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[发明专利]直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法-CN201810515361.8有效
发明人：王正远;李侨;周锐 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开一种直拉硅单晶的引晶方法，以引晶速度偏差调控引晶温度，引晶速度偏差为引晶调温周期内的平均引晶速度与设定引晶速度的差值。若引晶速度偏差为正，引晶温度正向微调；若引晶速度偏差为负，引晶温度负向微调。根据缩径过程差异，引晶温度调控方式包括：整个引晶过程仅有一连续缩径过程，在整个过程中调控，引晶温度微调量根据功率调节系数设定；或引晶过程为一非连续缩径过程，包括第一缩径过程、等细晶过程和第二缩径过程，经第二缩径过程达到缩径目标直径，在等细晶过程中进行一次引晶温度调控，引晶温度微调量根据功率调节系数设定。本发明还公开采用上述引晶方法的直拉硅单晶的生产方法。本发明引晶准确调温，提高了单晶成品率。
直拉硅单晶方法及其制造

[发明专利]一种引晶工艺改善的方法-CN202210759157.7在审
发明人：康晓斌;武志军;韩凯;岳彩广;卢瑶 -专利权人：宁夏中环光伏材料有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种引晶工艺改善的方法，包括，在引晶之前，计算含有位错的细晶的标准长度；根据细晶的标准长度计算实际细晶长度；进行引晶：根据实际细晶长度进行引晶。本发明的有益效果是通过计算，缩短实际引晶长度，使得引晶长度更为合理，引晶时间更短，有效的消除位错，节省引晶时间，提高引晶效率。
一种工艺改善方法

[发明专利]单晶硅引晶拉速设定、调控方法及装置-CN202310660360.3在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;胡子武 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提出一种单晶硅引晶拉速设定、调控方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取由单晶硅引晶过程中产生的引晶历史数据确定的多个引晶样本数据集，基于多个引晶样本数据集，求解单晶硅引晶拉速过程中对应的最优引晶目标拉速，并选取出与单晶硅引晶拉速相关的特征监测变量，以根据特征监测变量与单晶硅引晶拉速的对应关系，构建引晶拉速预测模型；在任一目标时刻的引晶拉速需要调控的情况下，根据最优引晶目标拉速与引晶拉速预测模型在目标时刻的预测引晶拉速之间的偏差，对目标时刻的引晶拉速进行调控，由此，基于最优引晶目标拉速与预测引晶拉速之间的偏差，进行引晶拉速的超前、自适应、精准调节，提高拉速控制的精度和稳定性。
单晶硅引晶拉速设定调控方法装置

[发明专利]引晶功率确定方法、装置及电子设备-CN202010197828.6在审
发明人：李宗飞;刘平虎;谭明科;钱龙 -专利权人：华坪隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种引晶功率确定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质，涉及太阳能光伏技术领域。在前一次引晶从满埚料开始的情况下，分别获取所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速；其中，所述满埚料情况下，坩埚内的熔硅占装满所述坩埚的熔硅的质量比例大于预设比例；基于所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速，确定从满埚料开始的本次引晶的引晶功率；所述本次引晶为所述前一次引晶之后的下一次引晶；所述本次引晶的引放埚位与所述前一次引晶的引放埚位之间小于或等于预设距离。本发明实施例自动、准确实现了引晶功率确定，无需人工干预，降低了人工成本，且耗时较短。
功率确定方法装置电子设备

[发明专利]一种晶体的生长方法-CN201710830008.4有效
发明人：刘乾坤;齐凡;吴锋波;余剑云;谢斌晖 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种晶体的生长方法，按顺序依次包括晶结引晶工艺与连续引晶工艺复合模式的设计，两种工艺之间的过渡阶段采用连续引晶工艺，将拉晶结引晶工艺和连续引晶整合在一起，创造一种复合引晶工艺，适应生产的实际需要，而且根据引晶工艺实际使用可以提升单机产能和缩短引晶周期
一种晶体生长方法

