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[发明专利]一种有机单晶闪烁体的生长方法-CN202210379066.0在审
发明人：刘阳;陶绪堂;蒋金科;李翠翠 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机单晶闪烁体的生长方法，属于有机晶体材料制备技术领域，采用模具嵌入法生长有机单晶闪烁体的方法，包括如下步骤：装晶体生长原料、装炉、程序控制晶体生长原料的熔化、放置异型模具、二次化料并进行有机单晶闪烁体的生长、晶体降温，即可得到异型有机单晶闪烁体。本发明的方法有效地解决了大尺寸有机单晶闪烁体在实际应用中所遇到的体块有机晶体加工难度高，制备阵列化器件困难的问题。本发明更容易批量生长低维结晶质量高、掺杂的有机分子分布均匀的有机单晶闪烁体。
一种有机闪烁生长方法

[发明专利]一种镧系稀土硒钨氧酸盐化合物及其制备方法和应用-CN202310893313.3在审
发明人：孙燕琼;冯汇林;于蓝;郑寿添 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧系稀土硒钨氧酸盐化合物及其制备方法和应用，所述镧系稀土硒钨氧酸盐化合物的晶体结构分别为两例具有甘氨酸配体或苏氨酸配体的二聚Dawson型六核稀土取代硒钨氧酸盐，由四个缺位的Dawson型{Se2W14O52}构筑块将平面型的六核稀土氧簇{SeO4Ln6(H2O)8}夹在中间，形成夹心三明治结构，并将有机配体与稀土离子配位；该发明制备过程简单，所得到的镧系稀土硒钨氧酸盐化合物展现出不同的光刺激响应发光/变色性能，是理想的光致发光/变色防伪加密材料，且具备良好的稳定性与循环性。
一种稀土硒钨氧酸盐化及其制备方法应用

[发明专利]一种超分子非线性光学共晶材料及其制备方法和应用-CN202210950773.0有效
发明人：黄飞鹤;梁浩忠;华彬 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种超分子非线性光学共晶材料及其制备方法和其在激光频率转换器中的应用。在所述共晶材料中，全溴乙氧基柱[5]芳烃为主体分子，4‑[4‑甲氧基苯乙烯基]‑1‑甲基吡啶碘盐为光学活性客体分子，主体分子和光学活性客体分子的化学计量比为2:1；其中，所述主体分子的化学结构式为：#imgabs0#所述客体分子的化学结构式为：#imgabs1#所述材料稳定性高、不易潮解、非线性光学性能优秀。所述制备方法的结晶过程操作简单，生长条件温和，结晶时间短，设备要求低，制备得的晶体纯度高、质量好。
一种分子非线性光学材料及其制备方法应用

[发明专利]一种晶体材料及其合成方法、含能材料和应用-CN202310827583.4在审
发明人：闫赟帆;郑发鲲;郭国聪;卞鸿怡;崔猛;徐建刚 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体材料及其合成方法、含能材料和应用，属于化工材料技术领域。本发明的晶体材料化学分子式为；MC4H6N14；所述M选自金属元素Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd中的至少一种。所述晶体的合成方法包括：金属M盐、叠氮化物和1,3‑双(2‑甲基四唑‑5‑基)三氮杂‑1‑烯以摩尔比1～3:1～3:1～3混合，在90‑180℃的温度下反应2‑36小时，降温后得到所述晶体。采用该晶体制备的含能材料具有异常优异的起爆能力和较高的安全性，其热稳定性大于220℃，撞击感度值不小于2.5J，摩擦感度值不小于5N，静电火花感度值不小于90mJ；只需要起爆药LA的1/6剂量即可成功起爆RDX。
一种晶体材料及其合成方法应用

