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[发明专利]一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法-CN201410641928.8有效
发明人：赵桂娟;汪连山;杨少延;刘贵鹏;魏鸿源;焦春美;刘祥林;朱勤生;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型层、多量子阱层和N型层，N型层上制作有N电极。本发明还公开了一种制备高反射率的垂直结构发光二级管芯片的方法。本发明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。
一种反射率垂直结构发光二级芯片及其制备方法

[实用新型]一种冰箱的照明模块及冰箱-CN201620060460.8有效
发明人：陈珊;焦春美 -专利权人：合肥美菱股份有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： F25D27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冰箱的照明模块及冰箱,该照明模块包括盒体,盒体内设置有灯板,灯板上设置有照明灯珠和装饰灯珠,灯板上通过分隔板分隔为左部和右部,照明灯珠分布在灯板的左部,装饰灯珠分布在灯板的右部,盒体在照明灯珠前方卡设有照明灯罩，盒体在装饰灯珠前方卡设有装饰灯罩，装饰灯罩为彩色透明塑料罩，彩色透明塑料罩外表面设有一层亮银涂层。本实用新型相比现有技术具有以下优点：本实用新型将照明灯珠与装饰灯珠均集成在灯板上，集照明功能和装饰功能于一体，且结构简单，成本低。同时，灯板上的照明灯珠与装饰灯珠通过分隔板分隔开，防止了装饰灯珠的灯光光晕对照明灯珠的照明效果的影响，使得照明效果和装饰效果均比较显著。
一种冰箱照明模块

[发明专利]氮化铝单晶材料制备方法-CN201210332652.6有效
发明人：杨少延;魏鸿源;焦春美;刘祥林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化铝单晶材料制备方法，包含：在衬底上制备一III族氮化物成核层；在III族氮化物成核层上制备一III族氮化物结晶层；在III族氮化物结晶层上制备一应力协变层；在应力协变层上制备一III族氮化物自分解解耦合层；在III族氮化物自分解解耦合层上制备一第一III族氮化物模板层；在第一III族氮化物模板层上制备一第二III族氮化物模板层；在第二III族氮化物模板层上制备一氮化铝厚膜单晶材料层；通过中间工艺制备得到氮化铝单晶片衬底材料。本发明能为研制生产紫外和深紫外半导体光电器件提供低成本大尺寸氮化铝单晶片衬底材料，具有非常好的实用价值和市场推广前景。
氮化铝单晶材料制备方法

[发明专利]半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201410147977.6有效
发明人：项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。
极性氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法-CN201410058985.3有效
发明人：冯玉霞;杨少延;魏鸿源;焦春美;孔苏苏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500℃在氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于550℃～850℃之间在氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层；以及，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。本发明通过调节氮化铝层的V／III比和生长温度形成多层氮化铝，能够制备出低位错密度低应力的氮化镓薄膜。
缓解 mocvd 工艺衬底氮化薄膜应力方法

[发明专利]利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法-CN201310652125.8有效
发明人：杨少延;冯玉霞;魏鸿源;焦春美;赵桂娟;汪连山;刘祥林;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
利用衬底制备垂直结构氮化发光二极管器件方法

[发明专利]利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法-CN201310651999.1有效
发明人：杨少延;张恒;魏鸿源;焦春美;赵桂娟;汪连山;刘祥林;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化发光二极管方法

[发明专利]制备非极性A面GaN薄膜的方法-CN201210311148.8无效
发明人：刘建明;桑玲;赵桂娟;刘长波;王建霞;魏鸿源;焦春美;刘祥林;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备非极性GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性GaN薄膜。本发明中，ZnO缓冲层能够协调GaN和衬底之间的晶格失配和热失配，从而极大的提高了制备的非极性GaN薄膜的结晶质量。
制备极性 gan 薄膜方法

[发明专利]一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法-CN201210325765.3有效
发明人：王建霞;李志伟;赵桂娟;桑玲;刘长波;魏鸿源;焦春美;杨少延;刘祥林;朱勤生;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。
一种蓝宝石衬底生长剥离氮化薄膜方法

[实用新型]一种带有电镀装饰件的冰箱把手-CN201220001832.1有效
发明人：陈珊;柳庆松;焦春美 -专利权人：合肥美菱股份有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： E05B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有电镀装饰件的冰箱把手，包括嵌入冰箱门体凹槽内的冰箱把手本体，在所述门体上通过卡扣连接有把手装饰件，所述装饰件贴合于所述把手本体的一面上，在所述把手本体上还通过螺钉连接有热镀锌板加强板。本实用新型采用塑料电镀件作为把手的装饰件，可提高产品档次；另外，在把手上设有电镀锌板加强板，可以提高冰箱把手的强度。
一种带有电镀装饰冰箱把手

[发明专利]利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法-CN201110113282.2无效
发明人：时凯;刘祥林;魏鸿源;焦春美;王俊;李志伟;宋亚峰;杨少延;朱勤生;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤3：关闭金属有机化合物和笑气，通过MOCVD设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤4：通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤2、步骤3若干次；步骤5：待低温生长区温度降至室温后，利用传动装置将生长有氧化锌材料的衬底移动至取样区，取出样品，完成氧化锌材料的生长。
利用温度周期调制生长氧化锌材料方法

[发明专利]在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法-CN201110119981.8无效
发明人：桑玲;王俊;魏鸿源;焦春美;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
极性蓝宝石衬底生长水平排列氧化锌纳米方法

[发明专利]高温原位减薄硅基底的装置和方法-CN200710118005.4无效
发明人：刘祥林;杨少延;焦春美 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：一种高温原位减薄硅基底的装置和使用该装置的方法，该装置包括：一石墨基座，该石墨基座为圆柱形或圆盘形；该石墨基座上面有一凹部，用于承载硅基底；该石墨基座与硅基底之间有一缝隙，该缝隙为腐蚀气体通道；在该石墨基座的中心纵向有一圆孔，该圆孔为腐蚀气体通道；沿该石墨基座的圆周纵向有多数的通孔，该通孔为腐蚀气体通道。
高温原位减薄硅基底装置方法

[发明专利]δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法-CN200710065182.0无效
发明人：魏鸿源;刘祥林;张攀峰;焦春美;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
掺杂制备氧化锌薄膜方法

[发明专利]在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法-CN200710063881.1无效
发明人：胡卫国;魏鸿源;焦春美;刘祥林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底，表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中；步骤2：使用金属有机物化学气相沉积方法，在衬底上生长纳米棒的ZnO层，以用来限制后续生长GaN的二维生长；步骤3：用去离子水冲洗所生长的纳米棒的ZnO层，以清除表面的污染；步骤4：在反应室中，采用金属有机物化学气相沉积方法，使用纯N₂载气在冲洗后的纳米棒的ZnO层上生长GaN纳米晶层，纳米晶的尺寸取决于纳米棒的ZnO层的直径；步骤5：在反应室中，使用N₂+H₂混合载气刻蚀纳米棒的ZnO层，完成无支撑的GaN纳米晶层的生长。
纳米氧化锌生长支撑氮化方法

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