[发明专利]一种功率脉冲引晶方法-CN202310069824.3在审
发明人：王鑫;王艺澄;王军磊 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;云南美科新能源发展有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅制造技术领域，涉及一种功率脉冲引晶方法；引晶过程分为三个阶段，在引晶第三阶段，用实际引晶液面亮度值与目标引晶液面亮度值对比，若实际引晶液面亮度值不在目标引晶液面亮度值范围内，根据目标引晶液面亮度值与实际引晶液面亮度值的偏差量计算出引晶功率调节量，若实际引晶液面亮度值＞目标引晶液面亮度值，说明引晶温度偏高，功率脉冲调整降低；若实际引晶液面亮度值＜目标引晶液面亮度值，说明引晶温偏低，功率脉冲调整升高；本发明通过监控液面亮度偏差量，利用计算得到功率调整量，通过多个调节周期实现功率调节，使温度控制到工艺要求范围内，大大降低了引晶的技术难度，提高引晶成活率，降低无效工时，提升单晶产量。
一种功率脉冲方法

[实用新型]一种单晶叶片引晶系统-CN202220503102.5有效
发明人：马德新;赵运兴;徐维台;魏剑辉 -专利权人：深圳市万泽中南研究院有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B22C9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶叶片引晶系统，包括主引晶条和子引晶条，所述主引晶条的下端从选晶器与叶片之间的过渡段表面上引出，上端通过子引晶条连接到缘板每个具有产生杂晶危险的边角处，所述主引晶条设置在叶片的叶背侧本实用新型通过将引晶条分为主引晶条和子引晶条，在保证有效引晶效果的前提下，大大减少引晶条的数量和长度，使得模壳结构简单化和敞亮化，同时最大限度减少了添加引晶条对叶片凝固速率的不利影响，有利于获得无雀斑缺陷和细密铸态组织的优质单晶叶片
一种叶片晶系

[发明专利]一种直拉单晶引晶工艺及用于该引晶工艺的单晶炉-CN202010150443.4在审
发明人：郭谦;张文霞;高润飞;武志军;郭志荣;霍志强;张石晶;赵志远;田鑫阳 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶引晶工艺，包括：采用若干CCD同步对引晶晶体直径进行监控，获得若干组所述引晶晶体直径的测试值；取所述测试值中的较大值与所述引晶晶体直径的标准值相比较；再调整所述引晶晶体拉晶速度使所述测试值在所述标准值范围内本发明还提出用以该引晶工艺的单晶炉。本发明提出的引晶工艺，通过两组CCD测得的引晶直径作对比，选择CCD中显示的最小直径为引晶直径，并通过该直径进行引晶调节，获得合格的引晶晶体，且引晶晶体不发生引断，引晶成晶率高。
一种直拉单晶引晶工艺用于单晶炉

[发明专利]一种引晶引断后自动稳温工艺-CN201910833133.X有效
发明人：赵国伟;王建平;周泽;王鑫;皇甫亚楠;杨志;刘学;吴树飞;刘振宇;郭志荣;王林;高润飞 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种引晶引断后自动稳温工艺，应用于直拉单晶引晶引断后进行自动稳温，包括以下步骤，S1：籽晶引断后，调节坩埚内硅溶液温度至过热温度，其中，在硅溶液温度调节过程中，籽晶自动延迟下降；S2：硅溶液温度调节至过热温度后，按照预置引晶功率进行热场功率选择，进行稳温；S3：根据细晶的长度进行籽晶下降，熔化细晶，进行过热熔接，并进行引晶。本发明的有益效果是改变传统工艺中引晶引断后的处理方式，由人为的手动操作转变为系统的全自动操作，单晶炉引晶时发生引断后，自动执行升温、降籽晶、预制引晶功率等步骤，直至执行下次自动引晶，提高拉近操作人员工作效率
一种引晶引断后自动工艺

[发明专利]一种自动记录引晶功率工艺-CN201910550114.6有效
发明人：王鑫;皇甫亚楠;刘学;周泽;王建平;王林;高润飞;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种自动记录引晶功率工艺，包括以下步骤：S1：对记录引晶功率的条件进行判断：记录引晶功率的条件包括剩料量大于引晶功率补偿剩料值，S2：若符合记录引晶功率的条件时，则自动记录引晶功率；否则，则进行下一步；S3：若不符合记录引晶功率的条件，则不进行引晶功率记录。本发明的有益效果是能够自动记录稳温过程中的引晶功率，并将该引晶功率输出到自动调温工艺中，满足自动稳温的需求，保证了自动稳温稳定、准确的进行，提高缩短稳温工时，可以提高产量，提高企业的竞争力，降低劳动强度
一种自动记录功率工艺

