骤：将超微粉粗碘置于加热罐中，在20‑60℃、气流的条件将加热罐中的粗碘升华为碘蒸气，再利用气流将碘蒸气输送至冷却罐，碘蒸气在冷却罐中冷却结晶生成碘单质。本发明采用气流粉碎机对粗碘进行粉碎，同时气流粉碎机中带出的气流带动升华的碘蒸气输入至冷却罐中，气流粉碎机可同时达到粉碎和输送的目的，无需额外增设风量，降低能耗，同时缩短制备时间约2倍以上，可大大提升精制碘的产能。
一种低温制备碘单晶方法

[发明专利]一种以白磷为原料制备二维黑磷晶体的方法-CN201910518820.2有效
发明人：喻学锋;汪建南;王佳宏 -专利权人：深圳市中科墨磷科技有限公司
申请日： 2019-06-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种以白磷为原料制备二维黑磷晶体的方法。首先，在惰性气氛下，称取白磷、金属单质锡和矿化剂四碘化锡于单头封口石英管底部，并利用真空封管系统将反应原料密封于真空石英管内部。最后通过优化的程序升温和降温对石英管进行加热处理，待反应结束后，最终制得大体积、高纯度的高质量二维黑磷晶体。本发明以白磷为原料，外加金属单质锡和矿化剂四碘化锡，在真空条件下加热制备二维黑磷晶体。相较于以红磷作为反应原料的传统制备方法，该方法不仅可以显著降低合成过程中的反应温度和反应时间，减少能耗。而且对于合成高品质黑磷晶体而言，白磷原料相较于高纯红磷原料成本更低，合成出的黑磷晶体体积更大、纯度更高，更有利于实现黑磷晶体的工业化规模制备。
一种白磷原料制备二维黑磷晶体方法

[实用新型]用于生长二维半导体材料的坩埚-CN202320006316.6有效
发明人：张雷 -专利权人：江苏西迈科技有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：一种用于生长二维半导体材料的坩埚。该坩埚包括坩埚盖子和坩埚底座，坩埚盖子包括盖板和盖侧壁，坩埚底座包括底板和底侧壁，盖侧壁和底侧壁接触设置以在盖板和底板之间形成容置空腔；坩埚盖子还包括衔接部和多个第一孔，衔接部位于盖板的远离容置空腔的一侧，各第一孔贯穿盖板并与容置空腔连通，多个第一孔沿以盖板的几何中心为圆心的圆周分布，第一孔的直径小于10mm。该坩埚的可拆分的设计，使得该坩埚既可用于碳化硅外延石墨烯的封闭式坩埚，还可用于金属衬底外延石墨烯或氮化硼的开放式坩埚。还可以单独在坩埚盖子上沉积硅原子，提升碳化硅外延石墨烯工艺过程可控性，也可以对拆分后的坩埚底座上的样品或衬底进行预处理，提升生产效率。
用于生长二维半导体材料坩埚

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