[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201710336067.6 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107331746A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 邢振远;李彤;王世俊;吴燕;薛亚芝 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型层、有源层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和P型层，第一电子阻挡层为AlxGa(1‑x)InP层，第二电子阻挡层为AlyIn(1‑y)P层，第一电子阻挡层中的Al的组分从靠近有源层一侧向远离有源层一侧逐渐增加，由于第一电子阻挡层中的Al的组分从靠近有源层一侧向远离有源层一侧逐渐增加，因此第一电子阻挡层的禁带宽度逐渐提高，使得第一电子阻挡层的禁带宽度与有源层的禁带宽度的差值增大，增强对电子的限制作用，第二电子阻挡层也可以对电子进行阻挡，减少电子进入到P型层中的数量，从而提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和P型层，所述第一电子阻挡层为AlxGa(1‑x)InP层，所述第二电子阻挡层为AlyIn(1‑y)P层，所述第一电子阻挡层中的Al的组分从靠近所述有源层一侧向远离所述有源层一侧逐渐增加，其中，0＜x≤1，0＜y≤1。
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