[发明专利]一种化合物及其制备方法和应用-CN202310460872.5在审
发明人：张涛;顾昊;胡海良 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物及其制备方法和应用，分子式为C49H70Mo9N7O33P，制备方法，首先将H3PMo12O40·13H2O溶解到超纯水中，搅拌待其溶解完全，然后用移液管加入3‑乙基吡啶溶液至上述溶液中，搅拌后，立即将混合物转移到密封的聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压反应釜中，升温至160℃，并保持晶化3天，之后关闭电源使其缓慢冷却至室温，开釜过滤掉滤渣，密封静置得到绿色块状晶体。可作为吸附有机染料的材料。
一种化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种二维(BA)2-CN202210688934.3有效
发明人：王帅华;许谢铭;黄鑫;吴少凡;郑熠 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用，属于半导体X射线探测器领域。所述二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶为二维层状结构。该单晶具有二维结构，具有高离子迁移扩散势垒的二维钙钛矿材料在大偏置电压下依旧有较小的暗电流和稳定性。该方法通过在降温过程中，采取特定的降温速率，从而制得具有二维层状结构、优异结晶性的毫米级单晶。该单晶在9MeV高能X射线探测器中的应用，该探测器在不同的电场强度下，X射线探测器具有优异的灵敏度，最大为46.9μCGy‑1cm‑2；在‑0.58Vμm‑1外加偏压下，经过9.0Gy的9MeV高能射线辐照，信号波动幅度小于1％。
一种二维 ba base sub

[发明专利]一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法-CN202310743828.5在审
发明人：杨迎国 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-06-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于光电器件技术领域，具体为一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法。本发明制备方法包括：内核钙钛矿前驱体溶液制备和内核钙钛矿晶体制备，外壳钙钛矿的前驱体溶液制备和壳层结构钙钛矿单晶制备。核壳结构的钙钛矿单晶生长过程中是以内核晶体作为晶种提供了外壳晶体生长的位点，这种方式制备的壳层结构单晶将与纯相单晶具有明显性能差异；本发明制备的半导体单晶可用于制备X射线光电探测器，该X射线光电探测器表现出优异的X射线响应特性，相比于其单层结构，灵敏度因子由0.017提升至2.66，提升150倍以上。
一种双核壳层结构钙钛矿半导体及其制备方法

[发明专利]一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料的制备及应用-CN202210404436.1有效
发明人：于晓晶;庞海军;王新铭;谭立超;杨桂欣 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料的制备及应用。本发明的目的是要解决一些多酸类晶态材料作为超级电容器电极材料在溶液中稳定性差，导电性能不高的问题，提供一种可以提高其电容性能作为超级电容器电极材料的制备方法。本发明的一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料的化学式为[Cu(H2O)2H4(pybta)4](PMo12O40)2·2H2O，其中pybta为1‑吡啶‑3‑亚甲基‑1H‑苯并三氮唑。合成方法为将磷钼酸、醋酸铜和pybta加入到蒸馏水中搅拌均匀，调节pH值，在温度为140℃下反应4天，获得的晶态材料制得的电极材料在1A/g电流密度下比电容值为556F/g。为构建一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料以提高超电性能提供了一条技术路线。
一种八面体魔方 keggin 钼酸晶态材料制备应用

[发明专利]一种笼状有机-无机杂化多聚碘晶体材料及其制备方法与应用-CN202211219738.8有效
发明人：胡雪芳;王士奎 -专利权人：农业农村部规划设计研究院
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明一种笼状有机‑无机杂化多聚碘晶体材料及其制备方法与应用，涉及新材料技术,其特征在于，其分子式为[(C6H21I26O3S3)2]n，其中n为大于等于1的自然数，其单体分子结构式为#imgabs0#命名为：52碘化二甲羟锍；其为三斜晶系，空间群为#imgabs1#其具有稳定的热化学及电化学性质，应用在电池正极材料中更加稳定，克服碘含量不足、能量密度低及传统I3‑离子的穿梭效应，在储能电池领域显示出潜在的应用前景。
一种有机无机杂化多聚碘晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]非线性光学晶体及其制备方法和应用-CN202110081011.7有效
发明人：吴立明;陆静;陈玲 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述非线性光学晶体化学式为XY，其中，X为极性有机阳离子，具有含#imgabs0#的离域π键的共轭平面结构且含有至少一个电子给体和至少一个电子受体，其中，10＞n＞2，10＞m＞2，Y为阴离子。所述非线性光学晶体为一类新型紫外非线性光学晶体，具有优异的非线性光学效应。
非线性光学晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种苯并噻唑盐有机二阶非线性光学材料及其制备方法-CN202310168866.2在审
发明人：许向东;胡文杰;张敏刚;李双青;蒋亚东;孙瑞良;唐佳辉;张丰尧;时友水 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于非线性光学材料领域，提供一种苯并噻唑盐有机二阶非线性光学材料及其制备方法，用以提供具有良好二阶非线性光学特性的新型有机单晶。本发明提供的有机二阶非线性光学晶体材料具体为：3,4‑二甲氧基苯乙烯基‑3‑甲基苯并噻唑对甲苯磺酸盐，其特征分子式为C25H25NO5S2，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为α＝γ＝90°、β＝101.66809°；该材料合成方法简单、易操作、原料来源充足、生产成本低廉、化合物晶体合成的产率及纯度高、重复性好，使得其适合扩大化生产的要求，且该有机化合物晶体的倍频效应为DAST的6.9倍，能够作为一种潜在的有机二阶非线性光学材料。
一种噻唑有机非线性光学材料及其制备方法

