专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一维单晶锗基石墨烯等离激元纳米结构的制备方法-CN202111269115.7有效
  • 陈珂;常凯莉;顾玉宗;王红芹 - 河南大学
  • 2021-10-29 - 2023-01-24 - C30B25/18
  • 本发明提供了一种一维单晶锗基石墨烯等离激元纳米结构的制备方法,步骤如下:(1)在衬底上利用磁控溅射的方法溅射金纳米薄膜;(2)在步骤(1)得到的衬底上采用化学气相沉积生长掺杂锗单晶纳米线;(3)在步骤(2)得到的掺杂锗单晶纳米线表面采用化学气相沉积直接生长高质量石墨烯,获得一维锗基石墨烯表面等离激元纳米结构。本发明通过化学气相沉积法在锗单晶纳米线表面直接生长石墨烯,避免了传统的石墨烯薄膜转移过程,最大程度上减小了转移过程对石墨烯载流子迁移率的影响,增强了锗与石墨烯之间中红外表面等离激元的耦合。本发明所提供的材料具有强烈且可调的表面等离激元效应,有望在分子指纹检测、中红外传感、光子芯片等领域广泛应用。
  • 一维单晶锗基石离激元纳米结构制备方法
  • [发明专利]一种石墨烯与氧化锡空心球复合纳米材料的制备方法-CN202010785908.3有效
  • 朱宝华;王芳芳;吴嘉文;顾玉宗 - 河南大学
  • 2020-08-07 - 2022-03-29 - C01G19/02
  • 本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种石墨烯与氧化锡空心球复合纳米材料的制备方法,步骤包括:往K2SnO3·3H2O中加入去离子水,将尿素与乙醇溶液混合,将硫酸钾水溶液与尿素溶液合并超声波处理形成混合液;将氧化石墨烯分散到水中,加入混合液搅拌均匀,然后转移到聚四氟乙烯作为内衬的高压不锈钢反应釜中,放入真空干燥箱中反应;反应结束后将高压反应釜迅速放入冰水中淬灭,将冷却后的液体分别用去离子水和无水乙醇洗涤后真空干燥,即得G/SnO2空心球复合纳米材料。本发明合成的G/SnO2空心球复合纳米材料的三阶非线性吸收为饱和吸收、三阶非线性折射为自聚焦,有望应用于锁膜脉冲激光器、光存储器、光调制器等。
  • 一种石墨氧化空心球复合纳米材料制备方法
  • [发明专利]黑磷烯量子点与石墨烯复合纳米材料的制备方法-CN202010748391.0在审
  • 朱宝华;李璐瑶;顾玉宗;王芳芳 - 河南大学
  • 2020-07-30 - 2020-11-06 - C01B25/00
  • 本发明属于半导体材料制备技术领域,公开了一种黑磷烯量子点与石墨烯复合纳米材料的制备方法,包括以下步骤:将氧化石墨烯粉末分散到N‑甲基吡咯烷酮中,在磁力搅拌器上搅拌10min后超声处理1小时,加入黑磷烯量子点分散液和水合肼,搅拌10min,得到原料液;将原料液转移到反应釜中,放入140℃的真空干燥箱中反应6h;反应结束后,将反应釜迅速放入冰水中淬灭,将冷却后的反应液分别用去离子水和无水乙醇多次洗涤后于60℃真空干燥,即得RGO/BP复合纳米材料。本发明通过水合肼来调控复合材料中黑磷烯量子点的浓度,随水合肼加入量增多,复合材料非线性光学响应越强。
  • 黑磷量子石墨复合纳米材料制备方法
  • [发明专利]一种多体并行S盒的电路结构-CN201710416133.0有效
  • 敖天勇;吴永辉;宫德龙;侯卫周;顾玉宗 - 河南大学
  • 2017-06-06 - 2020-06-26 - H04L9/06
  • 本发明提出了一种多体并行S盒的电路结构,用以解决现有并行S盒电路结构成本高、初始化时间长的问题;包括存储模块和多路选择器模块,存储模块包括数据输入端Data、地址输入端Addr和写使能输入端Wr和k个数据位宽为m比特的数据输出端;多路选择器模块包括有k个数据位宽为m比特的数据输入通道、t个数据位宽为n比特的通道选择输入端、t个数据位宽为m比特的S盒数据输出端,数据输入通道分别与存储模块的数据输出端相连接。本发明实现了多个S盒随机并行访问,能够一次进行多个S盒替换操作,节省大量的存储器资源,仅需要对存储器进行一次S盒内容加载,就实现对多个相同S盒的初始化,节省存储器的加载时间。
  • 一种并行电路结构

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