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[发明专利]一种发光芯片、发光芯片外延层及制作方法-CN202210397174.0在审
发明人：孙威威 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光芯片、发光芯片外延层及制作方法。通过发光芯片外延层包括N型层；生长于N型层之上的量子阱层；生长于量子阱层之上的P型层；P型层包括依次层叠于量子阱层之上的P型限制层、过渡层及P型窗口层；P型限制层为Aly1Iny2P层，P型窗口层为GaP层；过渡层包括Al、In、Ga和P，且过渡层自远离Aly1Iny2P层的方向Al的组分递减，Ga的组分递增,y1和y2大于0,且y1+y2＝1，减小了P型限制层与P型窗口层之间的晶格失配，有利于P型窗口层长晶。
一种发光芯片外延制作方法

[实用新型]一种半导体发光二极管-CN202320432717.8有效
发明人：阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;张江勇;陈婉君;蔡鑫 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、第一n型半导体层、第二n型半导体层、第三n型半导体层、超晶格层、浅量子阱层、量子阱层和p型半导体层，所述第一n型半导体层、第二n型半导体层、第三n型半导体层、超晶格层和量子阱层组成扩散漂移载流子平衡结构。本实用新型使量子阱层中扩散漂移跃迁的电子与空穴载流子的浓度差异变为小于等于2个数量级，以提升半导体发光二极管的发光效率。
一种半导体发光二极管

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311029088.5在审
发明人：郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有复合层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述复合层包括依次沉积在所述衬底上的SiCN层、Mg掺杂BGaN层和Mg掺杂InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能提高GaN晶体质量，降低产生裂纹率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202210712155.2有效
发明人：刘康;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，包括衬底，以及在该衬底上依次层叠设置的缓冲层、三维生长层、U型半导体层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述三维生长层包括两个子层堆叠的多个复合生长结构，每个复合结构包含第一子层和第二子层，第一子层材料为GaN，优选的为U型GaN；所述第二子层为InAlN，其组分配比范围为InxAl1‑xN，其中0.05＜x＜0.5，优选的组分配比为In0.17Al0.83N。本发明通过生长新型的三维生长层，为成核小岛纵向三维生长形成大岛，最终大岛合并，为后续生长平整高长晶质量低缺陷密度的GaN层铺垫，能够改善减少现有技术中外延片结构中的缺陷位错，改善长晶质量，提高ESD抗静电能力和发光效率。
一种氮化物半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]发光元件-CN202310194661.1在审
发明人：崔炳均;许宗茂;金炳容 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：公开了一种发光元件，所述发光元件包括：n型半导体；p型半导体；以及活性层，在n型半导体与p型半导体之间，穿透位错形成在n型半导体中，并且开口基于穿透位错形成在n型半导体的表面上。
发光元件

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310993517.4在审
发明人：印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、过渡层、AlGaN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层以及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括多个复合层，所述复合层包括依次层叠的BAlGaN层、BMgGaN层和BInMgGaN层。本发明提供的发光二极管外延片减少了对紫外LED光的吸收，提高了光提取效率，降低器件的工作电压。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种高光效发光二极管外延片及制备方法-CN202310991563.0在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高光效发光二极管外延片及制备方法，所述高光效发光二极管外延片包括复合空穴层，所述复合空穴层包括依次层叠的空穴扩展层、第一空穴层及第二空穴层，所述第一空穴层的厚度与所述第二空穴层的厚度相等，且两者的厚度大于所述空穴扩展层的厚度，所述第二空穴层为P型YInGaN层，其中，所述P型YInGaN层中Y组分的范围为0.01～0.5，In组分的范围为0.01～0.1，提高空穴向量子阱层的注入效率，提高空穴与电子在多量子阱层复合效率，提高发光二极管的出光效率。
一种高光效发光二极管外延制备方法