[发明专利]一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶、制备方法及其应用-CN202210561294.X有效
发明人：姚凯;单乐婷;武龙 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用制备的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶及其应用，属于钙钛矿材料技术领域。本发明将掺杂剂卤化胍和碱土金属卤化盐同时引入到ABX3混合阳离子钙钛矿单晶的生长溶液中，胍阳离子和碱土金属阳离子分别对其A位和B位进行重掺杂和轻掺杂，利用掺杂剂和辅助掺杂剂的协同作用提高X位和B位空位形成能，进而大幅优化其结晶动力学，提升了无甲胺钙钛矿单晶的结晶度，最终大幅降低无甲胺钙钛矿晶体中缺陷态密度。本发明还提供了一种由上述方法制备的无甲胺钙钛矿单晶作为光敏层在半导体光电器件中的应用，所述半导体光电器件包括钙钛矿太阳能电池、X射线探测器、γ射线探测器、红外射线探测器、光电传感器中的任意一种。
一种掺杂辅助协同作用缺陷密度无甲胺钙钛矿单晶制备方法及其应用

[发明专利]一种一价铜基钙钛矿材料及其制备方法-CN202210524148.X有效
发明人：高子伟;文锐;王艳艳;马馨洁;张刊;刘语轩;谷雪 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种一价铜基钙钛矿材料及其制备方法，所述材料的化学式为(C12H14N2)Cu2X4，其中C12H14N2代表正二价的甲基紫精阳离子，X代表Br或I；这类钙钛矿是以铜源、氢卤酸为原料，4,4'‑联吡啶为结构导向剂，在甲醇中进行溶剂热反应制得。本发明制备方法操作简便，重复性好，通过改变卤素即可有效调控材料的光电性能，同时利用金属元素铜代替了有毒元素铅，降低了对人体的伤害和对环境的污染。本发明材料湿热稳定性好，光电性能优异，半导体性能良好，在太阳能电池、光电材料、光电探测、光电催化等领域具有广阔的应用前景。
一种一价铜基钙钛矿材料及其制备方法

[发明专利]一种阳离子型铝氧分子笼晶态物及其制备方法和用途-CN202210102941.0在审
发明人：张健;方伟慧;刘雅洁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种阳离子型铝氧分子笼晶态物及其制备方法和应用，所述阳离子型铝氧分子笼晶态物的分子式为[Al24(A)12(μ2‑B)24(μ2‑OH)24(μ3‑OH)8]m+·(Cn)m‑，其中，μ2‑OH代表二连接的羟基,μ3‑OH代表三连接的羟基；μ2‑B代表二连接的B配体；A相同或不同，彼此独立地选自C1‑C40的有机酸的残基；B相同或不同，彼此独立地选自C1‑C40的有机醇的残基；C相同或不同，彼此独立地选自游离的客体分子或离子；n为客体分子或离子的数量，为1‑30之间的整数或者小数；m为4。该材料丰富了铝氧团簇的结构类型，拓宽了铝氧团簇材料的应用前景。所述制备方法工艺要求简单，反应时间短，便于大规模生产；并且后处理简单易行，制备工艺污染少，符合绿色环保要求。
一种阳离子型铝氧分子晶态及其制备方法用途

[发明专利]磺酰胺晶体及其生长方法和用途-CN202210102949.7在审
发明人：罗敏;田皓天 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种磺酰胺晶体及其生长方法和用途。本发明的磺酰胺晶体的化学式为SO2(NH2)2，所述晶体的尺寸范围为毫米级；所述晶体的任意一条边的长度至少达到约1毫米。本发明的晶体通过水溶液降温法制备得到，其毫米级的尺寸满足了物性测试要求，为进一步研究该晶体的性能和应用提供了可行性。
磺酰胺晶体及其生长方法用途

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