[发明专利]一种直拉单晶硅生产用的引晶装置及引晶方法-CN202110026220.1在审
发明人：詹玉峰;陈跃华;方勇华 -专利权人：浙江旭盛电子有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生产加工设备技术领域，具体地说，涉及一种直拉单晶硅生产用的引晶装置及引晶方法，包括引晶箱，引晶箱上安装有下料漏斗，引晶箱内底部安装有加热座，加热座的顶部安装有坩埚，下料漏斗的出料口正对坩埚的进口处，引晶机构包括两个对称嵌设于引晶箱内壁上的升降气缸，每个升降气缸的活塞杆顶部安装有固定杆，两个固定杆之间安装有单晶硅夹头，单晶硅夹头的底部安装有单晶硅。本发明通过引晶机构能够方便将单晶硅向上缓慢提拉，使得单晶硅带动多晶硅原料向上拉伸，保证引晶操作的稳定进行，生产效率高，通过引晶方法能够方便引晶的顺利进行，升降气缸保证晶体向上慢慢拉直且避免产生断裂等现象
一种单晶硅生产装置方法

[发明专利]一种引晶功率计算方法、确定方法及装置-CN202211393218.9在审
发明人：李彬 -专利权人：四川永祥光伏科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种引晶功率计算方法，包括：获取上次引晶功率、上次平均引晶拉速；获取上次放肩高度、上次引晶对应的调温时间到本次调温的运行时间、上次引晶对应的炉内石英埚内硅液重量、本次调温对应的硅液重量；获取平均引晶拉速变化量对应的功率变化量，确定引晶拉速与功率变化系数；获取放肩高度变化量对应的功率变化量，确定放肩高度与功率变化系数；获取运行时间变化量对应的功率变化量，确定运行时间与功率变化系数；获取硅液重量变化量对应的功率变化量，确定硅液重量与功率变化系数；确定引晶标准拉速和放肩标准高度；将上述数据输入引晶功率计算模型，计算得到本次引晶功率。本发明提高了找引晶功率的效率和准确性。
一种功率计算方法确定方法装置

[发明专利]引晶功率的确定方法及装置-CN202310485620.8在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;钟坚;童佳妮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种引晶功率的确定方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；基于工况特征向量与引晶功率之间的映射关系，构建单晶硅对应的引晶功率计算模型；将单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入到引晶功率计算模型进行预测，以得到实时引晶功率，由此，基于单晶硅生产过程中的历史数据样本建立的引晶功率计算模型，实现单晶硅生产过程中的实时引晶功率的精准确定，避免人工不合理修正，提高单晶硅的成晶率和产能。
功率确定方法装置

[发明专利]一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的引晶控制方法-CN201410823681.1有效
发明人：熊亮亮;杨建光;王明志 -专利权人：浙江东海蓝玉光电科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的引晶控制方法，所述引晶控制方法包括如下步骤：准备步骤、洗晶步骤、引晶步骤、完成引晶；其中，引晶步骤包括调节加热功率，使液面温度梯度适合引晶，籽晶末端和熔液接触界面形成浸润互融的状态开始长晶，控制长晶速度，每隔20-30min向上手动提拉一次，提拉11-15次形成一次晶结。本发明籽晶在靠近液面位置停留，升温、化料过程中可以有效避免原料、发热体等挥发出的杂质在籽晶上依附，降低杂质造成晶体多晶、开裂的风险；籽晶在靠近液面位置停留缩短了籽晶下降过程和烘烤籽晶的时间；多晶结引晶形态可以阻隔气泡、多晶等缺陷的延伸，能够有效提高引晶质量。
一种泡生法生长尺寸蓝宝石晶体控制方法

[发明专利]一种高可靠性泡生法蓝宝石晶体生长的自动引晶工艺-CN201410533940.7无效
发明人：刘瑜;陈晓玲 -专利权人：刘瑜
申请日： 2014-10-12 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性泡生法蓝宝石晶体生长的自动引晶工艺，该工艺包括籽晶重量、提拉高度、旋转速度以及籽晶温度4个工艺参数；所述的自动引晶工艺用提拉高度、旋转速度实现引晶动作，采用籽晶重量和籽晶温度作为引晶动作实施的判断依据，保证了引晶动作与晶体生长过程的一致。本发明通过基于籽晶重量和籽晶温度控制的自动引晶技术，将依赖于人眼控制的低可靠性的传统引晶方式提升为适用于大规模生产的高可靠性自动引晶方式，将有效的提高蓝宝石引晶的成功率，从而提高晶体的成品率，尤其适用于蓝宝石晶体的规模化生产
一种可靠性泡生法蓝宝石晶体生长自动工艺

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