[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法-CN202111057442.6有效
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的氮化硼结构、AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；所述氮化硼结构远离所述衬底的一面具有多个生长抑制区，多个所述生长抑制区在所述衬底表面的正投影呈阵列分布，AlN在所述生长抑制区的生长速率小于在所述生长抑制区之外的区域的生长速率。本公开能减少AlN膜层的位错缺陷，改善AlN膜层的晶体质量，提升深紫外发光二极管的发光效果。
深紫发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]覆晶红光二极管芯片及其制备方法-CN202110968669.X有效
发明人：肖和平;朱迪;郭磊 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开提供了覆晶红光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将支撑衬底的材料采用氧化铝，支撑衬底与层叠在支撑衬底上的外延结构之间通过氧化硅键合层键合连接，一方面键合成本较低，另一方面支撑衬底表面具有的第一氧等离子处理结构为氧与氧化铝中的铝形成的薄层Al‑O‑键，氧化硅键合层表面具有的第二氧等离子体处理结构为氧与硅形成的薄层Si‑O‑键，Al‑O‑键与Si‑O‑键在键合过程中可以重新组合形成稳定而结合力强的Al‑O‑Si键，得到重复性好，稳定性能高的键合界面，提高支撑衬底以及支撑衬底表面层叠的外延结构之间的连接稳定性，由此可使得器件具有高可靠性。
红光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]LED外延片及其制备方法、LED-CN202310836801.0在审
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，LED外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、第一P型层和第二P型层；其中，第一P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第一P型AlGaN层和P‑ScYAlN层；第二P型层为周期性结构，周期数≥2，每个周期均包括依次层叠的第二P型AlGaN层和P‑AlInGaN层。实施本发明，可提升LED外延片的发光效率。
led 外延及其制备方法

[发明专利]具有改进的电荷载流子分布的V形凹坑增强部件-CN202180093882.9在审
发明人：陈晓军;王恒;罗钟浩;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 -专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种部件(10)，该部件具有半导体层序列(20)，该半导体层序列(20)包括p侧半导体层(1)、n侧半导体层(2)以及位于p侧半导体层与n侧半导体层之间的有源区(3)。有源区(3)具有多量子阱结构，该多量子阱结构包括多个量子垒层(32)和量子阱层(31)，其中，量子垒层(32)和量子阱层(31)沿垂直方向交替布置。有源区(3)包括至少一个凹部(4)，至少一个凹部具有倾斜地延伸至有源区(3)的主表面(30)的小平面(41)，其中，凹部(4)朝向p侧半导体层(1)开口，并且至少在凹部(4)内，量子垒层(32)是n掺杂的并且具有非恒定掺杂分布(DP)，使得在部件(10)的操作中，带负电荷的电荷载流子的传输由于非恒定掺杂分布(DP)而从n侧半导体层(2)朝向p侧半导体层(1)增加。
具有改进电荷载流子分布形凹坑增强部件

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202310861562.4有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、复合3D成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述复合3D成核层包括依次沉积在所述缓冲层上的3D AlaSi1‑aN成核层、SiN网格层及3D InxGaySi1‑x‑yN成核层。本发明在缓冲层与非掺杂GaN层之间插入复合3D成核层，有效的改善成核层的质量，提高晶体质量，减少载流子的非辐射复合，提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种减少LED发光波长蓝移量的LED外延生长方法-CN202010929015.1有效
发明人：徐平;胡耀武;尹志哲 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种减少LED发光波长蓝移量的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱发光层依次包括生长InGaN阱层、掺Si预处理、生长In渐变减少InXGa1‑X层、生长In渐变增加InyN1‑y层、生长In恒定InzAl1‑z层、Mg扩散处理、生长GaN垒层和InGaN：Mg/Si保护层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长中存在的LED发光波长蓝移量较大的问题，同时提高LED的发光效率，降低工作电压，增强抗静电能力。
一种减少 led 发光波长蓝移量外延生长方法

[实用新型]一种复合半导体衬底结构-CN202320687963.8有效
发明人：母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种复合半导体衬底结构，所述复合半导体衬底结构包括：支撑衬底、单晶硅层以及碳化硅层；所述单晶硅层设置于所述支撑衬底和碳化硅层之间；所述支撑衬底和单晶硅层之间设置有键合界面层；所述键合界面层的厚度为0nm～5μm，且不为0nm。本实用新型提供的复合半导体衬底结构提高了由氧化镓或氮化镓材料制成的半导体器件的性能和可靠性。
一种复合半导体衬底结构

[发明专利]隧穿结及制备方法、双结红外LED外延结构及制备方法-CN202310676306.8在审
发明人：廖寅生;李森林;毕京锋;王亚宏;薛龙;赖玉财;董雪振;丘金金 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种隧穿结及制备方法、双结红外LED外延结构及制备方法，隧穿结由下至上依次包括第一掺杂层、渐变掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和渐变掺杂层均掺杂有相同类型的掺杂剂，所述第一掺杂层和第二掺杂层掺杂有不同类型的掺杂剂，所述渐变掺杂层中包含有P组分和As组分，且所述渐变掺杂层为P组分和As组分的渐变层，且所述P组分与As组分的变化趋势相反，通过所述渐变掺杂层中的As和P由下至上的渐变，实现了As和P的有效切换，有效改善界面质量和晶体生长质量，减小串联电阻，降低工作电压，从而提升光电转换效率。
隧穿结制备方法红外 led 外延结构

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