[发明专利]III-V族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法在审
申请号: | 201810030554.4 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN110034216A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 孙钱;冯美鑫;高宏伟;周宇;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L33/16 | 分类号: | H01L33/16;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种III族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法。其中,所述的制作方法包括:在衬底上生长形成深紫外发光二极管的外延结构的步骤,所述外延结构包括依次在衬底上形成的n型接触层、有源区、电子阻挡层和p型接触层,以及,制作分别与n型接触层、p型接触层电连接的n型电极、p型电极的步骤;并且还包括在位于所述发光二极管结构n侧的出光面上加工形成所述取光增强的微纳结构的步骤,所述出光面为氮面。本发明提供的III‑V族氮化物深紫外发光二极管结构具有取光效率高、热阻低、结温低和稳定性好等优点,可大幅增强深紫外发光二极管的器件性能和寿命,且其制作工艺简单快捷,易于规模化实施。 | ||
搜索关键词: | 深紫外发光二极管 外延结构 制作 衬底 发光二极管结构 电子阻挡层 器件性能 取光效率 微纳结构 制作工艺 出光面 氮化物 电连接 规模化 氮面 结温 热阻 源区 生长 加工 | ||
【主权项】:
1.一种III‑V族氮化物深紫外发光二极管结构,包括依次设置的n型接触层、有源区、电子阻挡层和p型接触层,所述n型接触层、p型接触层分别与n型电极、p型电极电连接,其特征在于:位于所述发光二极管结构n侧的出光面为氮面,且所述氮面上形成有取光增强的微纳结构。
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- 张雄;郭浩;许洁;崔一平 - 东南大学
- 2012-12-11 - 2013-04-10 - H01L33/16
- 本发明公开了一种完全禁带光子晶体结构,包括位于下层的空气孔型光子晶体结构和位于上层的介质柱型光子晶体,空气孔型光子晶体结构和介质柱型光子晶体结构均是由两种或两种以上介电常数的介质材料在平面上呈周期性排列成的阵列,介质柱型光子晶体结构的介质材料对应设置在空气孔型光子晶体结构的介质材料的上表面。本发明还公开了这种光子晶体结构的制备方法,以及一种采用该光子晶体结构的发光二极管。本发明光子晶体结构在LED发光波段实现完全光子禁带特性,极大地提高LED的出光效率,本发明可独立自由调节光子晶体的结构参数,拓展了在LED领域中的应用价值;有效地释放晶格失配所产生的应力,进而获得更高质量的氮化镓基外延薄膜。
- 一种发光器件-201210067680.X
- 潘小和;陈杰 - 矽光光电科技(上海)有限公司
- 2012-03-15 - 2012-07-18 - H01L33/16
- 本发明涉及一种发光器件,其包含具有一个以(100)晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽,凹槽的一部分被限定为硅基底的(111)晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个(111)晶面上的GaN晶体结构;该GaN晶体结构包含一个非极性平面,及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层,其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底,提高了发光效率和光发射强度,且发射光高度极化,并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度,以提高器件的可靠性和使用寿命。
- 模板、其制造方法及制造半导体发光器件的方法-201110158083.3
- 吴忠锡;张成焕;奠镐壹;朴治权;朴健 - 半材料株式会社;朴健
- 2011-06-14 - 2012-07-18 - H01L33/16
- 本发明公开了一种制造模板的方法。所述方法包括:在基底上生长包含第III族材料的第一氮化物层;在第一氮化物层上形成与第一氮化物层具有不同刻蚀特性的多个刻蚀阻障区;通过利用氯化物基气体按照刻蚀阻障区的图案刻蚀第一氮化物层,形成柱状纳米结构;以及通过在纳米结构的顶部上生长第二氮化物层,形成其中形成有多个空隙的氮化物缓冲层。本发明还公开了一种利用模板制造氮化物基半导体发光器件的方法。
- 生长在模板上以减小应变的III-氮化物发光二极管-201210049115.0
- P.N.格里洛特;N.F.加德纳;W.K.戈茨;L.T.罗马诺 - 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
- 2007-12-21 - 2012-07-11 - H01L33/16
- 一种器件包括:III-氮化物结构,包括:第一层(22),其中该第一层基本没有铟;在第一层上生长的第二层(26),其中该第二层是包括铟的非单晶层;以及在第二层上生长的器件层(10),该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层。减小发光器件中的应变可以提高器件的性能。应变可以被如下定义:给定层具有与和该层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk以及与生长在所述结构中的该层的晶格常数对应的面内晶格常数ain-plane。层中的应变量是|(ain-plane-abulk)|/abulk。在一些实施例中,发光层中的应变小于1%。
- 专利分类